12 V電源平面對(duì)DDR4信號(hào)的影響
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>768 K
標(biāo)簽： DDR4 遠(yuǎn)端參考平面 仿真分析
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文檔介紹：隨著互聯(lián)網(wǎng)的高速發(fā)展，5G時(shí)代已經(jīng)到來，數(shù)據(jù)的傳輸速率越來越高，對(duì)服務(wù)器板卡的研發(fā)是個(gè)新一輪的挑戰(zhàn)。內(nèi)存的發(fā)展從DDR3到現(xiàn)在已經(jīng)廣泛使用的DDR4，其工作電壓已降為1.2 V，而DDR4信號(hào)的上升沿及下降沿低至百皮秒量級(jí)。為確保數(shù)據(jù)的傳輸速率以及傳輸?shù)臏?zhǔn)確性，DDR4傳輸線上的串?dāng)_不容忽視。以服務(wù)器項(xiàng)目中PCB主板的DDR4傳輸線為研究對(duì)象，首先設(shè)計(jì)不同的主板疊層模型，利用不同的疊層結(jié)構(gòu)來控制DDR4所在信號(hào)層的遠(yuǎn)端參考層，然后通過調(diào)用Sigrity工具仿真和實(shí)際測(cè)試分析不同疊層模型下的測(cè)試結(jié)果。結(jié)果顯示，遠(yuǎn)端參考12 V電源平面會(huì)對(duì)DDR4信號(hào)造成超過幾十毫伏量級(jí)的串?dāng)_，而12 V電源層與信號(hào)層之間加入地層屏蔽后，串?dāng)_電壓顯著減小。
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