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英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

【2025年9月25日，德國(guó)慕尼黑與日本京都訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（總部位于德國(guó)諾伊比貝格，以下簡(jiǎn)稱“英飛凌”）今日宣布，與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。

Vishay的新款FRED Pt® 超快恢復(fù)整流器減少消費(fèi)類產(chǎn)品和電子鎮(zhèn)流器照明中的開(kāi)關(guān)損耗

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出10款可焊的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast快恢復(fù)整流器，其中包括業(yè)界首款采用SMA封裝的3A器件，采用SMB封裝的3A和4A器件，以及采用SMC封裝的4A和5A器件。新款整流器將極快恢復(fù)和軟恢復(fù)特性，以及低正向壓降和低泄漏電流等特性集于一身，可降低消費(fèi)類產(chǎn)品、液晶電視機(jī)、電源和電子鎮(zhèn)流器照明中的開(kāi)關(guān)損耗。

發(fā)表于：6/7/2013

基于飛兆FSD器件的開(kāi)關(guān)電源

飛兆半導(dǎo)體FSD系列綠色元件實(shí)現(xiàn)的反激式開(kāi)關(guān)電源具有電路簡(jiǎn)單、外圍元件少、總體積小、效率及可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。給出了變壓器及RCD電路的設(shè)計(jì)分析，最后根據(jù)示波器測(cè)試結(jié)果對(duì)電路的性能進(jìn)行了驗(yàn)證。

發(fā)表于：6/7/2013

周期供電101：降低高級(jí)傳感器產(chǎn)品的功耗

像傾斜傳感器ADIS16209（見(jiàn)附錄）這樣的傳感器系統(tǒng)具有集成度高、規(guī)格全面的特點(diǎn)，采用緊湊型封裝，并且價(jià)格合理，使系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員能夠輕松運(yùn)用自己可能并不熟悉的傳感器技術(shù)，從而將成本和風(fēng)險(xiǎn)降至最低。由于精度是完全按給定的功率電平確定，因而似乎會(huì)約束開(kāi)發(fā)人員降低功耗的能力。但是，對(duì)于必須嚴(yán)格管理能量使用的應(yīng)用，采用周期供電的方式為降低平均功耗提供了突破口。本文將重點(diǎn)討論周期供電及其對(duì)總體功耗的影響。

發(fā)表于：6/6/2013

Vishay的新款FRED Pt® 超快恢復(fù)整流器減少消費(fèi)類產(chǎn)品和電子鎮(zhèn)流器照明中的開(kāi)關(guān)損耗

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出10款可焊的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast快恢復(fù)整流器，其中包括業(yè)界首款采用SMA封裝的3A器件，采用SMB封裝的3A和4A器件，以及采用SMC封裝的4A和5A器件。新款整流器將極快恢復(fù)和軟恢復(fù)特性，以及低正向壓降和低泄漏電流等特性集于一身，可降低消費(fèi)類產(chǎn)品、液晶電視機(jī)、電源和電子鎮(zhèn)流器照明中的開(kāi)關(guān)損耗。

發(fā)表于：6/6/2013

新的LGA封裝MOSFET幫助將空間受限的智能手機(jī)及平板電腦應(yīng)用的能效及電池使用時(shí)間提升至極致

推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN) 推出兩款新的MOSFET器件，用于智能手機(jī)及平板電腦應(yīng)用，作為鋰離子電池充電/放電保護(hù)電路開(kāi)關(guān)的關(guān)鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設(shè)計(jì)人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時(shí)間延至最長(zhǎng)。

發(fā)表于：6/6/2013

噪聲僅為 25µVRMS、具可編程電流限制和診斷信息功能的 45V 500mA LDO

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高電壓、低噪聲、低壓差線性穩(wěn)壓器 LT3055，可提供精準(zhǔn)、可編程電流限制和診斷功能。

發(fā)表于：6/5/2013

IR推出采用SOT-23-5L封裝的IRS44273L緊湊型低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)IC

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出采用SOT-23-5L高精密封裝的IRS44273L低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)IC，能夠有效提供高驅(qū)動(dòng)能力。

發(fā)表于：6/5/2013

飛兆半導(dǎo)體技術(shù)專家在PCIM亞洲2013年功率電子論壇中提出創(chuàng)新解決方案

飛兆半導(dǎo)體公司（紐約證券交易所代號(hào)： FCS)，高性能功率和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，將與行業(yè)和學(xué)術(shù)界專家齊聚一堂，參加2013年6月18-20日于上海國(guó)際會(huì)展中心舉辦的功率轉(zhuǎn)換、智能運(yùn)動(dòng)(PCIM)中國(guó)會(huì)議，并演示有關(guān)功率電子的最新發(fā)展和未來(lái)趨勢(shì)的論文。

發(fā)表于：6/5/2013

飛兆半導(dǎo)體的 100V BOOSTPAK 解決方案提高了可靠性，降低了 LED 應(yīng)用中的系統(tǒng)成本

飛兆半導(dǎo)體公司（紐約證券交易所代號(hào)： FCS）是高性能功率半導(dǎo)體和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，通過(guò)引入 100 V BoostPak 設(shè)備系列優(yōu)化 MOSFET 和二極管選擇過(guò)程，將 MOSFET 和二極管集成在一個(gè)封裝內(nèi)，代替 LED 電視 / 顯示器背光、LED 照明和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中目前使用的分立式解決方案。

發(fā)表于：6/5/2013

Vishay大幅擴(kuò)充 E系列650V N溝道功率MOSFET家族

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝，將10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到30mΩ～600mΩ，將最高電流等級(jí)擴(kuò)大為6A～105A。650V E系列MOSFET基于下一代Vishay Siliconix超級(jí)結(jié)技術(shù)，針對(duì)可再生能源、工業(yè)、照明、電信、消費(fèi)和計(jì)算市場(chǎng)中對(duì)輸入電壓安全裕量有額外要求的應(yīng)用，Vishay Siliconix拓展了器件的峰值性能指標(biāo)。

發(fā)表于：6/5/2013