1 引言
隨著電子設(shè)備功能的增加，輸入∕輸出連接器也隨之增多，這為靜電放電" title="靜電放電" target="_blank">靜電放電（ESD）提供了進(jìn)入電路的路徑，靜電放電保護(hù)問(wèn)題變得不容忽視。因此，有必要采用靜電放電保護(hù)元件，在靜電放電進(jìn)入電路板之前有效抑制靜電放電事件的發(fā)生。目前，用于抑制靜電放電的保護(hù)元件，主要是片式氧化鋅壓敏電阻器，具有抑制過(guò)電壓、吸收浪涌能量、抑制浪涌噪聲、穩(wěn)定高頻線路等優(yōu)勢(shì)。通過(guò)嚴(yán)格的IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的靜電放電試驗(yàn)時(shí)的4 級(jí)水平，即接觸放電8kV 和空氣放電15kV 的要求，可以達(dá)到優(yōu)良的靜電保護(hù)效果。

2 靜電的產(chǎn)生和放電
2.1 靜電的產(chǎn)生
物體的靜電帶電又稱靜電起電。它是由于處于不同帶電序列位置的物質(zhì)之間接觸分離（摩擦）、使物體上正負(fù)電荷失去平衡而發(fā)生的帶電現(xiàn)象。在大多數(shù)情況下，靜電起電與放電是同時(shí)發(fā)生的，而且靜電起電——放電是一個(gè)隨機(jī)的動(dòng)態(tài)過(guò)程，在這過(guò)程中，不僅有靜電能量的傳導(dǎo)輸出，而且有電磁脈沖場(chǎng)的輻射。
（1）兩種介電常數(shù)不同的物質(zhì)摩擦?xí)r，正負(fù)極性的電荷分別積累在兩個(gè)物體上面，而形成正負(fù)電荷。當(dāng)兩個(gè)物體接觸時(shí)，其中的一個(gè)將從另一個(gè)吸取電子，因而兩者形成不同的電位。
（2）摩擦起電是一個(gè)機(jī)械過(guò)程，依靠相對(duì)表面移動(dòng)傳送電量。傳送的電量取決于接觸的次數(shù)，表面粗糙度、濕度、接觸壓力、摩擦物質(zhì)的摩擦特性以及相對(duì)運(yùn)動(dòng)速度。
（3）靜電只存在于物體表面，而非物體內(nèi)部，絕緣體中的電荷只保持在產(chǎn)生靜電的那些區(qū)域，而不會(huì)出現(xiàn)在整個(gè)表面。因此，絕緣體接地后不會(huì)失去這些電荷。與絕緣體相反，導(dǎo)體接地后便會(huì)失去自身電荷。
（4）如果將導(dǎo)體瞬間接地（例如，該物體被站立在地上的人接觸），那么遠(yuǎn)離帶電體表面的電荷就會(huì)釋放，導(dǎo)體將帶正電荷。

2.2 靜電放電
靜電放電（Electio Static Discharge， ESD）具有不同靜電電位的物體相互靠近或直接接觸引起的電荷轉(zhuǎn)移。不同物質(zhì)的接觸、分離或相互摩擦，即可產(chǎn)生靜電。兩個(gè)帶上電荷的物體也就成了靜電源。靜電源跟其他物體接觸時(shí)，依據(jù)電荷中和的原則，存在著電荷流動(dòng)，傳送足夠的電量以抵消電壓。這個(gè)高速電量的傳送過(guò)程中，將產(chǎn)生潛在的破壞電壓、電流以及電磁場(chǎng)，嚴(yán)重時(shí)將其中物體擊毀，這就是靜電放電。表1 列出日?；顒?dòng)產(chǎn)生的靜電電壓，表2 列出人體（C=200pF）日?；顒?dòng)中所產(chǎn)生的靜電量。

