工業(yè)自動化最新文章 全球功率GaN產(chǎn)業(yè)鏈七大版塊及代表廠商一覽 在電源管理領(lǐng)域，隨著應(yīng)用對高壓和高性能的要求逐步提升，GaN（氮化鎵）越來越受到重視。從理論的角度來看，GaN提供了超越傳統(tǒng)硅MOSFET的技術(shù)優(yōu)勢。盡管目前的功率GaN市場與32.8億美元的硅電源管理市場相比顯得微不足道，但GaN器件正在向各應(yīng)用領(lǐng)域滲透，例如，LiDAR，這是高端應(yīng)用，可充分利用功率GaN的高頻開關(guān)特性。據(jù)Yole Développement預(yù)測，到2023年，功率GaN市場規(guī)模將達(dá)到4.23億美元，復(fù)合年增長率（CAGR）為93％。 發(fā)表于：8/11/2019 干貨|2019年氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報告 2019年6月3日，人們?nèi)請笙⒎Q，工業(yè)和信息化部將于近期發(fā)放5G商用牌照，我國將正式進(jìn)入5G商用元年。 發(fā)表于：8/11/2019 RF GaN市場蓬勃發(fā)展的關(guān)鍵是什么？ 據(jù)麥姆斯咨詢介紹，近年來，由于氮化鎵（GaN）在射頻（RF）功率應(yīng)用中的附加價值（例如高頻率下的更高功率輸出和更小的占位面積），RF GaN產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了驚人的高增長。根據(jù)Yole最近發(fā)布的《射頻氮化鎵技術(shù)、應(yīng)用及市場-2019版》報告，在無線基礎(chǔ)設(shè)施和國防兩大主要應(yīng)用的推動下，RF GaN整體市場規(guī)模到2024年預(yù)計將增長至20億美元。 發(fā)表于：8/11/2019 《射頻（RF）氮化鎵技術(shù)及廠商專利全景分析-2019版》 近年來，RF GaN市場的發(fā)展令人印象深刻，重塑了RF功率器件的產(chǎn)業(yè)格局。在電信和國防應(yīng)用的推動下，RF GaN行業(yè)將持續(xù)增長，而隨著5G應(yīng)用的到來，RF GaN市場將加速發(fā)展。據(jù)麥姆斯咨詢介紹，RF GaN市場總規(guī)模預(yù)計將從2017年的3.8億美元到2023年增長到13億美元。 發(fā)表于：8/11/2019 深度評論：中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)缺人嗎？ 很多媒體說中國半導(dǎo)體人才匱乏，但是根據(jù)筆者自己在這個行業(yè)的觀察，我認(rèn)為中國半導(dǎo)體行業(yè)并不缺人。從研發(fā)人員、管理人員到技術(shù)人員、操作人員，各個技術(shù)層級、各個不同的崗位，中國不缺人，不缺優(yōu)秀的人！ 發(fā)表于：8/6/2019 褚?。汗I(yè)互聯(lián)網(wǎng)安全必須引起高度重視 近日，在強網(wǎng)論壇工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)安全分論壇上，寧波工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)研究院院長褚健作了主題演講。褚院長在演講中強調(diào)，現(xiàn)在工業(yè)信息化安全、網(wǎng)絡(luò)安全的確是一個大的問題，必須引起高度重視，國家工控安全的體系，特別是國家重大基礎(chǔ)設(shè)施、或者是核心基礎(chǔ)設(shè)施的控制系統(tǒng)如果說被攻擊了，不僅僅導(dǎo)致了企業(yè)內(nèi)部的損失，甚至可以導(dǎo)致國民經(jīng)濟(jì)的混亂，也會危及國家的安全。以下為褚院長演講全文，以饗讀者。 