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全球首款主動(dòng)安全AI電芯量產(chǎn)

全球首款主動(dòng)安全AI電芯量產(chǎn)

7 月 27 日消息，7 月 23 日，德賽電池主動(dòng)安全電芯?系統(tǒng)量產(chǎn)全球發(fā)布會(huì)在湖南長(zhǎng)沙召開(kāi)，此次發(fā)布會(huì)推出主動(dòng)安全 AI 電芯和主動(dòng)安全儲(chǔ)能系統(tǒng)解決方案。據(jù)悉，這也是全球首款主動(dòng)安全 AI 電芯量產(chǎn)。

多用途穩(wěn)壓集成電路測(cè)試儀的設(shè)計(jì)原理

多用途穩(wěn)壓集成電路測(cè)試儀的設(shè)計(jì)原理。

發(fā)表于：5/23/2013

一種具有變漂移區(qū)寬度的新型SOI橫向高壓器件

本文提出了一種具有變漂移區(qū)寬度結(jié)構(gòu)的新型的 SOI 橫向高壓器件，該結(jié)構(gòu)通過(guò)漂移區(qū)內(nèi)的側(cè)壁氧化層改變漂移區(qū)的寬度。借助三維器件仿真軟件 davinci 對(duì)其耐壓特性進(jìn)行了深入分析。結(jié)果表明，變漂移區(qū)寬度結(jié)構(gòu)不但可以使擊穿電壓提高 31.5%，而且可以使漂移區(qū)摻雜濃度提高 83%。從而降低漂移區(qū)電阻。同時(shí)，變漂移區(qū)的側(cè)壁氧化層可以通過(guò)介質(zhì)隔離技術(shù)得到，無(wú)需多余的掩膜版。因此具有工藝簡(jiǎn)單，工藝成本低等優(yōu)點(diǎn)。

發(fā)表于：5/23/2013

一種改善永磁直驅(qū)風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)直流側(cè)電壓控制的方法

隨著電網(wǎng)接入的風(fēng)機(jī)容量越來(lái)越大，電網(wǎng)對(duì)風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)提出了嚴(yán)格的要求，其中包括低電壓穿越的要求。而對(duì)于永磁直驅(qū)風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)，在電網(wǎng)電壓跌落時(shí)，直流側(cè)電壓的控制是其實(shí)現(xiàn)低電壓穿越的關(guān)鍵。本文在基于機(jī)側(cè)變流器穩(wěn)定直流側(cè)電壓，網(wǎng)側(cè)變流器控制最大輸出功率的控制結(jié)構(gòu)上，通過(guò)在機(jī)側(cè)控制中引入網(wǎng)側(cè)功率前饋，改善對(duì)直流側(cè)電壓的控制。在系統(tǒng)簡(jiǎn)化數(shù)學(xué)模型的基礎(chǔ)上，對(duì)直流側(cè)電壓在風(fēng)速波動(dòng)和電網(wǎng)電壓跌落時(shí)的響應(yīng)進(jìn)行了小信號(hào)分析，分析表明直流側(cè)電壓會(huì)存在較大波動(dòng)，引入網(wǎng)側(cè)功率前饋能夠明顯改善直流側(cè)電壓的響應(yīng)。通過(guò)仿真驗(yàn)證了所提方法的有效性，結(jié)果表明網(wǎng)側(cè)功率前饋能夠抑制直流側(cè)電壓在風(fēng)速變化時(shí)的波動(dòng)和電網(wǎng)電壓跌落時(shí)的上升。

發(fā)表于：5/23/2013

解決驅(qū)動(dòng)單元設(shè)計(jì)中的電磁兼容問(wèn)題方案

電磁干擾一般通過(guò)空間輻射和通過(guò)導(dǎo)線傳導(dǎo)，在工程領(lǐng)域一直是人們要解決的難題和研究熱點(diǎn)。驅(qū)動(dòng)單元作為大功率模塊，其中的放大電路、開(kāi)關(guān)電路和逆變電路等主電路可能對(duì)電磁環(huán)境存在干擾，所以在驅(qū)動(dòng)單元設(shè)計(jì)中就必須完善解決電磁兼容問(wèn)題。

發(fā)表于：5/23/2013

基于ATmega16單片機(jī)的電能收集充電器設(shè)計(jì)

