適合光伏寬電壓的新型單級(jí)升降壓逆變器

提出一種適合寬輸入電壓的單級(jí)升降壓逆變器拓?fù)洌趩渭?jí)功率變換中實(shí)現(xiàn)逆變與升壓功能，適用于光伏逆變場(chǎng)合。采用高頻功率開(kāi)關(guān)器件構(gòu)成虛擬變壓器替代傳統(tǒng)工頻升壓變壓器，并實(shí)現(xiàn)變比連續(xù)可調(diào)，使得逆變系統(tǒng)的體積重量減小，降低成本。本文分析了該逆變器降壓與升壓的兩種工作模式，給出了其調(diào)制策略的具體實(shí)現(xiàn)方案，并進(jìn)行了仿真和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。

發(fā)表于：5/14/2013

簡(jiǎn)述升壓電路原理

自舉電路也叫升壓電路，利用自舉升壓二極管,自舉升壓電容等電子元件，自舉電路包括：輸出晶體管、設(shè)置在輸出晶體管的柵極和源極之間的自舉電容器、電源以及執(zhí)行從電源到晶體管的柵極的供電接通/ 斷開(kāi)控制的電路。獨(dú)立于晶體管的閾值電壓，將自舉效應(yīng)之前的初始電壓設(shè)為電源的電勢(shì)。因此，取決于晶體管的閾值電壓的變化不會(huì)影響由于自舉效應(yīng)引起的晶體管的源極輸出的上升或下降。

發(fā)表于：5/14/2013

三相超快恢復(fù)二極管FRED整流橋開(kāi)關(guān)模塊

采用混合集成技術(shù)，把由六個(gè)超快恢復(fù)二極管(FRED)芯片組成的三相整流橋和一個(gè)作為開(kāi)關(guān)的晶閘管(SCR)芯片混合集成在一個(gè)PPS外殼內(nèi)，制成了“三相FRED整流橋開(kāi)關(guān)模塊”，它主要用于調(diào)壓調(diào)頻(VVVF)變頻器、大功率開(kāi)關(guān)電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)、高頻逆變焊機(jī)、高頻感應(yīng)加熱電源、伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)放大器等具有直流環(huán)節(jié)的變頻裝置內(nèi)。簡(jiǎn)要地介紹了這種模塊的設(shè)計(jì)和制作特點(diǎn)，內(nèi)部結(jié)構(gòu)和部件作用，應(yīng)用領(lǐng)域及其主要技術(shù)參數(shù)。

發(fā)表于：5/14/2013

淺敘ESD保護(hù)二極管的效果

手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器和PDA等手持設(shè)備的設(shè)計(jì)工程師，正不斷地面臨著在降低整個(gè)系統(tǒng)成本的同時(shí)、又要以更小的體積提供更多功能的挑戰(zhàn)。集成電路設(shè)計(jì)工程師通過(guò)在減少硅片空間大小的同時(shí)提高設(shè)備的速度和性能，以此來(lái)推動(dòng)這一趨勢(shì)。

發(fā)表于：5/14/2013

論述如何降低肖特基PIN限幅器損耗

　無(wú)線通信接收器前端可能會(huì)因同步或異步信號(hào)傳輸形成過(guò)載[1]，在時(shí)域雙工系統(tǒng)中，交換器或循環(huán)器連接端口間的非完美隔離會(huì)造成前者，后者則由兩個(gè)未相關(guān)系統(tǒng)天線間造成的非故意耦合產(chǎn)生，在核磁共振(NMR, Nuclear Magnetic Resonance)接收器中，另一個(gè)造成過(guò)載的原因?yàn)榘l(fā)出刺激脈沖后探針線圈上儲(chǔ)存能量所帶來(lái)的振鈴信號(hào)[2]，縮小低噪聲放大器(LNA, Low Noise Amplifier)器件尺寸的作法雖然可以改善射頻性能，但卻會(huì)犧牲過(guò)載的承受能力.

發(fā)表于：5/14/2013

基于雪崩性能選擇肖特基二極管

汽車電子模塊要求采取反向電池保護(hù)措施，以避免不良電池操作可能導(dǎo)致的損壞風(fēng)險(xiǎn)。肖特基二極管是這種應(yīng)用的首選器件，因?yàn)樗鼈兙哂泻艿偷那跋驂航敌阅堋?/a>

基于光伏并網(wǎng)系統(tǒng)DC/DC全橋軟開(kāi)關(guān)變換器研究

　目前并網(wǎng)逆變器市場(chǎng)上大多采用工頻隔離型并網(wǎng)逆變器，由于工頻變壓器會(huì)使系統(tǒng)效率變低、體積大、成本高等缺點(diǎn)，近年來(lái)，高頻隔離型并網(wǎng)逆變器也逐漸成為研究熱點(diǎn);但是逆變器的高頻化會(huì)帶來(lái)高電磁干擾(EMI)和高開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)考慮到光伏并網(wǎng)系統(tǒng)作為大功率系統(tǒng)的應(yīng)用，因此移相全橋軟開(kāi)關(guān)變換器(FB-ZVZCS)很適用于光伏并網(wǎng)中的DC/DC環(huán)節(jié)。

發(fā)表于：5/14/2013

IGBT使用和設(shè)計(jì)新方法

IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復(fù)合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù)，將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個(gè)芯片中。該器件具有開(kāi)關(guān)頻率高、輸入阻抗較大、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、低飽和電壓及大電流等特性，被作為功率器件廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、電力電子系統(tǒng)等領(lǐng)域(例如：伺服電機(jī)的調(diào)速、變頻電源)。為使我們?cè)O(shè)計(jì)的系統(tǒng)能夠更安全、更可靠的工作，對(duì)IGBT的保護(hù)顯得尤為重要。

發(fā)表于：5/14/2013

基于雜散電感對(duì)高效IGBT4逆變器設(shè)計(jì)的影響

IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。與目前逆變器設(shè)計(jì)應(yīng)用功率或各自額定電流水平相關(guān)的開(kāi)關(guān)速度和軟度要求是推動(dòng)這些不同型號(hào)器件優(yōu)化的主要?jiǎng)恿Α＿@些型號(hào)包括具備快速開(kāi)關(guān)特性的T4芯片、具備軟開(kāi)關(guān)特性的P4芯片和開(kāi)關(guān)速度介于T4和P4之間的E4芯片。

發(fā)表于：5/14/2013

太陽(yáng)能充電LED池板電路

厭倦了總是花手電筒電池的錢只是他們失敗，當(dāng)你需要他們嗎?試試這個(gè)簡(jiǎn)單的電路了。它會(huì)成為一個(gè)優(yōu)秀的科學(xué)公正的項(xiàng)目。白光LED是非常光明的，他們提供足夠的光線，照亮一晚上的小房間。LED產(chǎn)生一個(gè)很好的聚焦光束。你可以閱讀此設(shè)備。紅色，橙色，黃色和綠色的LED燈的顏色頻譜拓寬產(chǎn)生一個(gè)性能稍微溫暖的色溫。

發(fā)表于：5/13/2013