2.3 靜電的特點(diǎn)
（1）高電位，最高可達(dá)數(shù)104V 以至數(shù)105V。

（2）低電量，毫微庫(kù)侖（10-9C）級(jí)別。
（3）作用時(shí)間短，多為μs（10-6s）級(jí)。

3 靜電的危害
3.1 靜電敏感度
靜電敏感度（Electrostatic Discharge Sensitive, ESDS）是一種描述產(chǎn)品受ESD 損害的敏感程度。對(duì)靜電放電敏感的元器件稱為ESD 敏感器件。裝配有ESDS 的電路板也對(duì)ESD 敏感，稱為ESD 敏感組件。操作ESD 敏感器件和ESD 敏感組件的時(shí)候，必須注意ESD 保護(hù)。

（1）通常無(wú)源器件對(duì)ESD 不夠敏感，如：電阻器、電感器、電容器等。
（2）有源器件對(duì)ESD 較為敏感，稱為靜電敏感器件（StaticSensitivity Device, SSD），是一種易受ESD 損壞的靜電敏感元器件，如IC、晶體管、LED 等。

3.2 ESD 對(duì)電子產(chǎn)品的危害
3.2.1 電子產(chǎn)品危害的分類
（1）災(zāi)難性損壞（Catastrophic Failure）這種破壞可能使設(shè)備不能正常工作，或使某些節(jié)點(diǎn)擊穿等，一般能很容易檢測(cè)出來(lái)。ESD 損壞電子產(chǎn)品最小電壓力為20V。災(zāi)難性破壞發(fā)生幾機(jī)率占ESD 損壞率的10%。
（2）潛在性損傷（Latent Defect）這種破壞一般表現(xiàn)為靜電能量較小，不足以使設(shè)備立即失效，僅僅表現(xiàn)為工作不穩(wěn)定，或者干脆就沒(méi)有外在的特異表現(xiàn)，但是這種破壞卻最危險(xiǎn)，輕則縮短設(shè)備的使用壽命，重則對(duì)以后的系統(tǒng)甚至人身產(chǎn)生危害；同時(shí)，因?yàn)閱?wèn)題表現(xiàn)不明顯，所以給檢測(cè)帶來(lái)困難；更糟糕的是，維修人員一般把這種問(wèn)題歸咎為材料不良或者設(shè)計(jì)缺陷等其他原因，從而對(duì)問(wèn)題的解決抱有僥幸心理，直到災(zāi)難發(fā)生。潛在性損傷發(fā)生機(jī)率占ESD 損壞率的90%。

3.2.2 靜電使電子產(chǎn)品損壞的特點(diǎn)
（1）隱蔽性
人體帶電是電子產(chǎn)品靜電損傷的主因，但因?yàn)槿梭w不能直接感知靜電，除非發(fā)生靜電放電。人體也不一定能有電擊的感覺(jué)，這是因?yàn)槿梭w感知的靜電放電電壓為2kV ～ 3kV，小于3kV 的人體靜電，對(duì)人而言幾乎無(wú)法感知。所以靜電具有隱蔽性。
（2）潛在性
有些電子元器件受到靜電損傷后的性能沒(méi)有明顯的下降，并不馬上失效，但多次積累放電會(huì)給器件造成內(nèi)傷而形成隱患。因此，靜電對(duì)器件的損傷具有潛在性。
（3）隨機(jī)性

只要電壓超過(guò)或接近靜電感應(yīng)電壓閾值，就可能對(duì)電子元器件造成損壞；靜電的產(chǎn)生和放電都是瞬間發(fā)生的，很難預(yù)測(cè)和防護(hù)；在生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)均可能發(fā)生。
（4）復(fù)雜性
電子產(chǎn)品有精、細(xì)、小的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，而失效分析相當(dāng)復(fù)雜。如有些靜電損傷現(xiàn)象難以與其它原因造成的損傷加以區(qū)別，要求較高的技術(shù)并往往需要使用掃描電鏡等高精密儀器。

4 ESD 損壞模型
靜電放電主要損壞模式分為3 類：人體模型（HBM），機(jī)器模型（MM）和帶電器件模型（CDM）。

4.1 人體模型（Human Body Model, HBM）
人員未接地帶電接觸產(chǎn)品，造成產(chǎn)品損壞。人體在地上走動(dòng)摩擦或其它因素在人體上已積累了靜電，
當(dāng)此人去碰撞到器件（IC）時(shí)，人體上的靜電便會(huì)經(jīng)由器件（IC）的插腳（pin）進(jìn)入器件內(nèi)，若器件有一端接地而形成放電路徑時(shí)，便會(huì)經(jīng)接地插腳放電到地，如圖1 所示。