本文以離網(wǎng)型風(fēng)力發(fā)電裝置為研究對(duì)象，選擇了以Atmel公司生產(chǎn)的ATmega16單片機(jī)為核心，采用MC34063開(kāi)關(guān)型電源芯片作為主要變能器件，根據(jù)風(fēng)機(jī)產(chǎn)生的輸入電壓，通過(guò)單片機(jī)產(chǎn)生合適的控制信號(hào)，控制DC-DC變換器工作，實(shí)現(xiàn)對(duì)蓄電池的有效充電。該研究對(duì)實(shí)際應(yīng)用具有一定的參考價(jià)值。

發(fā)表于：5/23/2013

基于TMS320F2812的高頻鏈逆變器控制系統(tǒng)

采用全橋雙向電流源高頻鏈逆變器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，并對(duì)此逆變系統(tǒng)進(jìn)行了研究和設(shè)計(jì)。該逆變器以TI公司生產(chǎn)的TMS320F2812芯片為控制核心，詳細(xì)介紹了DSP外圍調(diào)理電路的硬件設(shè)計(jì)方案及軟件實(shí)現(xiàn)方式，在采用電壓瞬時(shí)值反饋的單閉環(huán)控制方式的基礎(chǔ)上使逆變器實(shí)現(xiàn)了能量的雙向流通。整個(gè)電路的控制由一片TMS320F2812芯片完成，實(shí)現(xiàn)了電源的全數(shù)字化控制。最后制作了容量為250 VA的實(shí)驗(yàn)樣機(jī)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了該逆變器及其控制方式的可行性和有效性。

發(fā)表于：5/23/2013

基于高性能隔離式電源設(shè)計(jì)方案

對(duì)于高效率地將配電總線電壓轉(zhuǎn)換成隔離式低電壓，預(yù)制的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和模塊提供了一種簡(jiǎn)單但相對(duì)昂貴的解決方案。不過(guò)，現(xiàn)成有售的設(shè)計(jì)可能無(wú)法提供全部所需功能，因此在很多應(yīng)用中，需要定制設(shè)計(jì)。利用分立式 PWM控制器開(kāi)發(fā)自己的解決方案，成本低廉得多，而且能靈活地滿足各種苛刻的要求，例如特殊的外形尺寸或非標(biāo)準(zhǔn)輸入及輸出電壓等。

發(fā)表于：5/23/2013

靜止同步補(bǔ)償器直接電流控制策略與仿真

分析靜止式同步補(bǔ)償器(STATCOM)的工作原理，運(yùn)用三角載波直接電流控制策略對(duì)諧波和無(wú)功同時(shí)補(bǔ)償。利用Matlab 搭建STATCOM 仿真模型，通過(guò)對(duì)模型的仿真結(jié)果分析，驗(yàn)證該控制方法的可行性和有效性，同時(shí)也驗(yàn)證了STATCOM對(duì)無(wú)功和諧波實(shí)時(shí)跟蹤效果良好，能夠達(dá)到精確、快速、穩(wěn)定的補(bǔ)償效果。

發(fā)表于：5/23/2013

IGBT的選型要求、設(shè)計(jì)理念及在風(fēng)能中的應(yīng)用

要做高功率設(shè)計(jì)，需要選擇合適的IGBT，并在此基礎(chǔ)上合理設(shè)計(jì)和應(yīng)用IGBT。本文從介紹IGBT選型的四大基本要求及三大設(shè)計(jì)理念入手，再輔以IGBT在風(fēng)能中的應(yīng)用案例，旨在幫助工程師正確選擇合適的IGBT，并合理設(shè)計(jì)和應(yīng)用IGBT，從而實(shí)現(xiàn)高功率密度的設(shè)計(jì)。

發(fā)表于：5/23/2013

安森美半導(dǎo)體推出領(lǐng)先業(yè)界的最佳系統(tǒng)級(jí)性能的IGBT，擴(kuò)充產(chǎn)品陣容

推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)持續(xù)擴(kuò)充高性能絕緣門雙極晶體管(IGBT)產(chǎn)品陣容，應(yīng)用于消費(fèi)類電器及工業(yè)應(yīng)用的高性能電源轉(zhuǎn)換(HPPC)。安森美半導(dǎo)體新的第二代場(chǎng)截止型(FSII) IGBT器件改善開(kāi)關(guān)特性，降低損耗達(dá)30%，因而提供更高能效，并轉(zhuǎn)化為更低的外殼溫度，為設(shè)計(jì)人員增強(qiáng)系統(tǒng)總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對(duì)目標(biāo)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，相比現(xiàn)有器件能降低外殼溫度達(dá)20%。

發(fā)表于：5/23/2013