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【熱門(mén)活動(dòng)】2025年基礎(chǔ)電子測(cè)試測(cè)量方案培訓(xùn)

【熱門(mén)活動(dòng)】2025年基礎(chǔ)電子測(cè)試測(cè)量方案培訓(xùn)

2025年基礎(chǔ)電子測(cè)試測(cè)量方案培訓(xùn)，第一課：數(shù)字萬(wàn)用表實(shí)操基礎(chǔ) ；第二課：直流電源與信號(hào)源操作；第三課：示波器基礎(chǔ)操作；第四課：示波器進(jìn)階與儀器聯(lián)動(dòng)

基于遠(yuǎn)場(chǎng)聲源定位的改進(jìn)MUSIC算法研究

結(jié)合語(yǔ)音信號(hào)的特點(diǎn)，對(duì)遠(yuǎn)場(chǎng)聲源定位方法進(jìn)行了系統(tǒng)的研究。以傳統(tǒng)的多重信號(hào)分類(MUSIC)算法為基礎(chǔ)，在麥克風(fēng)陣列遠(yuǎn)場(chǎng)信號(hào)模型的情況下，提出了改進(jìn)的MUSIC算法，并通過(guò)模擬實(shí)驗(yàn)環(huán)境進(jìn)行驗(yàn)證。仿真結(jié)果表明，改進(jìn)的算法具有較高的空間分辨率和較強(qiáng)的抗噪聲能力，可以有效地估計(jì)出相隔比較近的多個(gè)低信噪比聲源信號(hào)，從而驗(yàn)證了該算法的有效性和高效性。

發(fā)表于：2018/12/20

《先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀-2018版》

在摩爾定律放緩的時(shí)代，先進(jìn)封裝已經(jīng)成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展的救星之一。

發(fā)表于：2018/12/19

先進(jìn)封裝技術(shù)WLCSP和SiP的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)

關(guān)于先進(jìn)封裝工藝的話題從未間斷，隨著移動(dòng)電子產(chǎn)品趨向輕巧、多功能、低功耗發(fā)展，高階封裝技術(shù)也開(kāi)始朝著兩大板塊演進(jìn)，一個(gè)是以晶圓級(jí)芯片封裝WLCSP（Fan-In WLP、Fan-out WLP等）為首，功能指向在更小的封裝面積下容納更多的引腳數(shù)；另一板塊是系統(tǒng)級(jí)芯片封裝（SiP），功能指向封裝整合多種功能芯片于一體，壓縮模塊體積，提升芯片系統(tǒng)整體功能性和靈活性。

發(fā)表于：2018/12/19

TSV封裝是什么？整體封裝的3D IC技術(shù)

3D IC技術(shù)蓬勃發(fā)展的背后推動(dòng)力來(lái)自消費(fèi)市場(chǎng)采用越來(lái)越復(fù)雜的互連技術(shù)連接硅片和晶圓。這些晶圓包含線寬越來(lái)越窄的芯片。

發(fā)表于：2018/12/19

國(guó)內(nèi)封測(cè)廠異軍突起，三大巨頭囊括近四分之一市場(chǎng)份額

據(jù)CINNO Research對(duì)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的調(diào)查顯示，由于中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)能持續(xù)開(kāi)出，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)維持高檔和先進(jìn)封裝制程比重的逐漸攀升，第三季前十大專業(yè)封測(cè)廠產(chǎn)值較第二季度成長(zhǎng)約5%，來(lái)到將近62億美元。

發(fā)表于：2018/12/19

半導(dǎo)體封測(cè)主流技術(shù)及發(fā)展方向分析

近幾年，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)繼續(xù)維持高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，增長(zhǎng)率超過(guò)了20％；IC設(shè)計(jì)、封測(cè)、晶圓制造以及功率器件是為4大推動(dòng)主力。

