??? 中國(guó)大陸代工廠商中芯國(guó)際" title="中芯國(guó)際">中芯國(guó)際（SMIC）近日透露了將于2009年推出45nm" title="45nm">45nm和40nm技術(shù)。
??? 總部位于上海的中芯國(guó)際希望在2011年前完成32nm" title="32nm">32nm的開發(fā)，并稱公司正與IBM商討32nm技術(shù)授權(quán)事宜。中芯國(guó)際未透露該合作細(xì)節(jié)。
??? 在65nm" title="65nm">65nm節(jié)點(diǎn)之前，中芯國(guó)際一直自主開發(fā)工藝。而去年下半年中芯國(guó)際獲得了IBM45nm技術(shù)授權(quán)。
??? 中芯國(guó)際在技術(shù)方面落后于其主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手——特許、臺(tái)積電和聯(lián)電。特許作為IBM“fabclub”成員，計(jì)劃于2009年底前推出32nm技術(shù)。IBM的32nm技術(shù)包括高k金屬柵技術(shù)。
??? 中芯國(guó)際表示，對(duì)于目前公司所處的市場(chǎng)地位表示滿意，稱公司更愿意成為數(shù)字電路代工領(lǐng)域的“快速追趕者”。風(fēng)險(xiǎn)投資公司W(wǎng)aldenInternational創(chuàng)始人兼主席Lip-BuTan在近日舉行的2008中芯國(guó)際技術(shù)論壇中表示，65nm和45nm技術(shù)較之前的節(jié)點(diǎn)將存在更長(zhǎng)的時(shí)間，部分是因?yàn)楦哳~的設(shè)計(jì)、掩模等成本。
??? 相對(duì)于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，中芯國(guó)際并未停止不前?！拔覀兟浜笥谧钕冗M(jìn)的技術(shù)一個(gè)世代，但我們正在追趕。”中芯國(guó)際美國(guó)區(qū)總裁SamWang表示。
??? 然而目前代工市場(chǎng)正在放緩。代工廠的初制晶圓數(shù)量正大幅減少。據(jù)HSBCGlobalTechnologyResearch的分析師StevenPelayo表示，第四季度晶圓代工廠的產(chǎn)能利用率將降低至75％以下。
??? Wang表示，中芯國(guó)際保持對(duì)第三季度的預(yù)期，但未對(duì)第四季度發(fā)表評(píng)論。
??? 中芯國(guó)際的技術(shù)路圖
??? 今年下半年，中芯國(guó)際開始了65nm世代。目前中芯國(guó)際計(jì)劃提供65nm的低功耗、通用和混合信號(hào)/RF技術(shù)代工，采用4至10層金屬布線、銅互聯(lián)和三層?xùn)叛趸燃夹g(shù)。
??? 據(jù)稱，2008年第三季度中芯國(guó)際已進(jìn)入65nm低功耗技術(shù)“工藝驗(yàn)證" title="工藝驗(yàn)證">工藝驗(yàn)證（processqualification）”階段。“工藝驗(yàn)證”標(biāo)志著該技術(shù)已可以進(jìn)行“風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)（riskproduction）”。預(yù)計(jì)年底可投產(chǎn)。
??? 65nm通用技術(shù)和混合信號(hào)/RF技術(shù)將分別在明年第一季度和第二季度進(jìn)入“工藝驗(yàn)證”階段。
??? 2009年第三季度前，中芯國(guó)際將進(jìn)入45nm世代，該技術(shù)來(lái)自IBM的授權(quán)，采用4至10層金屬布線、銅互聯(lián)和超低k介質(zhì)等技術(shù)。該工藝將采用193nm沉浸式光刻，設(shè)備由ASML提供。
??? 45nm低功耗技術(shù)預(yù)計(jì)將于2009年第三季度進(jìn)入“工藝驗(yàn)證”階段。45nm通用技術(shù)和混合信號(hào)/RF技術(shù)將分別于2010年第一季度和第二季度進(jìn)入“工藝驗(yàn)證”階段。
??? 中芯國(guó)際市場(chǎng)和銷售聯(lián)合副總裁RobertTsu稱，基于客戶的需要，中芯國(guó)際將開發(fā)40nm工藝。40nm技術(shù)將于2009年底發(fā)布。該技術(shù)同樣來(lái)于IBM的授權(quán)。
??? 中芯國(guó)際的45nm和40nm工藝將在位于上海的300mm工廠投產(chǎn)。
??? 中芯國(guó)際預(yù)計(jì)32nm工藝將要到2011年第二季度之后才發(fā)布。在公司技術(shù)路圖上，該32nm低功耗技術(shù)將于2011年第二季度進(jìn)入“工藝驗(yàn)證”階段。
??? 32nm以下節(jié)點(diǎn)未出現(xiàn)在中芯國(guó)際的技術(shù)路圖中。