此放電過(guò)程會(huì)在短短數(shù)百mμs（ns）的時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生數(shù)A的瞬間放電電流，進(jìn)而將器件的電路燒毀。

圖2 示出HBM 等效電路圖， 其中人體的等效電容為100pF，人體的等效放電電阻為1.5kΩ。圖3 示出HBM 靜電
電壓相對(duì)產(chǎn)生瞬間放電電流與時(shí)間的關(guān)系。

對(duì)于一般元件可耐受的HBM 2kV 來(lái)說(shuō)，在2ns ～ 10ns的時(shí)間內(nèi)，瞬間放電電流峰值可達(dá)1.33A。
表3 列出人體模型下的敏感度分級(jí)。

4.2 機(jī)器模型（Machine Model, MM）
機(jī)器帶電接觸產(chǎn)品，放置在未接地的工裝、儀器、設(shè)備上時(shí)造成產(chǎn)品損壞。敏感器件在組裝過(guò)程中，會(huì)涉及許多金屬夾具、部件，當(dāng)帶上靜電并靠近器件時(shí)，會(huì)發(fā)生金屬夾具、部件與器件之間的插腳（pin）快速放電。機(jī)器模型表現(xiàn)出來(lái)的特征為低壓大電流，會(huì)直接燒壞組件本身，如圖4 所示。

因?yàn)闄C(jī)器是金屬，其等效電阻為0Ω，機(jī)器設(shè)備的電容遠(yuǎn)大于人體的電容，其等效電容為200pF。由于機(jī)器放電模式的等效電阻為0，故其放電過(guò)程更短，在幾ns~ 幾10ns 之間會(huì)有數(shù)A 的瞬間放電電流產(chǎn)生。

圖5 示出MM 等效電路圖。圖6 示出MM 靜電電壓相對(duì)產(chǎn)生的瞬間放電電流和時(shí)間的關(guān)系。表4 列出機(jī)器模型下的敏感度分級(jí)。

4.3 帶電器件模型（Charged Dovice Model, CDM）
物體接觸帶靜電的產(chǎn)品，造成產(chǎn)品損壞。
器件（IC）因摩擦或其它因素而在內(nèi)部積累了靜電，在靜電積累的過(guò)程中器件（IC）并未被損傷。此帶有靜電的器件（IC）在處理過(guò)程中，當(dāng)其任一插腳（pin）去碰撞到接地導(dǎo)體時(shí)，其內(nèi)部的靜電便會(huì)經(jīng)由插腳（pin）流出，造成放電現(xiàn)象，如圖7 所示。

此種模型的放電時(shí)間更短，僅約幾個(gè)mμs，且因?yàn)槠骷?nèi)部積累的靜電會(huì)因?qū)Φ氐牡刃щ娙葜刀?，而等效電容值又和器件擺放的角度與位置以及器件所用的包裝型式有關(guān)，所以放電現(xiàn)象更難真實(shí)模擬。圖8 示出CDM 等效電路圖。圖9 示出CDM 靜電電壓相對(duì)產(chǎn)生的瞬間放電電流與時(shí)間的關(guān)系。表5 列出帶電器件模型下的敏感度分級(jí)。

4.4 3 種放電模型比較
表6 列出了3 種放電模型參數(shù)比較。

3 種靜電模型的電路形式：HBM 為脈沖衰減電路，MM和CDM 為周期震蕩衰減電路。3 種模型的典型峰值電流：
HBM 為1.3A（2000V），MM 為3.8A（200V），CDM 為15A（1000V）。
3 種模型中，最常見(jiàn)也是最被重視的模型是人體模型（HBM），這種模型是模擬人體帶電（正電或負(fù)電）并接觸
電子設(shè)備時(shí)，人身上的電荷向設(shè)備轉(zhuǎn)移的情況。