發(fā)表于：2018/12/19

聯(lián)合評(píng)級(jí)半導(dǎo)體封測(cè)行業(yè)研究報(bào)告

　　封裝測(cè)試（簡(jiǎn)稱封測(cè)）是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈必不可少的環(huán)節(jié)。封裝是指對(duì)通過(guò)測(cè)試的晶圓進(jìn)行劃片、裝片、鍵合、封裝、電鍍、切筋成型等一系列加工工序而得到的具有一定功能的集成電路產(chǎn)品的過(guò)程。封裝技術(shù)保護(hù)芯片免受物理、化學(xué)等環(huán)境因素造成的損傷，增強(qiáng)芯片的散熱性能，以及將芯片的I/O端口聯(lián)接到部件級(jí)（系統(tǒng)級(jí)）的印制電路板（PCB）、玻璃基板等，以實(shí)現(xiàn)電氣連接，確保電路正常工作。測(cè)試主要是對(duì)芯片、電路以及老化后的電路產(chǎn)品的功能、性能測(cè)試等，外觀檢測(cè)也歸屬于其中，其目的是將有結(jié)構(gòu)缺陷以及功能、性能不符合要求的產(chǎn)品篩選出來(lái)。

發(fā)表于：2018/12/19

5G、物聯(lián)網(wǎng)、自動(dòng)駕駛，《NI趨勢(shì)展望報(bào)告2019》透露出哪些新風(fēng)向？

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)全新的態(tài)勢(shì)，傳統(tǒng)的測(cè)試測(cè)量技術(shù)以及不能滿足行業(yè)的飛速發(fā)展。作為測(cè)試測(cè)量領(lǐng)域的佼佼者，近期美國(guó)國(guó)家儀器公司（National Instruments，簡(jiǎn)稱NI）又發(fā)布了新一年度的《NI趨勢(shì)展望報(bào)告2019》，新形勢(shì)下測(cè)試領(lǐng)域出現(xiàn)了不少的挑戰(zhàn)，當(dāng)然報(bào)告中透露出了一些應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)的創(chuàng)造性的解決方案。

發(fā)表于：2018/12/19

基于概率神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的串聯(lián)電弧故障檢測(cè)

故障電弧分為串聯(lián)電弧和并聯(lián)電弧，并聯(lián)電弧故障表現(xiàn)為電流短路、故障電流大，現(xiàn)有電氣保護(hù)體系能對(duì)其保護(hù)；而串聯(lián)電弧故障因受線路負(fù)載限制，其故障電流小，以至于現(xiàn)有體系無(wú)法實(shí)現(xiàn)對(duì)串聯(lián)電弧故障保護(hù)，存在電氣安全隱患。提出一種方法通過(guò)實(shí)驗(yàn)獲得正常工作和電弧故障時(shí)電流波形，并提取小波變換的特征值，將特征值輸入概率神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型，參照UL 1699標(biāo)準(zhǔn)，通過(guò)計(jì)算0.5 s內(nèi)檢測(cè)到的故障半周期數(shù)是否大于8，大于8則判斷為電弧故障。通過(guò)MATLAB分析，選擇40組測(cè)試數(shù)據(jù)，故障識(shí)別率為95%，表明了該方法的有效性。

發(fā)表于：2018/12/19

基于CEEMDAN-PE和QGA-BP的短期風(fēng)速預(yù)測(cè)

為了提高風(fēng)電場(chǎng)短期風(fēng)速預(yù)測(cè)的精度，提出了一種基于自適應(yīng)噪聲的完整集成經(jīng)驗(yàn)?zāi)B(tài)分解(CEEMDAN)-排列熵(PE)和量子遺傳算法(QGA)優(yōu)化BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的短期風(fēng)速預(yù)測(cè)模型。首先采用CEEMDAN對(duì)原始風(fēng)速時(shí)間序列進(jìn)行分解，降低不同特征尺度序列間的相互影響；其次，為了減少計(jì)算規(guī)模，對(duì)分解得到的各個(gè)分量序列分別計(jì)算排列熵，將熵值相近的分量進(jìn)行疊加形成新的序列；最后，針對(duì)BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在初始化權(quán)值和閾值的選取上存在隨機(jī)性的問(wèn)題，采用QGA對(duì)BP參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化，分別對(duì)每個(gè)新的序列進(jìn)行預(yù)測(cè)并將預(yù)測(cè)結(jié)果進(jìn)行疊加得到最終的預(yù)測(cè)值。實(shí)例仿真結(jié)果表明，該組合模型提高了預(yù)測(cè)的精度，減小了誤差，具有實(shí)際意義和工程應(yīng)用價(jià)值。

發(fā)表于：2018/12/19