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英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

【2025年9月25日，德國慕尼黑與日本京都訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以下簡稱“英飛凌”）今日宣布，與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。

恩智浦Gen8+ LDMOS RF功率晶體管推動(dòng)TD-LTE通訊變革

恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達(dá)克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關(guān)注TD-LTE的無線基站第八代LDMOS產(chǎn)品線的擴(kuò)展產(chǎn)品。隨著中國開始鋪設(shè)全球最大4G網(wǎng)絡(luò)，Gen8+的推出將鞏固恩智浦TD-LTE產(chǎn)品組合（目前最完善的TD-LTE LDMOS產(chǎn)品組合）的地位，并且顯著提升性能、靈活性和經(jīng)濟(jì)性。BLC8G27LS-160AV是即將發(fā)布的第一款Gen8+器件，這全球最小也最經(jīng)濟(jì)的解決方案，用于有源天線戶外基站(2.6 GHz)的15 W和20 W功率放大器。該設(shè)備可同時(shí)支持多達(dá)5個(gè)TD-LTE載波，并提供覆蓋全波段（2.5至2.7 GHz）的高效率。

發(fā)表于：6/21/2013

開關(guān)電源的小信號(hào)建模與非線性優(yōu)化

對(duì)傳統(tǒng)開關(guān)電源的輸入電流中含有大量的諧波電流，給電網(wǎng)帶來嚴(yán)重的威脅，嚴(yán)重影響電網(wǎng)，本文通過給電壓環(huán)和電流環(huán)進(jìn)行補(bǔ)償，并采用電流注入法建立數(shù)學(xué)模型，最后通過仿真和實(shí)驗(yàn)兩個(gè)方面共同驗(yàn)證了建立模型的實(shí)用性，取得了很好的結(jié)果。

發(fā)表于：6/21/2013

開關(guān)電源中開關(guān)管及二極管 EMI抑制方法分析研究

隨著電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,開關(guān)電源向高頻化、高效化方向迅猛發(fā)展，EMI抑制已成為開關(guān)電源設(shè)計(jì)的重要指標(biāo)。本文結(jié)合開關(guān)電源中開關(guān)管及二極管EMI產(chǎn)生機(jī)理，列舉出：并接吸收電路、串接可飽和磁芯線圈、傳統(tǒng)準(zhǔn)諧振技術(shù)、LLC串聯(lián)諧振技術(shù)四種抑制EMI的方法，并對(duì)其抑制效果進(jìn)行比較分析。

發(fā)表于：6/21/2013

電源紋波的產(chǎn)生、測量和抑制

電源紋波是電源檢測的重要指標(biāo)，紋波電壓對(duì)電子電路會(huì)產(chǎn)生影響，在設(shè)計(jì)電子產(chǎn)品時(shí)我們都要考慮紋波的影響。本文從實(shí)踐中歸納了電源紋波測量和抑制方法等內(nèi)容。

發(fā)表于：6/21/2013

基于精密整流電路的無橋PFC的研究

本文研究了無橋Boost PFC電路，由于省略了整流橋，效率比傳統(tǒng)的Boost PFC高，但是由于其電感的特殊位置，給電感電流信號(hào)檢測帶來了困難，本文提出了一種基于精密整流電路的新型電流檢測，并研制了一臺(tái)300W的原理樣機(jī)，通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證理論分析的正確性。

發(fā)表于：6/21/2013

EMC 的預(yù)測試技術(shù)是保證產(chǎn)品質(zhì)量不可少的手段

本文主要對(duì)EMC預(yù)測試技術(shù)特征與新型測試設(shè)備及其測試應(yīng)用實(shí)例作分析說明。

發(fā)表于：6/21/2013

通信樞紐機(jī)房電力系統(tǒng)諧波治理與價(jià)值分析

本文分析了通信樞紐機(jī)房電力系統(tǒng)中諧波的主要產(chǎn)生原因和危害，給出了利用有源濾波器進(jìn)行電力諧波治理的實(shí)際效果。有源濾波器不僅可以治理諧波電流，還可以就近補(bǔ)償被治理設(shè)備的功率因數(shù)，具有很好的節(jié)能效果。

發(fā)表于：6/21/2013

用于未來軌道牽引電路的雙SiC MOSFET 模塊的特性檢測

硅IGBT 已經(jīng)廣泛用于軌道牽引變頻器，不久的將來，碳化硅(SiC) 技術(shù)將在3 個(gè)方向上進(jìn)一步擴(kuò)展開關(guān)器件的極限：更高的阻斷電壓、更高的工作溫度和更高的開關(guān)速度。如今，第一批SiC MOSFET 模塊已經(jīng)有效的投向市場，并且很有希望。雖然目前在阻斷電壓方面仍有待提高，但這些寬禁帶器件將大大改善牽引電路的效率，尤其是在開關(guān)損耗上預(yù)期會(huì)有顯著的降低，從而導(dǎo)致功率- 重量比的大幅改善。

發(fā)表于：6/21/2013

了解電源之原理及結(jié)構(gòu)

“電源(PSU)”其實(shí)是“電源供應(yīng)器(Power Supply Unit)”的簡稱。而經(jīng)常提到的“PC電源”，實(shí)際上也是一種簡稱，如果嚴(yán)格上講，應(yīng)該將“PC電源”稱之為“應(yīng)用于PC主機(jī)上的開關(guān)電源供應(yīng)器”，當(dāng)然這樣的稱呼實(shí)在是太麻煩了，因此在以下的段落中，將使用其最簡短的稱呼“電源”。

發(fā)表于：6/21/2013

德州儀器推出新一代 LED 驅(qū)動(dòng)器，為儀表板應(yīng)用實(shí)現(xiàn)業(yè)界最高額定電壓

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的新一代汽車 LED 驅(qū)動(dòng)器，其豐富的特性支持業(yè)界最高額定電壓、熱關(guān)斷保護(hù)以及優(yōu)化的電磁兼容性 (EMC) 性能。在惡劣的汽車環(huán)境中，電子設(shè)備必須承受高溫、高電壓瞬態(tài)以及電磁干擾。承受這種惡劣條件并降低電磁輻射，對(duì)這些設(shè)備來說非常重要。

發(fā)表于：6/21/2013