4.5 人體對(duì)靜電的感覺(jué)
（1）當(dāng)人們穿著化纖織物時(shí)，人體運(yùn)動(dòng)的充電電流約10-7A~10-6A，總的充電電荷約（0.1~5）×10-6C，人體對(duì)地的電容約為150pF~250pF，若以電荷3×10-6C 計(jì)，則充電電壓可達(dá)5kV~25kV。
（2）人體的靜電放電模型可用電阻和電容的串聯(lián)來(lái)模擬，設(shè)人體電阻R=500Ω，人體電容C=300pF，人體帶靜電電壓U=10kV，則靜電所含能量為：W=1 ∕ 2 CU2=15mJ。
（3）盡管靜電電壓高達(dá)10kV，能量級(jí)15mJ，對(duì)人體沒(méi)傷害。但是當(dāng)人手去觸摸設(shè)備的金屬部分時(shí)會(huì)產(chǎn)生火花放電，瞬間的脈沖峰值很高，很可能對(duì)電子電路產(chǎn)生干擾和破壞，放電電流峰值為：Ip ≈ U ∕ R=20A；放電時(shí)間很短，可近似為：Td ≈ RC=150ns，這對(duì)于MOS 電路來(lái)說(shuō)，則將受到致命的沖擊。表7 列出人體帶電的電擊程度的關(guān)系。表8 列出半導(dǎo)體器件的ESD 失效電壓。

5 靜電放電控制方法
5.1 濕度
同樣條件下，濕度越高，產(chǎn)生的靜電將會(huì)越低，由于濕敏元件需要，所以通常濕度控制在30%-70% 之間。所以，有效的控制濕度可以抑制靜電大量產(chǎn)生，以降低靜電放電破壞的風(fēng)險(xiǎn)。表9 列出靜電放電與濕度的關(guān)系。

5.2 接地
(1) 人
a) 將人體通過(guò)手腕帶及插孔接地。
b) 通過(guò)ESD 鞋與ESD 地面導(dǎo)通。
c) 通過(guò)ESD 椅子進(jìn)行接地。
(2) 設(shè)備和儀器
a) 機(jī)器及設(shè)備直接進(jìn)行硬接地。
b) ESD 部件進(jìn)行軟接地。
(3) 工作臺(tái)表面
使用ESD 臺(tái)墊和接地線進(jìn)行軟接地。
(4) 金屬物體
直接進(jìn)行硬接地。
a) 硬接地
指使用接地線對(duì)導(dǎo)體材料進(jìn)行接地，對(duì)地電阻應(yīng)小于1Ω。
b) 軟接地
指用較高阻抗物體進(jìn)行的接地，對(duì)地電阻應(yīng)小于1×109Ω。

5.3 屏蔽
(1) 生產(chǎn)過(guò)程
a) 人：穿防靜電服、手套、帽子，直接對(duì)人體進(jìn)行屏蔽保護(hù)接地。
b) 設(shè)備：機(jī)器及設(shè)備金屬外殼屏蔽內(nèi)部帶電物。
c) 絕緣材料：絕緣材料和工具等物體使用ESD 薄膜或法拉第罩，隔絕內(nèi)部或外部的靜電電場(chǎng)。

(2) 產(chǎn)品包裝
防靜電包裝材料的種類：
a) 電磁屏蔽材料
該材料作為包裝時(shí)形成會(huì)產(chǎn)生法拉第的靜電屏蔽效應(yīng)，可防止外部靜電場(chǎng)穿透屏蔽容器和包裝袋，表面電阻為小于1×103Ω 的材料。
b) 抗靜電材料
能抑制摩擦生電的材料，摩擦電壓小于200V 的材料。
c) 靜電消散性材料
① 具備一定的導(dǎo)電率，以便靜電荷被耗散掉，但導(dǎo)電率不可大到產(chǎn)生危害的程度。
② 表面電阻1×104 Ω~1×1011Ω 的材料。

5.4 中和（消除）
離子風(fēng)機(jī)可以消除絕緣物體上產(chǎn)生的大量靜電荷。其作用是產(chǎn)生大量正負(fù)離子，中和目標(biāo)物體上的電荷。

