1月20日消息，業(yè)內(nèi)傳聞顯示，晶圓代工廠商力積電在AI制程關(guān)鍵中介層技術(shù)方面獲得了臺積電認(rèn)證，將協(xié)同臺積電打入英偉達(dá)、AMD等AI巨頭供應(yīng)鏈，并攜手臺積電完成開發(fā)四層晶圓堆疊（WoW）技術(shù)，現(xiàn)正邁入難度更高的六層晶圓堆疊，技術(shù)比三星更強(qiáng)，有望抓住AI商機(jī)，推動業(yè)績增長。

對于相關(guān)傳聞，力積電表示，該公司正致力轉(zhuǎn)型，積極開發(fā)中介層等AI利基型元件，朝成為國際AI大廠中介層第二供應(yīng)商的目標(biāo)邁進(jìn)，并獲得驗(yàn)證通過，但細(xì)節(jié)不便透露。

力積電還指出，該公司也攜手晶圓代工同行投入晶圓堆疊技術(shù)，現(xiàn)在已完成四層晶圓堆疊認(rèn)證。由力積電提供內(nèi)存晶圓，結(jié)合晶圓代工大廠的邏輯晶圓，通過異質(zhì)整合，助力客戶節(jié)省AI應(yīng)用芯片設(shè)計面積，堆疊后的晶圓厚度比三星更薄，提供性能更好、功耗更低的解決方案。

供應(yīng)鏈透露，AI商機(jī)進(jìn)入爆發(fā)期，由于英偉達(dá)、AMD等高性能計算（HPC）客戶訂單量龐大，臺積電雖然在積極擴(kuò)產(chǎn)，但仍無法滿足客戶需求。近一年來，臺積電積極尋求委外合作供應(yīng)商，除了CoWoS的WoS后段封裝及測試委外到日月光投控、京元電子等封測廠之外，中介層及前段先進(jìn)封裝也開始尋求其他晶圓代工廠支持。

其中，力積電的40及55nm制程中介層及先進(jìn)封裝堆疊技術(shù)中選，成功獲得臺積電及其客戶英偉達(dá)、AMD驗(yàn)證通過，并且供應(yīng)AMD的中介層已開始量產(chǎn)出貨，除了AMD當(dāng)前的主力AI加速器MI325系列之外，AMD今年下半年將問世的MI350也正緊鑼密鼓準(zhǔn)備量產(chǎn)當(dāng)中。

業(yè)界分析，目前先進(jìn)封裝采用的中介層是以硅晶圓打造的芯片基板，需要具有晶圓制程生產(chǎn)能力的曝光機(jī)及蝕刻等設(shè)備，且當(dāng)前無須使用到40nm以下的制程，使具備大量成熟制程生產(chǎn)能力的力積電成為臺積電AI生態(tài)系的主要原因之一。

另外，英偉達(dá)明年將量產(chǎn)的全新Rubin構(gòu)架AI芯片，力積電不僅有機(jī)會成為其中介層供應(yīng)商，更有機(jī)會獲得先進(jìn)封裝訂單，讓力積電營運(yùn)全面擺脫當(dāng)前低谷。

晶圓堆疊方面，力積電也與臺積電共同完成四層晶圓堆疊開發(fā)，并開始投入六層晶圓堆疊技術(shù)，整合臺積電以先進(jìn)制程生產(chǎn)的邏輯運(yùn)算晶圓與力積電的內(nèi)存晶圓，并協(xié)同內(nèi)存IP廠愛普共同進(jìn)行內(nèi)存晶圓設(shè)計，另外，電源管理IC晶圓亦可望由力積電提供。

業(yè)界透露，力積電生產(chǎn)的內(nèi)存晶圓厚度比三星供應(yīng)樣品更薄，成為臺積電將力積電納入AI生態(tài)系供應(yīng)鏈的主要原因。