《電子技術(shù)應(yīng)用》
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IR推出增強(qiáng)型25V及30V MOSFET 適用于負(fù)載點(diǎn)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用

2009-05-14
作者：國(guó)際整流器公司

??? 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對(duì)同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護(hù)增強(qiáng)了轉(zhuǎn)換性能，適用于消費(fèi)和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的計(jì)算應(yīng)用。?

?

?

??? 新 MOSFET 系列采用了 IR 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的硅技術(shù)，可提供基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) ，并且提高了轉(zhuǎn)換性能。新器件的低傳導(dǎo)損耗改善了滿載效率及熱性能，即使在輕負(fù)載條件下，低轉(zhuǎn)換損耗也有助于實(shí)現(xiàn)高效率。?

??? IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“這些新型 MOSFET 采用 Power QFN 封裝，可比 SO-8封裝提供更高的功率密度，同時(shí)保持相同的引腳排列配置。新型雙 SO-8 MOSFET 還可通過(guò)‘二合一’交換來(lái)減少元件數(shù)目，滿足不同應(yīng)用的要求?！?

??? 單雙 N通道 MOSFET 現(xiàn)已開(kāi)始供應(yīng)。除了 D-PAK、I-PAK 和 SO-8 封裝之外，單個(gè) N通道器件也可在高量產(chǎn)時(shí)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化，采用 PQFN 5×6mm 和 3×3mm 封裝，而雙 N通道器件則采用 SO-8 封裝。新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) ，可以不含鹵素。?

?

??? 產(chǎn)品的基本規(guī)格如下：?

??? 單個(gè) N通道

器件編號(hào)?

Bvdss?

?(V)? ?

封裝?

在10Vgs下的

最大RDS(on) (mΩ)

在4.5Vgs下的

最大RDS(on) (mΩ)

在TC=25°C 下的Id (A)

在TA =25°C 下的Id (A)

典型Qg

(nC)?

IRL(R,U)8256(TR)PBF?

25

D-Pak/I-PAK

5.7

8.5

81

N/A

10

IRL(R,U)8259(TR)PBF?

25

D-Pak/I-PAK

8.7

12.9

57

N/A

6.8

IRF8252(TR)PBF

25

SO-8

2.7

3.7

N/A

25

35

IRL(R,U)8743(TR)PBF?

30

D-Pak/I-PAK

3.1

3.9

160

N/A

39

IRL(R,U)8726(TR)PBF?

30

D-Pak/I-PAK

5.8

8.0

86

N/A

15

IRL(R,U)8721(TR)PBF?

30

D-Pak/I-PAK

8.4

11.8

65

N/A

8.5

IRL(R,U)8729(TR)PBF?

30

D-Pak/I-PAK

8.9

11.9

58

N/A

10

IRFH3702(TR,TR2)PBF

30

PQFN 3 x 3

7.1

11.8

N/A

16

9.6

IRFH3707(TR,TR2)PBF

30

PQFN 3 x 3

12.4

17.9

N/A

12

5.4

IRFH7932(TR,TR2)PBF

30

PQFN 5 x 6

3.3

3.9

N/A

24

34

IRFH7934(TR,TR2)PBF

30

PQFN 5 x 6

3.5

5.1

N/A

24

20

IRFH7936(TR,TR2)PBF

30

PQFN 5 x 6

4.8

6.8

N/A

20

17

IRFH7921(TR,TR2)PBF

30

PQFN 5 x 6

8.5

12.5

N/A

15

9.3

IRFH7914(TR,TR2)PBF

30

PQFN 5 x 6

8.7

13

N/A

15

8.3

IRF8788(TR)PBF

30

SO-8

2.8

3.8

N/A

24

44

IRF7862(TR)PBF

30

SO-8

3.7

4.5

N/A

21

30

IRF8734(TR)PBF

30

SO-8

3.5

5.1

N/A

21

20

IRF8736(TR)PBF

30

SO-8

4.8

6.8

N/A

18

17

IRF8721(TR)PBF

30

SO-8

8.5

12.5

N/A

14

8.3

IRF8714(TR)PBF

30

SO-8

8.7

13

N/A

14

8.1

IRF8707(TR)PBF

30

SO-8

11.9

17.5

N/A

11

6.2

?

??? N/A = 不適用雙N通道

器件編號(hào)?

封裝?

配置

Bvdss?

?(V)? ?

在10Vgs下的

最大RDS(on) (mΩ)

最大Vgs (V)? ?

典型Qg

(nC)?

IRF8313PBF

SO-8

獨(dú)立?

對(duì)稱?

30

15.5

± 20

6.0

IRF8513PBF

SO-8

半橋?

非對(duì)稱?

30

12.7

± 20

7.6

15.5

5.7

?

??? 新器件現(xiàn)已開(kāi)始供應(yīng)。產(chǎn)品詳細(xì)數(shù)據(jù)可以瀏覽IR網(wǎng)頁(yè)www.irf.com。

?

??? IR簡(jiǎn)介

??? 國(guó)際整流器公司 (簡(jiǎn)稱IR，紐約證交所代號(hào)IRF) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR的模擬及混合信號(hào)集成電路、先進(jìn)電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)高性能計(jì)算設(shè)備及降低電機(jī)的能耗 (電機(jī)是全球最大耗能設(shè)備) ，是眾多國(guó)際知名廠商開(kāi)發(fā)下一代計(jì)算機(jī)、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國(guó)防系統(tǒng)的電源管理基準(zhǔn)。?

??? IR成立于1947年，總部設(shè)在美國(guó)洛杉磯，在二十個(gè)國(guó)家設(shè)有辦事處。IR全球網(wǎng)站：www.irf.com，亞洲網(wǎng)站：www.irf-asia.com ，中國(guó)網(wǎng)站：www.irf.com.cn。
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