《電子技術(shù)應(yīng)用》
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IR全新30V DirectFET MOSFET系列為同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計帶來更高性能和電流密度

2008-05-29
作者:國際整流器公司
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全球功率半導(dǎo)體" title="功率半導(dǎo)體">功率半導(dǎo)體和管理方案" title="管理方案">管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司" title="國際整流器公司">國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) ,推出專為筆記本電腦、服務(wù)器CPU電源、圖形,以及記憶體穩(wěn)壓器應(yīng)用的同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計而優(yōu)化的全新30V DirectFET MOSFET系列。?

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新器件" title="新器件">新器件系列結(jié)合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技術(shù)與先進的DirectFET封裝技術(shù),比標準SO-8器件的占位面積小40%,而且采用了0.7mm纖薄設(shè)計。新一代30V器件的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 非常低,同時把柵極電荷 (Qg) 和柵漏極電荷 (Qgd) 減至最少,并以極低" title="極低">極低的封裝電感減少了導(dǎo)通及開關(guān)損耗。?

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IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“憑借我們基準的功率MOSFET硅器件和DirectFET封裝,新的30V器件具有非常低的RDS(on)、QgQgd特性,可提高整個負載的效率和散熱性能。這也有助于實現(xiàn)每相位25A的操作,同時保持單一控制和單一同步MOSFET的小巧體積?!?SPAN lang=EN-US>?

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IRF6724M、IRF6725M、IRF6726M,以及IRF6727M具有極低的RDS(on) 特性,非常適合高電流同步MOSFET。這些新器件與上一代器件采用通用的MTMX占位面積,所以當(dāng)需要提高電流水平或改善散熱性能時,易于從舊器件轉(zhuǎn)向使用新器件。?

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IRF6721S、IRF6722SIRF6722M極低的QgQgd,使這些器件非常適用于控制MOSFET。它們還有SQSTMP占位面積可供選擇,可以使設(shè)計更具靈活性。?

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產(chǎn)品規(guī)格?

器件?

編號?

BVDSS?

(V)?

10V下典型RDS(on) (mOhms)?

4.5V下典型RDS(on) (mOhms)?

典型QG (nC)?

典型QGD
(nC)?

DirectFET 外形代碼?

IRF6721S?

30?

5.1?

8.5?

11?

3.7?

SQ?

IRF6722S?

30?

4.7?

8.0?

11?

4.1?

ST?

IRF6722M?

30?

4.7?

8.0?

11?

4.3?

MP?

IRF6724M?

30?

1.9?

2.7?

33?

10?

MX?

IRF6725M?

30?

1.7?

2.4?

36?

11?

MX?

IRF6726M?

30?

1.3?

1.9?

51?

16?

MT?

IRF6727M?

30?

1.2?

1.8?

49?

16?

MX?

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產(chǎn)品詳細信息可以登錄IR 網(wǎng)站查詢:http://www.irf.com/whats-new/nr080522.html。?

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新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制規(guī)定 (RoHS),并已接受批量訂單。?

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IR簡介?

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國際整流器公司 (簡稱IR,紐約證交所代號IRF) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動高性能運算設(shè)備及降低電機的能耗 (電機是全球最大耗能設(shè)備) ,是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計算機、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準。?

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IR成立于1947年,總部設(shè)在美國洛杉磯,在二十個國家設(shè)有辦事處。IR全球網(wǎng)站:www.irf.com,亞洲網(wǎng)站:www.irf-asia.com ,中國網(wǎng)站:www.irf.com.cn。?

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