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工業(yè)自動化最新文章

英飛凌推出PSOC? Control MCU系列

【2024年8月13日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）近日推出全新PSOC? Control微控制器（MCU）系列。該系列適用于新一代工業(yè)和消費電機控制以及功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)應(yīng)用，包括家用電器、電動工具、可再生能源產(chǎn)品、工業(yè)驅(qū)動器，以及照明和計算/通信電源等。

發(fā)表于：2024/8/13

復旦團隊國際首次驗證超快閃存集成工藝

8 月 13 日消息，據(jù)復旦大學官方今日消息，人工智能的飛速發(fā)展迫切需要高速非易失存儲技術(shù)。當前主流非易失閃存的編程速度在百微秒級，無法支撐應(yīng)用需求。復旦大學周鵬-劉春森團隊前期研究表明二維半導體結(jié)構(gòu)能夠?qū)⑺俣忍嵘磺П兑陨?，實現(xiàn)顛覆性的納秒級超快存儲閃存。然而，如何實現(xiàn)規(guī)模集成、走向?qū)嶋H應(yīng)用極具挑戰(zhàn)。從界面工程出發(fā)，復旦大學團隊在國際上首次驗證了 1Kb 超快閃存陣列集成驗證，并證明了超快特性可延伸至亞 10 納米尺度。北京時間 8 月 12 日下午 5 點，相關(guān)成果以《二維超快閃存的規(guī)模集成工藝》（“A scalable integration process for ultrafast two-dimensional flash memory”）為題發(fā)表于國際頂尖期刊《自然-電子學》（Nature Electronics），DOI: 10.1038 / s41928-024-01229-6。

發(fā)表于：2024/8/13

把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來半導體制造的最大創(chuàng)新

把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來半導體制造的最大創(chuàng)新

發(fā)表于：2024/8/13

傳臺積電將在高雄建設(shè)1.4nm晶圓廠

因應(yīng)全球芯片訂單及AI快速發(fā)展，臺積電持續(xù)尋覓可用廠區(qū)土地，將最先進制程技術(shù)留在臺灣發(fā)展。高雄楠梓園區(qū)除3座2納米技術(shù)晶圓廠外，還有基地可容納2納米以下技術(shù)設(shè)廠需求。據(jù)悉，高雄市府已超前部署，鎖定A14（14埃米）制程，盤點次世代先進技術(shù)生產(chǎn)土地及水電供給，作為臺積電堅強后盾。針對臺積電將于高雄擴大埃米制程布局，公司低調(diào)表示不回應(yīng)市場傳言。

發(fā)表于：2024/8/13

消息稱三星電子確認平澤P4工廠1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線投資

8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，三星電子內(nèi)部已確認在平澤 P4 工廠建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計劃，該產(chǎn)線目標明年 6 月投入運營。平澤 P4 是一座綜合性半導體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備，但擱置了二期建設(shè)。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內(nèi)存工藝，各家的 1c nm（或?qū)?yīng)的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式發(fā)布。韓媒在報道中稱，三星電子計劃在今年底啟動 1c nm 內(nèi)存生產(chǎn)。

發(fā)表于：2024/8/13

美光加碼投資臺灣建立第二研發(fā)中心

美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra今年7月訪問中國臺灣，將帶來更進一步合作，例如在人工智能（AI）應(yīng)用扮演重要角色的高帶寬存儲器（HBM）。據(jù)悉，美光將加碼在中國臺灣投資，除制造HBM先進制程外，不排除有機會在中國臺灣創(chuàng)建第二個研發(fā)中心。

發(fā)表于：2024/8/13

武漢光谷實驗室研發(fā)量子點光刻膠

8 月 13 日消息，武漢光谷實驗室宣布與華中科技大學等研究團隊合作研發(fā)出高性能量子點光刻膠（QD-PR），其藍光轉(zhuǎn)換效率達到 44.6%（綠色）和 45.0%（紅色），光刻精度達到 1 μm，各項性能指標為行業(yè)領(lǐng)先水平。

發(fā)表于：2024/8/13

日本研究團隊提出EUV光刻新方案

日本提出EUV光刻新方案：光源功率可降低10倍，成本將大幅降低！

發(fā)表于：2024/8/13

英國牛津大學推出柔性多結(jié)太陽能電池板

英國牛津大學推出柔性多結(jié)太陽能電池板，轉(zhuǎn)換效率有望達到45%

發(fā)表于：2024/8/13

夏普考慮將半導體和相機模組事業(yè)出售給鴻海

8 月 12 日消息，夏普于 8 月 9 日宣布，正在考慮在本財年內(nèi)將半導體業(yè)務(wù)和智能手機用相機模組業(yè)務(wù)出售給鴻海。對于出售金額，夏普社長沖津雅浩稱由于談判剛剛開始，更多細節(jié)目前不便透露。

發(fā)表于：2024/8/13

美國芯片法案簽署兩周年記

美國芯片法案簽署兩周年：已吸引3950億美元投資，創(chuàng)造115000個工作崗位！

發(fā)表于：2024/8/13

消息稱聯(lián)發(fā)科首款AI PC芯片明年公布

據(jù)最新消息，聯(lián)發(fā)科將推出首款 PC 芯片以進軍 AI PC 領(lǐng)域，并計劃攜手英偉達，在明年上半年公布具體信息，這無疑是對英特爾、AMD、高通等 PC 芯片陣營的一次挑戰(zhàn)。此次聯(lián)發(fā)科與英偉達的合作，旨在打造一個集高效能與低功耗于一身的 Arm PC 處理器。這款芯片預計將在今年第三季度完成設(shè)計藍圖，并在第四季度進入全面驗證階段，隨后于明年上半年正式亮相。業(yè)內(nèi)人士普遍認為，聯(lián)發(fā)科此次的優(yōu)勢不僅在于其以往在效能與功耗上的出色表現(xiàn)，更在于其更加親民的價格策略，這有望在價格敏感的市場中掀起一陣風暴。

發(fā)表于：2024/8/13

日本十大半導體設(shè)備廠商二季度獲利同比暴漲80%

日本十大半導體設(shè)備廠商二季度獲利同比暴漲80%！

發(fā)表于：2024/8/13

Nexperia最新擴充的NextPower 80/100V MOSFET產(chǎn)品組合可提供更高的設(shè)計靈活性

　　奈梅亨，2024年8月7日：Nexperia今日宣布，公司正在持續(xù)擴充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產(chǎn)品組合，并推出了幾款采用行業(yè)標準5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS（on）和低Qrr進行了優(yōu)化，可在服務(wù)器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應(yīng)用以及各種電信、電機控制和其他工業(yè)設(shè)備中提供高效率和低尖峰。設(shè)計人員可以從80 V和100 V器件中進行選擇，RDS（on）選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。

發(fā)表于：2024/8/13

筑波科技與美商泰瑞達攜手共創(chuàng)半導體測試新局面-專訪市場總監(jiān)Aik-Moh Ng

　　臺灣新竹，2024年08月05日——自2022年以來，筑波科技（ACE Solution）與美商泰瑞達（Teradyne）展開策略合作，共同推動半導體測試的 ETS 平臺。我們特別專訪 Teradyne 的營銷總監(jiān)Aik-Moh Ng，他自2006年以來一直領(lǐng)導 Teradyne ETS 亞太地區(qū)團隊。

發(fā)表于：2024/8/12