全球功率半導(dǎo)體" title="功率半導(dǎo)體">功率半導(dǎo)體和管理方案" title="管理方案">管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司" title="國(guó)際整流器公司">國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) ，推出專(zhuān)為筆記本電腦、服務(wù)器CPU電源、圖形，以及記憶體穩(wěn)壓器應(yīng)用的同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)而優(yōu)化的全新30V DirectFET MOSFET系列。?

?

新器件" title="新器件">新器件系列結(jié)合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技術(shù)與先進(jìn)的DirectFET封裝技術(shù)，比標(biāo)準(zhǔn)SO-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設(shè)計(jì)。新一代30V器件的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 非常低，同時(shí)把柵極電荷 (Qg) 和柵漏極電荷 (Qgd) 減至最少，并以極低" title="極低">極低的封裝電感減少了導(dǎo)通及開(kāi)關(guān)損耗。?

?

IR亞洲區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“憑借我們基準(zhǔn)的功率MOSFET硅器件和DirectFET封裝，新的30V器件具有非常低的RDS(on)、Qg和Qgd特性，可提高整個(gè)負(fù)載的效率和散熱性能。這也有助于實(shí)現(xiàn)每相位25A的操作，同時(shí)保持單一控制和單一同步MOSFET的小巧體積?！?SPAN lang=EN-US>?

?

IRF6724M、IRF6725M、IRF6726M，以及IRF6727M具有極低的RDS(on) 特性，非常適合高電流同步MOSFET。這些新器件與上一代器件采用通用的MT和MX占位面積，所以當(dāng)需要提高電流水平或改善散熱性能時(shí)，易于從舊器件轉(zhuǎn)向使用新器件。?

?

IRF6721S、IRF6722S與IRF6722M極低的Qg和Qgd，使這些器件非常適用于控制MOSFET。它們還有SQ、ST和MP占位面積可供選擇，可以使設(shè)計(jì)更具靈活性。?

?

產(chǎn)品規(guī)格?

?

產(chǎn)品詳細(xì)信息可以登錄IR 網(wǎng)站查詢(xún)：http://www.irf.com/whats-new/nr080522.html。?

?

新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制規(guī)定 (RoHS)，并已接受批量訂單。?

?

IR簡(jiǎn)介?

?

國(guó)際整流器公司 (簡(jiǎn)稱(chēng)IR，紐約證交所代號(hào)IRF) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR的模擬及混合信號(hào)集成電路、先進(jìn)電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)高性能運(yùn)算設(shè)備及降低電機(jī)的能耗 (電機(jī)是全球最大耗能設(shè)備) ，是眾多國(guó)際知名廠商開(kāi)發(fā)下一代計(jì)算機(jī)、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車(chē)、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國(guó)防系統(tǒng)的電源管理基準(zhǔn)。?

?

IR成立于1947年，總部設(shè)在美國(guó)洛杉磯，在二十個(gè)國(guó)家設(shè)有辦事處。IR全球網(wǎng)站：www.irf.com，亞洲網(wǎng)站：www.irf-asia.com ，中國(guó)網(wǎng)站：www.irf.com.cn。?

?