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中芯國際透露40nm和32nm工藝開發(fā)計(jì)劃

2008-10-06
作者:中芯國際

??? 中國大陸代工廠商中芯國際" title="中芯國際">中芯國際(SMIC)近日透露了將于2009年推出45nm" title="45nm">45nm和40nm技術(shù)。

??? 總部位于上海的中芯國際希望在2011年前完成32nm" title="32nm">32nm的開發(fā),并稱公司正與IBM商討32nm技術(shù)授權(quán)事宜。中芯國際未透露該合作細(xì)節(jié)。

??? 在65nm" title="65nm">65nm節(jié)點(diǎn)之前,中芯國際一直自主開發(fā)工藝。而去年下半年中芯國際獲得了IBM45nm技術(shù)授權(quán)。

??? 中芯國際在技術(shù)方面落后于其主要競爭對手——特許、臺(tái)積電和聯(lián)電。特許作為IBM“fabclub”成員,計(jì)劃于2009年底前推出32nm技術(shù)。IBM的32nm技術(shù)包括高k金屬柵技術(shù)。

??? 中芯國際表示,對于目前公司所處的市場地位表示滿意,稱公司更愿意成為數(shù)字電路代工領(lǐng)域的“快速追趕者”。風(fēng)險(xiǎn)投資公司W(wǎng)aldenInternational創(chuàng)始人兼主席Lip-BuTan在近日舉行的2008中芯國際技術(shù)論壇中表示,65nm和45nm技術(shù)較之前的節(jié)點(diǎn)將存在更長的時(shí)間,部分是因?yàn)楦哳~的設(shè)計(jì)、掩模等成本。

??? 相對于競爭對手,中芯國際并未停止不前。“我們落后于最先進(jìn)的技術(shù)一個(gè)世代,但我們正在追趕?!敝行緡H美國區(qū)總裁SamWang表示。

??? 然而目前代工市場正在放緩。代工廠的初制晶圓數(shù)量正大幅減少。據(jù)HSBCGlobalTechnologyResearch的分析師StevenPelayo表示,第四季度晶圓代工廠的產(chǎn)能利用率將降低至75%以下。

??? Wang表示,中芯國際保持對第三季度的預(yù)期,但未對第四季度發(fā)表評(píng)論。

??? 中芯國際的技術(shù)路圖

??? 今年下半年,中芯國際開始了65nm世代。目前中芯國際計(jì)劃提供65nm的低功耗、通用和混合信號(hào)/RF技術(shù)代工,采用4至10層金屬布線、銅互聯(lián)和三層?xùn)叛趸燃夹g(shù)。

??? 據(jù)稱,2008年第三季度中芯國際已進(jìn)入65nm低功耗技術(shù)“工藝驗(yàn)證" title="工藝驗(yàn)證">工藝驗(yàn)證(processqualification)”階段?!肮に囼?yàn)證”標(biāo)志著該技術(shù)已可以進(jìn)行“風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)(riskproduction)”。預(yù)計(jì)年底可投產(chǎn)。

??? 65nm通用技術(shù)和混合信號(hào)/RF技術(shù)將分別在明年第一季度和第二季度進(jìn)入“工藝驗(yàn)證”階段。

??? 2009年第三季度前,中芯國際將進(jìn)入45nm世代,該技術(shù)來自IBM的授權(quán),采用4至10層金屬布線、銅互聯(lián)和超低k介質(zhì)等技術(shù)。該工藝將采用193nm沉浸式光刻,設(shè)備由ASML提供。

??? 45nm低功耗技術(shù)預(yù)計(jì)將于2009年第三季度進(jìn)入“工藝驗(yàn)證”階段。45nm通用技術(shù)和混合信號(hào)/RF技術(shù)將分別于2010年第一季度和第二季度進(jìn)入“工藝驗(yàn)證”階段。

??? 中芯國際市場和銷售聯(lián)合副總裁RobertTsu稱,基于客戶的需要,中芯國際將開發(fā)40nm工藝。40nm技術(shù)將于2009年底發(fā)布。該技術(shù)同樣來于IBM的授權(quán)。

??? 中芯國際的45nm和40nm工藝將在位于上海的300mm工廠投產(chǎn)。

??? 中芯國際預(yù)計(jì)32nm工藝將要到2011年第二季度之后才發(fā)布。在公司技術(shù)路圖上,該32nm低功耗技術(shù)將于2011年第二季度進(jìn)入“工藝驗(yàn)證”階段。

??? 32nm以下節(jié)點(diǎn)未出現(xiàn)在中芯國際的技術(shù)路圖中。

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