6 靜電放電波形
國(guó)際電工委員會(huì)(IEC) 在標(biāo)準(zhǔn)IEC 61000-4-2 中規(guī)定了靜電測(cè)試等級(jí)、試驗(yàn)發(fā)生器和靜電放電波形。中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 17626.2-1998 電磁兼容、試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)、靜電放電抗擾度試驗(yàn)，等同采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)
IEC 61000-4-2。

6.1 試驗(yàn)等級(jí)
表10 列出IEC 61000-4-2 規(guī)定的靜電測(cè)試等級(jí)。

“*”是未定的等級(jí)，該等級(jí)必須在專用設(shè)備的規(guī)范中加以規(guī)定，如果規(guī)定了高于表格中的電壓，則可能需要專門的試驗(yàn)設(shè)備。

⑴ 接觸放電方法
試驗(yàn)發(fā)生器的電極保持與受試設(shè)備的接觸，并由發(fā)生器內(nèi)的放電開(kāi)關(guān)激勵(lì)放電的一種試驗(yàn)方法。

⑵ 空氣放電方法
將試驗(yàn)發(fā)生器的充電電極靠近受試設(shè)備，并由火花對(duì)受試設(shè)備激勵(lì)放電的一種試驗(yàn)方法。表10 給出了靜電放電試驗(yàn)時(shí)，試驗(yàn)等級(jí)的優(yōu)先選擇范圍。接觸放電是優(yōu)先選擇的試驗(yàn)方法，空氣放電則用在不能使用接觸放電的設(shè)備中。每種試驗(yàn)方法的電壓列于表10 中，由于試驗(yàn)方法的差別，每種方法所示的電壓是不同的。兩種試驗(yàn)方法的嚴(yán)酷程度并不表示是相等的。

表10 之所以規(guī)定不同的放電等級(jí)，是考慮在不同的靜電放電情況，比如在半導(dǎo)體或IC 的保護(hù)中，2kV 的放電標(biāo)準(zhǔn)是經(jīng)常被引用的。在實(shí)際的IC 設(shè)計(jì)中，其靜電放電保護(hù)的方法之一，就是IC 內(nèi)自己做了保護(hù)。一般是1kV 或者2kV 的靜電保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)，但是這樣會(huì)占用寶貴的IC 空間，所以就有了第二種靜電保護(hù)方法，即芯片外保護(hù)。芯片外保護(hù)的另一個(gè)重要原因，是實(shí)際的靜電等級(jí)遠(yuǎn)大于2kV，而且在一些汽車標(biāo)準(zhǔn)中，有時(shí)還可能達(dá)到25kV 的靜電放電等級(jí)。

6.2 靜電放電實(shí)驗(yàn)發(fā)生器
圖10 示出靜電放電發(fā)生器簡(jiǎn)圖。

圖10 中符號(hào)的含義：Rc—充電電阻，Cs—儲(chǔ)能電容器，Rd—放電電阻。
圖10 中省略的分布電容Cd，是存在于發(fā)生器與受試設(shè)備、接地參考平面以及耦合板之間的分布電容。由于此電容分布在整個(gè)發(fā)生器上，因此，在該回路中不可能標(biāo)明。

6.3 靜電放電波形
圖11 示出靜電放電發(fā)生器輸出電流的典型波形。

表11 列出靜電放電波形參數(shù)，放電的電流波形必需滿足
圖11 的要求。

通過(guò)分析靜電波形可以發(fā)現(xiàn)：
（1）靜電一般發(fā)生的時(shí)間特別短（在0.7ns ~ 1ns 之間）；
（2）雖然靜電的總體能量不大，但是瞬間電壓的峰值特別大，有時(shí)可達(dá)1kV 甚至幾十kV。

7 靜電放電的保護(hù)
7.1 靜電放電的保護(hù)原則
靜電放電的保護(hù)應(yīng)從靜電的產(chǎn)生、靜電的積累、靜電的釋放、靜電釋放路徑的選擇、以及釋放靜電量的控制等全方位考慮。但是，因?yàn)殪o電破壞的復(fù)雜性，至今還沒(méi)有一個(gè)很好的方法去完全解決靜電問(wèn)題。

