DC-60 GHz硅基垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)仿真設(shè)計 | |
所屬分類:技術(shù)論文 | |
上傳者:aetmagazine | |
文檔大小:747 K | |
標(biāo)簽: 三維集成 硅轉(zhuǎn)接板堆疊 垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu) | |
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文檔介紹:設(shè)計了一種基于多層硅轉(zhuǎn)接板堆疊的垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu),對DC-60 GHz頻段內(nèi)不考慮和考慮硅表面SiO2層的兩種層間結(jié)構(gòu)的垂直互聯(lián)仿真結(jié)果進行對比,證明了硅表面SiO2層存在會對諧振頻率及阻抗等射頻性能產(chǎn)生影響;對后者垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)進行參數(shù)優(yōu)化,射頻傳輸性能較好,頻率40 GHz以下時回波損耗S11小于-30 dB,60 GHz以下整體S11小于-15 dB,插入損耗S12在50 GHz以下大于-0.32 dB;研究了硅表面SiO2絕緣層厚度變化對射頻信號傳輸性能的影響,結(jié)果表明適當(dāng)增加其厚度有助于垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)性能優(yōu)化。 | |
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