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“網(wǎng)絡安全”再次成為眾多兩會代表提案的關(guān)鍵詞

“網(wǎng)絡安全”再次成為眾多兩會代表提案的關(guān)鍵詞

今年的兩會已落下帷幕，“沒有網(wǎng)絡安全就沒有國家安全”，“網(wǎng)絡安全”再次成為眾多代表委員提案和議案中的關(guān)鍵詞。隨著網(wǎng)絡的飛速發(fā)展，網(wǎng)絡信息安全問題已對國家、社會及個人造成巨大威脅。下面就一起看看對于解決所面臨的網(wǎng)絡安全問題，代表委員們都有哪些好的建議。

美商務部已發(fā)函要求臺積電暫停7nm及以下制程AI芯片出口大陸

據(jù)路透社援引知情人士的話報道稱，美國已要求臺積電于今年11月11日起，暫停出貨采用7nm以下制程、用于人工智能（AI）應用的部分先進芯片給中國大陸客戶。知情人士指出，美國商務部已致函臺積電，要求其對某些出貨中國大陸的7nm以下制程先進芯片，實施出口管制。這些芯片主要用于AI加速器和繪圖處理器（GPU）。

發(fā)表于：2024/11/11

智現(xiàn)未來亮相國家工業(yè)軟件大會

11月8日-10日，2024國家工業(yè)軟件大會在上海松江富悅大酒店舉辦，大會以“Al for Engineering·工業(yè)軟件賦能新型工業(yè)化”為主題，匯聚了眾多院士、高校和科研院所的校長、院長等學術(shù)精英以及優(yōu)秀企業(yè)、行業(yè)專家與會，圍繞我國工業(yè)智能領(lǐng)域戰(zhàn)略布局、技術(shù)創(chuàng)新應用、產(chǎn)業(yè)融合發(fā)展等行業(yè)熱點進行深入交流。

發(fā)表于：2024/11/11

2024法中商業(yè)氣候論壇圓滿落幕

2024年11月5日，由法國駐華大使館、法國商務投資署、中國法國工商會聯(lián)合主辦的“法中商業(yè)氣候論壇”于上海順利召開。

發(fā)表于：2024/11/11

三星第一代3nm GAA制程良率僅60%

盡管三星的自研處理器Exynos 2500已兩次出現(xiàn)在測試軟件Geekbench上，但它不太可能會用于2025年即將推出的Galaxy S25或Galaxy S25 Plus智慧型手機上。這可能是因為三星在用于制造智能手機處理器的第二代3nm GAA制程技術(shù)3GAP仍有良率問題。 11月8日消息，據(jù)韓國媒體Sisa Journal報道，三星第二代3nm GAA制程良率目前僅有20%，進一步印證了之前其他媒體的類似報道。盡管三星表示正在努力提高3GAP制程技術(shù)的良率，但并沒有取得太多成果。不過，Sisa Journal報導的20%數(shù)字有可能是基于舊數(shù)據(jù)。但即便如此，三星第二代3nm GAA制程技目前可能仍不足以進行大規(guī)模生產(chǎn)。

發(fā)表于：2024/11/11

2025年成MicroLED量產(chǎn)元年

日前，深天馬A、京東方A、友達光電等多家頭部面板廠商MicroLED相關(guān)產(chǎn)線即將于2025年量產(chǎn)，MicroLED技術(shù)的大規(guī)模商用或已在不遠處?！拔覀冋J為，在大屏的玻璃基MicroLED已經(jīng)商轉(zhuǎn)之后，下一個應用，應該會聚焦在車用顯示上?！盩rendForce集邦科技資深研究副總經(jīng)理邱宇彬向記者表示。擁有高亮度、廣色域、高可靠性的MicroLED技術(shù)一直被視作“下一代顯示技術(shù)”，但由于此前蘋果手表暫停MicroLED技術(shù)研發(fā)，有部分觀點對MicroLED技術(shù)的未來表示迷茫。分析人士認為，由于MicroLED自身優(yōu)越的性能，其在多領(lǐng)域的應用存在不可替代性。

