頭條 英飛凌與羅姆攜手推進SiC功率器件封裝兼容性 【2025年9月25日，德國慕尼黑與日本京都訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以下簡稱“英飛凌”）今日宣布，與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封裝合作機制簽署了備忘錄。 最新資訊 可控硅-晶閘管的幾種典型應(yīng)用 晶閘管，又稱可控硅(單向SCR、雙向BCR)是一種4層的(PNPN)三端器件。在電子技術(shù)和工業(yè)控制中，被派作整流和電子開關(guān)等用場。在這里，筆者介紹它們的基本特性和幾種典型應(yīng)用電路。 發(fā)表于：5/21/2013 淺談大電流電力電子變流設(shè)備水冷卻的附加損耗 本文淺析了大電流電力電子變流設(shè)備的常用冷卻方法，對水冷卻所使用的水質(zhì)及水回路電阻進行了分析，進而得出既就是采用純水冷卻，其絕緣電阻也是有限的，使用中也要浪費電能造成附加損耗，對高電壓大電流電力電子變流設(shè)備應(yīng)增加水冷卻管路的有效長度，只有這樣才能減小因水質(zhì)原因造成的能量。 發(fā)表于：5/21/2013 安森美半導(dǎo)體榮獲華碩“2012最佳合作伙伴獎” 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)宣布榮獲全球最大筆記本電腦、平板電腦及主板制造商之一的華碩電腦(ASUS)頒發(fā)“2012最佳合作伙伴獎”。這是安森美半導(dǎo)體憑借一流的技術(shù)、品質(zhì)及客戶服務(wù)，第二度獲華碩頒發(fā)此獎。 發(fā)表于：5/21/2013 歐洲項目推動功率微電子未來 LAST POWER 項目組公布了為期三年由歐盟資助的功率半導(dǎo)體項目開發(fā)成果。以研發(fā)高成本效益且高可靠性的功率電子技術(shù)為目標(biāo)，涉及工業(yè)、汽車、消費電子、再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和電信應(yīng)用。項目開發(fā)成果讓歐洲擠身于世界高能效功率芯片研究商用的最前沿。 發(fā)表于：5/21/2013 光伏產(chǎn)業(yè)重稅之下 產(chǎn)能退出加速 自2012年底，美國對華光伏產(chǎn)品“雙反”終裁落地之后，歐盟就對中國光伏產(chǎn)品啟動了“雙反”調(diào)查。而近日有關(guān)歐盟擬對中國光伏產(chǎn)品征收37.2%~67.9%懲罰性關(guān)稅的消息，又在中國光伏業(yè)界投下了一記重磅炸彈。此前，據(jù)外媒報道，兩位歐盟官員聲稱歐盟委員會同意向進口自中國的太陽能板征收懲罰性關(guān)稅，該關(guān)稅將于6月6日起生效，稅率平均為47%。 發(fā)表于：5/20/2013 微電網(wǎng)醞釀新商機 功率/通訊元件需求引爆 微電網(wǎng)系銜接主電網(wǎng)與再生能源系統(tǒng)的關(guān)鍵角色，有助改善整體電網(wǎng)的配用電效益，近來在歐美、日本等先進國家迅速崛起。由于微電網(wǎng)須具備即時監(jiān)控、雙向功率控制、區(qū)域用電預(yù)測與協(xié)調(diào)等功能，因而將帶動通訊模組、高速開關(guān)及隔離功率元件導(dǎo)入需求。 發(fā)表于：5/20/2013 試論如何保護驅(qū)動器與可再生能源系統(tǒng)中的IGBT IGBT目前被廣泛應(yīng)用在馬達或可再生能源系統(tǒng)中的電源轉(zhuǎn)換器上，雖然有多種不同技術(shù)可以用于IGBT驅(qū)動，但柵極驅(qū)動光耦合器由于提供了電氣隔離與共模抑制能力，因此成為最佳成本效益的選擇。為了強化這類高電壓且快速切換應(yīng)用的可靠度與安全性，整合型柵極驅(qū)動光耦合器與隔離放大器可以使IGBT的保護更精簡、成本更低并且更加容易實現(xiàn)。 發(fā)表于：5/20/2013 IGBT模塊用低熱阻陶瓷覆銅板的制作研究 IGBT模塊用低熱阻陶瓷覆銅板(Direct Bonded Copper簡稱DBC)是在高溫(>1000℃)、流動(N2+O2)氣氛下將厚度0.15mm～0.3mm的銅箔與厚度0.25 mm或0.38mm的Al2O3陶瓷基片直接單面或雙面鍵合而成的復(fù)合材料。它具有優(yōu)良的熱導(dǎo)性，高的電絕緣強度，超級的熱循環(huán)穩(wěn)定性，穩(wěn)定的機械性能和優(yōu)異的可焊性。它的熱膨脹系數(shù)與硅很接近，因而可把硅芯片直接焊在DBC陶瓷覆銅板上，從而減掉了過渡層鉬片。 發(fā)表于：5/20/2013 應(yīng)用于IGBT和MOSFET可再生能源的35V、單通道柵極驅(qū)動器 對電能轉(zhuǎn)換而言，可再生能源電子細分市場是一個復(fù)雜且多樣化的競技場。在一些負載點應(yīng)用中，開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式，功率水平相當(dāng)?shù)?<200 W)，并且常常會把電源從一個DC電壓轉(zhuǎn)換到另一個，例如：12V轉(zhuǎn)換為3.3V。另外，功率級開關(guān)為集成式，也即能夠通過低電流控制器或者晶體管驅(qū)動。今天，控制器和功率級之間的整合正在成為現(xiàn)實。硅(Si)MOSFET在這一市場中起主導(dǎo)作用，因為人們喜歡更高的開關(guān)頻率，它可以達到1MHz以上的速度。這些功率開關(guān)通常均由一個5V或者12V IC柵極驅(qū)動器或類似解決方案來驅(qū)動。 發(fā)表于：5/20/2013 開發(fā)定制功率模塊解決方案：哪些是必須要考慮的 在過去的幾年中，由于最終應(yīng)用中節(jié)約成本和提高效率的嚴(yán)格功率設(shè)計約束，使得功率模塊市場的需求迅速變化。研發(fā)工程師正尋求創(chuàng)新的解決方案，這些解決方案中高集成度和最新的芯片技術(shù)是設(shè)計階段的驅(qū)動因素 發(fā)表于：5/19/2013 ?…884885886887888889890891892893…?
