《電子技術應用》
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IR 25V IRF6718采用新款大罐式DirectFET封裝,為動態(tài)ORing和熱插拔應用提供最低通態(tài)電阻

2009-08-11
作者:國際整流器公司
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全球功率半導體管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業(yè)界最低的通態(tài)電阻 (RDS(on)),并且使動態(tài)ORing、熱插拔及電子保險絲等DC開關應用達到最佳效果。?

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IRF6718在新款大罐式DirectFET封裝中融入了IR新一代硅技術,提供極低的通態(tài)電阻(在10V Vgs時典型為0.5mΩ),同時比D2PAK的占位面積縮小60%,高度縮小85%。新器件大幅減少了有關旁路元件的傳導損耗,從而大大提高整體系統(tǒng)的效率。?

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IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IRF6718IR第一款采用大罐式DirectFET封裝的器件,與同類器件相比擁有更低的通態(tài)電阻,可實現(xiàn)卓越的效率及熱性能,適合于高密度DC-DC應用,如比D2PAK尺寸更小的服務器。另外,該器件還有助于節(jié)省電路板空間及整體系統(tǒng)的成本,因為在特定功率損耗下,它比現(xiàn)有解決方案使用更少的器件。”?

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此外,IRF6718為電子保險絲及熱插拔電路實現(xiàn)了改善的安全工作區(qū)(SOA)能力。該器件采用無鉛設計,并符合RoHS標準。?

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IRF6718IR針對DC開關應用的25V DirectFET系列的衍生產(chǎn)品。IRF6717中罐式和IRF6713小罐式DirecFET也適合DC開關應用,并且在各自的PCB尺寸內提供業(yè)界最佳的通態(tài)電阻。?

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產(chǎn)品的基本規(guī)格:?

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器件編號?

典型
RDS(on)
?@10V
(mΩs)
?

典型
RDS(on)
@4.5V
(mΩs)
?

VGS (V)?

ID @ TA
=25oC (A)
?

封裝面積??? (mm x mm)?

典型RDS(on) ?

@10V x 面積?

(mΩ x mm2)?

IRF6718?

0.5?

1.0?

+/-20?

61?

7 x 9.1?

31.9?

IRF6717?

0.95?

1.6?

+/-20?

38?

4.9 x 6.3?

29.3?

IRF6713?

2.2?

3.5?

+/-20?

22?

3.8 x 4.8?

40.1?

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上述器件的數(shù)據(jù)及應用說明已在IR的網(wǎng)站www.irf.com提供。?

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IR已開始接受量產(chǎn)訂單。?

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IR簡介?

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國際整流器公司 (簡稱IR,紐約證交所代號IRF) 是全球功率半導體和管理方案領導廠商。IR的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應用于驅動高性能計算設備及降低電機的能耗 (電機是全球最大耗能設備) ,是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計算機、節(jié)能電器、照明設備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準。?

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IR成立于1947年,總部設在美國洛杉磯,在二十個國家設有辦事處。IR全球網(wǎng)站:www.irf.com,中國網(wǎng)站:www.irf.com.cn?

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