發(fā)表于：2024/11/11

京東方宣布全球首條6英寸Micro LED量產(chǎn)線投產(chǎn)

11月8日消息，今日，京東方華燦光電官方宣布，全球首條6英寸Micro LED量產(chǎn)產(chǎn)線在珠海正式投產(chǎn)。據(jù)了解，日前，京東方華燦Micro LED晶圓制造和封裝測試基地項目投產(chǎn)儀式在珠海金灣區(qū)舉行。該項目是全球首個實現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)的Micro LED生產(chǎn)線，也是全球首條6英寸Micro LED生產(chǎn)線。

發(fā)表于：2024/11/11

ITC終裁確認英諾賽科客戶不受英諾賽科與EPC專利糾紛影響

11月8日消息，致力于創(chuàng)建基于高性能、低成本、硅基氮化鎵（GaN-on-Si）電源解決方案的全球能源生態(tài)系統(tǒng)的企業(yè)英諾賽科今天宣布，美國國際貿(mào)易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）2024年11月7日發(fā)布的337調(diào)查終裁決定證實，英諾賽科的客戶將其產(chǎn)品進口到美國的合法性不受英諾賽科和宜普電源轉(zhuǎn)換公司（Efficient power Conversion Corporation，EPC）之間正在進行的專利糾紛的影響。英諾賽科成立于 2015 年，目前已經(jīng)成為全球最大的氮化鎵半導體器件IDM（全產(chǎn)業(yè)鏈模式）制造商，集成并簡化了包括設(shè)計、制造、封裝、電路應用和銷售在內(nèi)的所有流程，持續(xù)引領(lǐng)氮化鎵技術(shù)前沿。我們開發(fā)出的產(chǎn)品覆蓋從低壓30V到高壓700V的全電壓等級范圍。英諾賽科擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓制造能力，這能夠顯著降低我們的生產(chǎn)成本。

發(fā)表于：2024/11/11

美國國際貿(mào)易委員會終裁確認英諾賽科侵權(quán)

宜普電源轉(zhuǎn)換公司勝訴，美國國際貿(mào)易委員會終裁確認英諾賽科侵權(quán)

發(fā)表于：2024/11/11

中國臺灣經(jīng)濟部：目前禁止臺積電在海外生產(chǎn)2nm芯片

中國臺灣經(jīng)濟部：目前禁止臺積電在海外生產(chǎn)2nm芯片 11月11日消息，據(jù)臺北時報報道，中國臺灣省經(jīng)濟部長郭智輝近日在臺北舉行的立法機構(gòu)經(jīng)濟委員會會議上公開表示，臺灣的科技保護規(guī)則使得臺積電目前無法在海外生產(chǎn)2nm芯片，因此該公司必須將其最前沿的技術(shù)留在中國臺灣。報道稱，在美國前總統(tǒng)唐納德·特朗普于上周二再次當選下一任美國總統(tǒng)后，外界傳出消息稱，臺積電可能被迫提前在其位于美國亞利桑那州的晶圓廠生產(chǎn)最先進的2nm芯片。郭智輝發(fā)表上述言論正是為了回應外界對此事的擔憂。

發(fā)表于：2024/11/11

DDR4內(nèi)存正逐漸被放棄

11月10日消息，據(jù)媒體報道，隨著技術(shù)的進步和市場需求的變化，DDR4內(nèi)存正逐漸被存儲巨頭放棄。在近日的財報電話會議上，存儲巨頭三星和SK海力士都強調(diào)了接下來會將重點轉(zhuǎn)移到高利潤的高端產(chǎn)品上。同時可能會減少DRAM和NAND閃存的產(chǎn)量，特別是傳統(tǒng)類型的產(chǎn)品。其中SK海力士計劃逐步降低DDR4的生產(chǎn)比重，今年第3季度DDR4的生產(chǎn)比重已從第2季度的40%降至30%，第4季度更計劃進一步降至20%。

發(fā)表于：2024/11/11