10月23日，在中國(guó)臺(tái)灣工研院舉辦的“眺望2025產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)研討會(huì)”上，工研院產(chǎn)經(jīng)中心(IEK)產(chǎn)業(yè)分析師表示，2024年中國(guó)臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將正式突破新臺(tái)幣5萬(wàn)億元（約合人民幣11,110億元）大關(guān)，達(dá)到新臺(tái)幣53,001億元（約合人民幣11787.4億元），同比增速達(dá)22%，高于全球市場(chǎng)平均水平。

IEK分析師指出，隨著2024年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，產(chǎn)業(yè)內(nèi)的技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈。根據(jù)WSTS預(yù)測(cè)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)值預(yù)計(jì)將突破6,000億美元，年成長(zhǎng)16%，反映市場(chǎng)強(qiáng)勁的表現(xiàn)。其中，計(jì)算終端市場(chǎng)的需求持續(xù)成長(zhǎng)，特別是高端計(jì)算芯片在智能手機(jī)、AI計(jì)算、車用電子與服務(wù)器等領(lǐng)域的應(yīng)用，不斷推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速成長(zhǎng)。

另外，隨著半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)進(jìn)步，先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝技術(shù)正成為推動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的核心力量，從而促進(jìn)更多產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。在半導(dǎo)體制程領(lǐng)域，2nm以下先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈，原子層沉積（ALD）等薄膜沉積技術(shù)在納米芯片制造中也扮演重要角色。然而，隨著晶體管微縮技術(shù)接近瓶頸，摩爾定律的進(jìn)一步推進(jìn)面臨挑戰(zhàn)，異質(zhì)整合封裝技術(shù)如FOPLP、2.5D封裝和3D封裝，成為技術(shù)突破的關(guān)鍵，并為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造新契機(jī)。

全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)走向也受到各國(guó)政策的深遠(yuǎn)影響。美國(guó)芯片法案、歐盟芯片法案，中國(guó)大陸及中國(guó)臺(tái)灣和日本等地半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展計(jì)劃，正在重塑全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的生態(tài)系。

中國(guó)臺(tái)灣做為全球半導(dǎo)體制造的核心重鎮(zhèn)，將在政策支持和技術(shù)創(chuàng)新下，繼續(xù)扮演關(guān)鍵角色。2024年預(yù)估中國(guó)臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將達(dá)新臺(tái)幣53,001億元，年成長(zhǎng)率達(dá)22%。AI和高性能計(jì)算等應(yīng)用需求的推動(dòng)下，展望2025年中國(guó)臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將達(dá)新臺(tái)幣6萬(wàn)億元，預(yù)估年成長(zhǎng)率為16.5%，持續(xù)推動(dòng)中國(guó)臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)邁向新紀(jì)元。

而在半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)與技術(shù)革新方面，隨著全球半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷創(chuàng)新，2024年將成為全球暨中國(guó)臺(tái)灣IC制造業(yè)的重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)。全球IC制造業(yè)正面臨多項(xiàng)技術(shù)變革，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日漸激烈，各大廠商加速布局先進(jìn)制程技術(shù)，爭(zhēng)奪未來(lái)市場(chǎng)的主導(dǎo)地位。中國(guó)臺(tái)灣IC制造產(chǎn)業(yè)在全球半導(dǎo)體版圖中持續(xù)展現(xiàn)技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，預(yù)估2024年中國(guó)臺(tái)灣IC制造產(chǎn)值將再創(chuàng)新高，達(dá)到新臺(tái)幣33,957億元，較2023年成長(zhǎng)27.5%。

IEK表示，在先進(jìn)制程方面，臺(tái)積電A16制程導(dǎo)入超級(jí)電軌（背面供電），2026年引領(lǐng)市場(chǎng)。三星與英特爾也計(jì)劃2nm采相同技術(shù)，顯示先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)再升溫。三大頭部半導(dǎo)體制造商布局，不僅深刻影響全球晶圓制造市場(chǎng)，也為未來(lái)高性能終端應(yīng)用產(chǎn)品提供更多創(chuàng)新機(jī)會(huì)，尤其智能手機(jī)、PC和服務(wù)器等領(lǐng)域，仍是驅(qū)動(dòng)IC制造產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)的核心動(dòng)力。

除了先進(jìn)制程的進(jìn)步，高帶寬內(nèi)存（HBM）市場(chǎng)也為2024年新焦點(diǎn)。SK海力士、三星與美光三大競(jìng)爭(zhēng)者在HBM市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大市占率與技術(shù)。HBM3E及HBM4等新一代技術(shù)推出，內(nèi)存帶寬與容量將再提升，并成為高性能計(jì)算應(yīng)用的核心關(guān)鍵技術(shù)。

展望2025年，全球及中國(guó)臺(tái)灣IC制造產(chǎn)業(yè)將持續(xù)在技術(shù)革新與終端電子產(chǎn)品創(chuàng)新應(yīng)用的雙重推動(dòng)下，邁向新的高峰。無(wú)論是先進(jìn)制程技術(shù)的競(jìng)賽，還是HBM市場(chǎng)的成長(zhǎng)，各大廠商的技術(shù)布局與資本投入，將深刻影響未來(lái)幾年的產(chǎn)業(yè)走勢(shì)。中國(guó)臺(tái)灣憑借其先進(jìn)制程技術(shù)領(lǐng)先的優(yōu)勢(shì)，將繼續(xù)引領(lǐng)市場(chǎng)發(fā)展，并為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)更多成長(zhǎng)機(jī)會(huì)。