發(fā)表于：8/6/2019 ABC車身控制系統(tǒng)與DSC車身動態(tài)控制系統(tǒng) ABC車身控制系統(tǒng)里的懸掛避震裝置安裝在車輪和車身之間。空氣風(fēng)箱的位置安裝了一個螺旋彈簧和液壓缸。螺旋彈簧在車輪方向通過連接在減震器上的彈性盤來支撐，在車身方向則通過一個可移動的軸，使作用在懸掛上的附加力通過壓力油控制液壓缸伸縮來消除。 發(fā)表于：8/3/2019 美半導(dǎo)體CEO對行業(yè)未來的看法 如果摩爾定律(Moore 's Law)已不復(fù)存在，那么硅谷現(xiàn)在該怎么辦?對此，Arm、Micron、Xilinx的首席執(zhí)行官們有發(fā)言權(quán)： “軟件可能正在吞噬世界，但半導(dǎo)體是第一口”，Xilinx的 CEO Victor Peng。他進(jìn)一步指出:“摩爾定律已經(jīng)走到了終點?！?/a> 發(fā)表于：8/2/2019 【物聯(lián)網(wǎng)智商精選】5G如何影響工業(yè)？ 5G是個啥？5G時代將如何影響工業(yè)/裝備制造業(yè)？（附PPT全文揭曉） 發(fā)表于：8/2/2019 14nm爭奪戰(zhàn)別有洞天 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，10nm、7nm及更先進(jìn)制程的競爭正在變得越來越不激烈，其主要原因自然是投入巨大、風(fēng)險高，愿意進(jìn)入的玩家越來越少，目前只剩下臺積電、三星和英特爾這三家了，這里顯然成為了賣方市場，從各大客戶為獲得足夠的臺積電7nm產(chǎn)能而爭破頭這一點就可見一斑。 發(fā)表于：8/1/2019 摩爾定律終結(jié)，誰是替代者？ 有關(guān)摩爾定律的有效性討論了N年。在半導(dǎo)體行業(yè)，摩爾定律無人不知無人不曉，這是Intel聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾在1865年提出的一個規(guī)律，最初指的是半導(dǎo)體芯片每年晶體管密度翻倍，性能翻倍，后來修為每兩年晶體管翻倍，性能提升一倍。 發(fā)表于：8/1/2019 模擬電路的八大基本概念 在電子電路中，電源、放大、振蕩和調(diào)制電路被稱為模擬電子電路，因為它們加工和處理的是連續(xù)變化的模擬信號。 發(fā)表于：8/1/2019 三種單片機對比：51系列、PIC和AVR 三種單片機對比：51系列、PIC和AVR 發(fā)表于：8/1/2019 思特威科技推出兩款全新工業(yè)級CMOS圖像傳感器 2019年8月1日，中國上海 — 近日，技術(shù)領(lǐng)先的CMOS圖像傳感器供應(yīng)商思特威科技（SmartSens）發(fā)布兩款全新工業(yè)級CMOS圖像傳感器——SC2310T與SC4210T。這兩款產(chǎn)品兼具思特威科技獨特的像素技術(shù)與業(yè)界領(lǐng)先的工作溫度范圍，能夠為惡劣工作環(huán)境中的應(yīng)用提供超低光照條件下的極佳成像性能，以及高達(dá)100db的動態(tài)范圍。 發(fā)表于：8/1/2019 基于MOCVD生長材料的高電流密度太赫茲共振隧穿二極管 為獲得高功率的太赫茲共振隧穿器件，優(yōu)化設(shè)計了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二極管材料結(jié)構(gòu)，在國內(nèi)首次采用MOCVD設(shè)備在半絕緣InP單晶片上生長了RTD外延材料。利用接觸光刻工藝和空氣橋搭接技術(shù)，制作了InP基共振遂穿二極管器件。并在室溫下測試了器件的電學(xué)特性： 峰值電流密度＞400 kA/cm2， 峰谷電流比(PVCR)＞2.4。 發(fā)表于：8/1/2019 ?…450451452453454455456457458459…?
