臺(tái)積電去年拿下了全球晶圓代工市場70%的份額，而且先進(jìn)工藝可以說遙遙領(lǐng)先其他友商，當(dāng)前量產(chǎn)的最新工藝是2nm，但是1nm工藝也在路上了。

1nm建廠之前最先需要準(zhǔn)備的園區(qū)土地，日前有消息稱總面積高達(dá)531公頃的臺(tái)南沙侖園區(qū)今年4月份將會(huì)進(jìn)入二期環(huán)評(píng)，2027年3季度完成最終環(huán)評(píng)。

之后就能交付給臺(tái)積電建廠了，預(yù)計(jì)初期規(guī)模至少200公頃。

根據(jù)臺(tái)積電之前公布的計(jì)劃，沙侖園區(qū)會(huì)建設(shè)6座晶圓廠，其中P1到P3主要面向1.4nm工藝A14，P4到P6工廠則是面向1nm工藝，后期不排除還有0.7nm工藝。

臺(tái)積電目前公布的路線圖中，2nm工藝的N2工藝去年底量產(chǎn)，今年是蘋果、AMD等公司規(guī)模商用，A16工藝是NVIDIA的費(fèi)曼GPU首發(fā)，今年底試產(chǎn)，量產(chǎn)也要到2027年了。

A16之后就是A14工藝，也就是1.4nm級(jí)別的，會(huì)升級(jí)第二代GAA晶體管結(jié)構(gòu)及背面供電，預(yù)計(jì)2028年問世。

再往后就是現(xiàn)在說的1nm工藝了，但臺(tái)積電此前公布的信息并不多，按慣例命名會(huì)是A10，這也是臺(tái)積電首個(gè)埃米級(jí)工藝——全球首個(gè)的名號(hào)前幾年就被Intel的20A工藝占了，不過后者有點(diǎn)名不副實(shí)，沒有做到1nm以下就去搶埃米工藝的榮譽(yù)了。

不過臺(tái)積電1nm工藝的技術(shù)細(xì)節(jié)還是未知數(shù)，傳聞會(huì)進(jìn)一步將晶體管結(jié)構(gòu)從GAA升級(jí)到CFET，甚至還有說會(huì)用到2D材料，現(xiàn)在很難判斷最終會(huì)如何。

1nm工藝按照臺(tái)積電的節(jié)點(diǎn)是2030年面世，他們23年提出的一個(gè)目標(biāo)是在1nm節(jié)點(diǎn)做到單芯片2000億晶體管集成，3D封裝做到1萬億晶體管，這個(gè)目標(biāo)跟Intel之前喊出的1萬億晶體管的是一樣的，就看誰先做到了。