??? 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護增強了轉(zhuǎn)換性能，適用于消費和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的計算應(yīng)用。?
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??? 新 MOSFET 系列采用了 IR 經(jīng)過驗證的硅技術(shù)，可提供基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) ，并且提高了轉(zhuǎn)換性能。新器件的低傳導(dǎo)損耗改善了滿載效率及熱性能，即使在輕負載條件下，低轉(zhuǎn)換損耗也有助于實現(xiàn)高效率。?
??? IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“這些新型 MOSFET 采用 Power QFN 封裝，可比 SO-8封裝提供更高的功率密度，同時保持相同的引腳排列配置。新型雙 SO-8 MOSFET 還可通過‘二合一’交換來減少元件數(shù)目，滿足不同應(yīng)用的要求?！?
??? 單雙 N通道 MOSFET 現(xiàn)已開始供應(yīng)。除了 D-PAK、I-PAK 和 SO-8 封裝之外，單個 N通道器件也可在高量產(chǎn)時實現(xiàn)優(yōu)化，采用 PQFN 5×6mm 和 3×3mm 封裝，而雙 N通道器件則采用 SO-8 封裝。新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) ，可以不含鹵素。?
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??? 產(chǎn)品的基本規(guī)格如下：?
??? 單個 N通道
|
器件編號? |
Bvdss? ?(V)? ? |
封裝? |
在10Vgs下的 最大RDS(on) (mΩ) |
在4.5Vgs下的 最大RDS(on) (mΩ) |
在TC=25°C 下的Id (A) |
在TA =25°C 下的Id (A) |
典型Qg (nC)? |
|
IRL(R,U)8256(TR)PBF? |
25 |
D-Pak/I-PAK |
5.7 |
8.5 |
81 |
N/A |
10 |
|
IRL(R,U)8259(TR)PBF? |
25 |
D-Pak/I-PAK |
8.7 |
12.9 |
57 |
N/A |
6.8 |
|
IRF8252(TR)PBF |
25 |
SO-8 |
2.7 |
3.7 |
N/A |
25 |
35 |
|
IRL(R,U)8743(TR)PBF? |
30 |
D-Pak/I-PAK |
3.1 |
3.9 |
160 |
N/A |
39 |
|
IRL(R,U)8726(TR)PBF? |
30 |
D-Pak/I-PAK |
5.8 |
8.0 |
86 |
N/A |
15 |
|
IRL(R,U)8721(TR)PBF? |
30 |
D-Pak/I-PAK |
8.4 |
11.8 |
65 |
N/A |
8.5 |
|
IRL(R,U)8729(TR)PBF? |
30 |
D-Pak/I-PAK |
8.9 |
11.9 |
58 |
N/A |
10 |
|
IRFH3702(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 3 x 3 |
7.1 |
11.8 |
N/A |
16 |
9.6 |
|
IRFH3707(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 3 x 3 |
12.4 |
17.9 |
N/A |
12 |
5.4 |
|
IRFH7932(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 5 x 6 |
3.3 |
3.9 |
N/A |
24 |
34 |
|
30 |
PQFN 5 x 6 |
3.5 |
5.1 |
N/A |
24 |
20 | |
|
IRFH7936(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 5 x 6 |
4.8 |
6.8 |
N/A |
20 |
17 |
|
IRFH7921(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 5 x 6 |
8.5 |
12.5 |
N/A |
15 |
9.3 |
|
IRFH7914(TR,TR2)PBF |
30 |
PQFN 5 x 6 |
8.7 |
13 |
N/A |
15 |
8.3 |
|
IRF8788(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
2.8 |
3.8 |
N/A |
24 |
44 |
|
IRF7862(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
3.7 |
4.5 |
N/A |
21 |
30 |
|
30 |
SO-8 |
3.5 |
5.1 |
N/A |
21 |
20 | |
|
IRF8736(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
4.8 |
6.8 |
N/A |
18 |
17 |
|
IRF8721(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
8.5 |
12.5 |
N/A |
14 |
8.3 |
|
IRF8714(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
8.7 |
13 |
N/A |
14 |
8.1 |
|
IRF8707(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
11.9 |
17.5 |
N/A |
11 |
6.2 |
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??? N/A = 不適用雙N通道
|
器件編號? |
封裝? |
配置 |
Bvdss? ?(V)? ? |
在10Vgs下的 最大RDS(on) (mΩ) |
最大Vgs (V)? ? |
典型Qg (nC)? |
|
IRF8313PBF |
SO-8 |
獨立? 對稱? |
30 |
15.5 |
± 20 |
6.0 |
|
IRF8513PBF |
SO-8 |
半橋? 非對稱? |
30 |
12.7 |
± 20 |
7.6 |
|
15.5 |
5.7 |
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??? 新器件現(xiàn)已開始供應(yīng)。產(chǎn)品詳細數(shù)據(jù)可以瀏覽IR網(wǎng)頁www.irf.com。
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??? IR簡介
??? 國際整流器公司 (簡稱IR，紐約證交所代號IRF) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動高性能計算設(shè)備及降低電機的能耗 (電機是全球最大耗能設(shè)備) ，是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計算機、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準。?
??? IR成立于1947年，總部設(shè)在美國洛杉磯，在二十個國家設(shè)有辦事處。IR全球網(wǎng)站：www.irf.com，亞洲網(wǎng)站：www.irf-asia.com ，中國網(wǎng)站：www.irf.com.cn。