在靜電放電保護(hù)的過(guò)程中，只要遵循一個(gè)原則：即靜電的積累必然有靜電的釋放，所以我們只要給靜電選好放電的路徑和放電的去處（即放電地），就能很好地釋放靜電。事實(shí)上，靜電放電保護(hù)最常用的方法，是在被保護(hù)設(shè)備的兩端并聯(lián)一個(gè)過(guò)電壓保護(hù)器件，以使靜電超過(guò)某個(gè)安全閾值時(shí)使保護(hù)器件擊穿，從而把過(guò)電流釋放到安全地。表12 列出ESD 保護(hù)方法比較。

7.2 片式壓敏電阻的性能特點(diǎn)
片式壓敏電阻器的保護(hù)機(jī)理為隧道效應(yīng)、熱耗散和電荷轉(zhuǎn)移。

（1）尺寸體積小
現(xiàn)在已經(jīng)有0402(1.0mm×0.5mm)、0201(0.6mm×0.3mm)的產(chǎn)品，日本已開(kāi)發(fā)出0.4mm×0.2mm 的新產(chǎn)品，適合表面安裝。
（2）響應(yīng)速度快
極快的反應(yīng)時(shí)間，脈沖電流的響應(yīng)時(shí)間小于0.5ns。
（3）通流容量大
疊層技術(shù)的器件，數(shù)百萬(wàn)氧化鋅p-n 結(jié)及晶粒串并聯(lián)，吸收及傳導(dǎo)能量，具有很強(qiáng)的通流能力。
（4）電容量的選擇范圍大。
（5）良好的限制電壓特性由于片式壓敏電阻采用多層結(jié)構(gòu)，限制電壓小、保護(hù)性能好。
（6）較好的溫度特性使用溫度范圍廣，汽車總線系統(tǒng)最高工作溫度150℃。
（7）易實(shí)現(xiàn)低壓化
較低的觸發(fā)動(dòng)作電壓，其最小保護(hù)不動(dòng)作電壓已經(jīng)達(dá)到3V 的量級(jí)。
（8）靜電放電ESD 吸收能力
達(dá)到甚至超過(guò)IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的靜電放電試驗(yàn)時(shí)的接觸放電和空氣放電4 級(jí)水平（即接觸放電8kV 和空氣放電15kV 的ESD 吸收能力）的要求。
（9）具有雙向?qū)üδ?br /> 因?yàn)樗查g的電壓可能是正電壓，也可能是負(fù)電壓。

7.3 IC 耐受ESD 過(guò)電壓保護(hù)
ESD 浪涌是半導(dǎo)體元件失效的主要原因，占總失效模式的60%。片式壓敏電阻能有效地保護(hù)電子元器件免受ESD 的損傷。
圖12 示出IC 耐受ESD 過(guò)電壓保護(hù)電路圖。

ESD 對(duì)IC 的影響因素分析如下。

7.3.1 IC 兩端的脈沖電壓
通過(guò)壓敏電阻將ESD 過(guò)電壓抑制到100V 以下，遠(yuǎn)低于2kV。

7.3.2 通過(guò)IC 的脈沖電流
（1）調(diào)整線路布線結(jié)構(gòu)，減小通過(guò)IC 的脈沖電流回路面積，增大回路阻抗。
（2）通過(guò)型號(hào)選擇，降低壓敏電阻瞬態(tài)內(nèi)阻。要使IC 不受ESD 脈沖電流影響，壓敏電阻瞬態(tài)內(nèi)阻盡可能達(dá)到：
a）當(dāng)線路中出現(xiàn)8kV ESD 時(shí)，Rv ＜ R/3；
b）當(dāng)線路中出現(xiàn)15kV ESD 時(shí)，為了保險(xiǎn)起見(jiàn)，選壓敏
電阻時(shí)，其瞬態(tài)電阻Rv 應(yīng)小于R/5。
（3）與IC 串聯(lián)磁珠或電阻，增加其回路電阻。

