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IR 推出1200V Gen8 IGBT系列 提升工业应用的基准效率和耐用性
發(fā)表于：2015/1/25 下午4:45:54
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英飞凌科技股份有限公司顺利收购美国国际整流器公司
發(fā)表于：2015/1/14 下午3:17:25
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IR推出车用40V 5x6mm双PQFN COOLiRFET™ 为小功率电机提供基准性能
發(fā)表于：2014/10/14 下午12:54:42
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IR推出全新µIPM-DIP功率模块 为低功率电机驱动应用提供符合行业标准并具成本效益的解决方案
發(fā)表于：2014/6/5 下午3:21:33
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IR推出75V低侧智能功率开关，适用于严苛的24V汽车环境
發(fā)表于：2009/11/6 下午4:00:25
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IR新型150V高侧驱动器IC具有内部Vs电荷
發(fā)表于：2009/9/10 下午1:46:04
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IR推出基准工业级30V MOSFET
發(fā)表于：2009/8/26 下午1:46:26
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IR推出150V和200V MOSFET为工业应用提供极低的闸电荷
發(fā)表于：2009/8/17 下午2:48:06
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IR 25V IRF6718采用新款大罐式DirectFET封装，为动态ORing和热插拔应用提供最低通态电阻
發(fā)表于：2009/8/11 下午3:29:06
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IR推出增强型25V及30V MOSFET 适用于负载点同步降压转换器应用
發(fā)表于：2009/5/14 下午3:03:44
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IR推出新型逻辑电平沟道MOSFET，提供基准效率和更高电流额定值
發(fā)表于：2009/5/5 下午3:36:52
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IR推出新型IRS2093驱动IC，将4个通道集成至一个紧凑型IC，使电路板尺寸减少了一半
發(fā)表于：2009/4/28 下午1:17:09
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IR SmartRectifier IC提升系统效率1.5%，并将整流器组件温度降低25摄氏度，使PCB尺寸缩小了三分之二
發(fā)表于：2009/4/22 上午10:07:25
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IR将于中国重要行业盛会展示最新功率管理方案
發(fā)表于：2009/2/16 上午9:18:25
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IR推出全新基准MOSFET，将封装电流额定值提升了60%
發(fā)表于：2008/12/18 上午10:54:52
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IR推出工业用认证之MOSFET,能改善导通电阻达50%, 减低整体系统成本
發(fā)表于：2008/11/4 上午10:32:54
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IR推出25W至500W可扩展输出功率D类音频功率放大器参考设计
發(fā)表于：2008/9/25 上午11:56:17
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IR称在功率器件技术上取得重大突破
發(fā)表于：2008/9/22 上午9:04:15
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MOSFET的开关速度将决定未来POL电源的性能
發(fā)表于：2008/7/22 下午2:25:47
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IR全新30V DirectFET MOSFET系列为同步降压转换器设计带来更高性能和电流密度
發(fā)表于：2008/5/29 上午8:25:41
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IR任命Michael Barrow为执行副总裁兼COO
發(fā)表于：2008/4/9 下午2:58:27
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IR委任Oleg Khaykin为新一任总裁兼CEO
發(fā)表于：2008/2/19 上午10:33:25
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国际整流器公司授权英飞凌科技使用DirectFET封装技术
發(fā)表于：2007/9/28 下午2:57:39
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