TSV可靠性綜述
所屬分類：技術論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>724 K
標簽： TSV KOZ 熱應力
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文檔介紹：對硅通孔(Through Silicon Via，TSV)技術的可靠性進行了綜述，主要分為三個方面：熱應力，工藝和壓阻效應。TSV熱應力可靠性問題體現(xiàn)在不同材料之間的熱膨脹系數(shù)差異較大，過大的熱應力可能導致界面分層和裂紋;TSV工藝可靠性體現(xiàn)在側壁的連續(xù)性以及填充銅的質量;有源區(qū)中載流子的遷移率會受到TSV熱應力的影響。在TSV周圍規(guī)定一個保持區(qū)域(Keep-Out Zone，KOZ)。KOZ設置為載流子遷移率不超過5%的區(qū)域。當載流子遷移率超過5%，可能會導致電路的時序被破壞，使集成電路失效。
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