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“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多兩會代表提案的關(guān)鍵詞

“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多兩會代表提案的關(guān)鍵詞

今年的兩會已落下帷幕，“沒有網(wǎng)絡(luò)安全就沒有國家安全”，“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多代表委員提案和議案中的關(guān)鍵詞。隨著網(wǎng)絡(luò)的飛速發(fā)展，網(wǎng)絡(luò)信息安全問題已對國家、社會及個人造成巨大威脅。下面就一起看看對于解決所面臨的網(wǎng)絡(luò)安全問題，代表委員們都有哪些好的建議。

英偉達28%營收來自新加坡但實際商品交付僅1%

2月19日消息，據(jù)彭博社報道，在今年1月底美國展開對于DeepSeek 是否通過新加坡的中介違規(guī)獲得對華禁售的英偉達（Nvidia） AI GPU的調(diào)查之后，新加坡貿(mào)易和工業(yè)部第二部長 Tan See Land 近日發(fā)布聲明稱，英偉達在新加坡的所有銷售額中只有約1%產(chǎn)品真正進入了該國。

發(fā)表于：2/20/2025

龍芯新一代8核桌面處理器3B6600上半年流片

2月17日，龍芯中科披露的投資者關(guān)系活動記錄表顯示，該公司正在研制下一代桌面芯片3B6600。根據(jù)此前官方公開的資料，龍芯3B6600將繼續(xù)使用成熟工藝，架構(gòu)內(nèi)核升級為全新的LA864，共有八個核心，同頻性能相比LA664架構(gòu)的龍芯3A6000大幅提升30%左右，躋身世界領(lǐng)先行列。龍芯3B6600的主頻預(yù)計仍然是2.5GHz，但是通過單核睿頻技術(shù)，一般可以再提升20%，將有望達到3.0GHz。

發(fā)表于：2/20/2025

SEMI：2024年全球半導(dǎo)體硅片營收115億美元

2月19日消息，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）統(tǒng)計，2024年全球半導(dǎo)體硅晶圓（半導(dǎo)體硅片）出貨量達1.2266億平方英寸（million square inch，MSI），同比下滑減2.7%，整體銷售額達115億美元，同比減少6.5%，創(chuàng)4年來新低。

發(fā)表于：2/20/2025

Omdia：是無線接入網(wǎng)RAN市場衰退期結(jié)束

2月19日晚間消息，Omdia最新研究結(jié)果顯示，華為仍是無線接入網(wǎng)（RAN）領(lǐng)域的第一名，該市場去年價值約350億美元。 2023年，華為擁有全球RAN市場31.3%的份額。去年，由于“更有利的地區(qū)組合以及新興市場的市場份額增加”，這一比例有所增長，Omdia的首席分析師雷米·帕斯卡（Remy Pascal）表示。

發(fā)表于：2/20/2025

大聯(lián)大品佳集團推出基于達發(fā)科技（Airoha）產(chǎn)品的LE Audio耳機方案

　　2025年2月19日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳推出基于達發(fā)科技（Airoha）AB1571D、AB1571AM和AB1565AM產(chǎn)品的LE Audio耳機方案。

發(fā)表于：2/19/2025

第 4 代碳化硅技術(shù)：重新定義高功率應(yīng)用的性能和耐久性

　　本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計的第 4 代碳化硅（SiC） MOSFET 技術(shù)?；谠谔蓟鑴?chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新定義行業(yè)基準(zhǔn)。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設(shè)計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開關(guān)應(yīng)用的全面性能設(shè)定了基準(zhǔn)。

發(fā)表于：2/19/2025

瑞薩推出RA4L1 MCU，超低功耗、集成電容式觸控、段碼LCD和強大安全功能

　　2025 年 2 月 19 日，中國北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出RA4L1微控制器（MCU）產(chǎn)品群，包含14款集成超低功耗、先進安全功能和段碼LCD支持的全新產(chǎn)品?；谥С諸rustZone的80MHz Arm Cortex-M33處理器，新款MCU在性能、功能和節(jié)能方面達到了行業(yè)先進水平，為水表、智能鎖、物聯(lián)網(wǎng)傳感器應(yīng)用等領(lǐng)域的設(shè)計人員提供更加卓越的解決方案選擇。

發(fā)表于：2/19/2025

新款R&S SMW200A 和R&S SMM100A 矢量信號發(fā)生器的EVM 性能顯著提升

?　　羅德與施瓦茨（以下簡稱“R&S”）升級了業(yè)界領(lǐng)先的R&S SMW200A矢量信號發(fā)生器及其同系列中端產(chǎn)品R&S SMM100A。升級后的R&S SMW200A在誤差矢量幅度（EVM）性能方面有了大幅提升，成為5G NR FR3 研發(fā)測試和高要求射頻應(yīng)用（如功放測試）的理想之選。該儀器還添加了射頻線性化軟件新選件，通過數(shù)字預(yù)失真來優(yōu)化高輸出功率下的EVM。同時，R&S SMM100A也進行了升級，提升了 EVM性能。

發(fā)表于：2/19/2025

CGD 獲得3,200萬美元融資，以推動在全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的增長

氮化鎵（GaN）功率器件的領(lǐng)先創(chuàng)新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200萬美元的C輪融資。

發(fā)表于：2/19/2025

三星目標(biāo)2028年推出LPW DRAM內(nèi)存

2 月 19 日消息，據(jù)韓媒 SEDaily 現(xiàn)場采訪報道，三星電子 DS 部門首席技術(shù)官 Song Jai-hyuk 美國加州舊金山當(dāng)?shù)貢r間 17 日在 IEEE ISSCC 2025 國際固態(tài)電路會議全體會議上表示，首款針對設(shè)備端 AI 應(yīng)用優(yōu)化的 LPW DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品將于 2028 年發(fā)布。

發(fā)表于：2/19/2025