7.4 高頻信號(hào)傳輸線路中ESD 保護(hù)
隨著線路數(shù)據(jù)傳輸速度的不斷提高，保護(hù)抑制器電容帶來(lái)的影響，成為靜電放電保護(hù)設(shè)計(jì)中不容忽視的問(wèn)題。合理的參數(shù)選擇對(duì)保證信號(hào)的穩(wěn)定性和完整性十分重要。對(duì)于低頻電路，大的保護(hù)抑制器電容是有益的，因?yàn)樗梢詾V去高頻干擾而使低頻信號(hào)順利通過(guò)。而對(duì)于高頻電路則完全相反，大的保護(hù)抑制器電容會(huì)導(dǎo)致信號(hào)惡化，降低電路對(duì)信號(hào)的識(shí)別能力。在通用串行總線標(biāo)準(zhǔn)USB 2.0 所支持的最高傳輸率為480 Mbps 的數(shù)據(jù)傳輸線中，加入電容量?jī)H為10pF 的ESD 保護(hù)抑制器，就足以使其信號(hào)的上升和下降時(shí)間增加140%，從而限制了它們的線路應(yīng)用。

在高速信號(hào)線，如果是USB2.0 接口和IEEE1394 中，它們的電容量分量可使波形衰退，從而限制了它們的線路應(yīng)用。

因此，高頻信號(hào)傳輸線路中的ESD 保護(hù)器必須具有足夠小的電容量，以保證傳輸數(shù)據(jù)的連續(xù)和完整，這必然要求片式壓敏電阻向低電容化的方向發(fā)展。

目前，片式壓敏電阻的標(biāo)準(zhǔn)電容值為數(shù)十pF 到幾千pF不等，可適用于從普通的音頻、視頻信號(hào)到符合USB1.1 標(biāo)準(zhǔn)，即數(shù)據(jù)傳輸率最高為12Mbps 的電子線路。可以考慮在原料中添加Sb2O3 以降低材料表觀電容率和在片式壓敏電阻內(nèi)部設(shè)計(jì)制作串聯(lián)微間隙，來(lái)降低片式壓敏電阻的電容量。

電容量小于3pF 的多層片式壓敏電阻器、符合IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的靜電放電試驗(yàn)時(shí)的接觸放電和空氣放電4 級(jí)水平的要求，可以用在USB2.0 接口和IEEE1394 中。隨著設(shè)備頻率的增加，ESD 保護(hù)器元件還需要進(jìn)一步降低其電容量。

7.5 片式壓敏電阻器參數(shù)選取
（1）最大直流工作電壓Udc
壓敏電阻器的最大直流工作電壓Udc 必須大于信號(hào)線的直流工作電壓Un，即Udc ≥ Un。
（2）電容Cp
適合不同頻率信號(hào)，對(duì)于高頻傳輸信號(hào)，電容Cp 應(yīng)小些，反之亦些。
（3）瞬態(tài)電阻匹配
壓敏電阻瞬態(tài)電阻Rv 與被保護(hù)元器件及IC 線路等效內(nèi)阻R（R ≥ 2Ω）匹配關(guān)系：Rv ≤ 1/5R。對(duì)于內(nèi)阻較小的被保護(hù)元器件，在不影響信號(hào)傳輸速率的情況下，盡量采用大電容壓敏電阻。
（4）空間位置
因地制宜，選取合適尺寸的壓敏電阻。
（5）放置位置
接近過(guò)電壓及ESD 源，即離接口部位越近越好。
（6）接地設(shè)計(jì)
良好的接地，盡可能大的接地面積。
表13 列出了推薦電容選擇。

8 結(jié)束語(yǔ)
靜電放電保護(hù)，包括ESD 浪涌抑制靜電過(guò)電壓、吸收浪涌能量、抑制浪涌噪聲、高頻信號(hào)傳輸線路信號(hào)的穩(wěn)定性。片式氧化鋅壓敏電阻器具有快速反應(yīng)速度，與反應(yīng)后的低導(dǎo)通阻抗，唯有如此才能提供低箝制電壓來(lái)保護(hù)系統(tǒng)的正常運(yùn)行。通過(guò)嚴(yán)格的IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的靜電放電試驗(yàn)時(shí)的4 級(jí)水平要求，即接觸放電8kV 和空氣放電15kV 的ESD 吸收能力，可以達(dá)到優(yōu)良的靜電放電保護(hù)效果。