韓國芯片制造商SK海力士 (SK Hynix Inc.)與其全球同行一樣，基本上都是內(nèi)部設(shè)計(jì)和生產(chǎn)半導(dǎo)體，包括高容量存儲(chǔ)器 (HBM)，不同于AI芯片，其需求正在爆炸式增長。

然而，對于下一代AI芯片HBM4，該公司計(jì)劃將芯片制造外包給代工廠或合同芯片制造商，最有可能的是臺(tái)灣半導(dǎo)體制造股份有限公司 (TSMC)。

進(jìn)一步的是，這家韓國芯片制造商正在積極尋找頂尖人才，以推進(jìn)自己的 HBM 技術(shù)并購?fù)獍Ｔ摴镜闹饕C頭目標(biāo)是誰？它的同城競爭對手三星電子公司。

SK海力士是來自行業(yè)頭羊三星的全球第二大芯片制造商，最近發(fā)布的重要招聘信息中有48個(gè)與 HBM 相關(guān)的職位有經(jīng)驗(yàn)。

SK 在招聘事中表示，公司正在尋找擁有 4 年以上工作經(jīng)驗(yàn)的芯片專家，通過改進(jìn)代工工藝和測試邏輯芯片，提高 HBM 邏輯芯片的良率。

招聘事稱，所需能力包括徹底分析最新代工技術(shù)和開發(fā)代工設(shè)備的能力。

該公司特別希望招聘 9 名 FinFET 代工工藝的芯片工程師，F(xiàn)inFET 是一種可以提高半導(dǎo)體功率效率的技術(shù)。有意者必須擁有 10 年以上的工作經(jīng)驗(yàn)。

行業(yè)觀察人士表示，SK 海力士的招聘計(jì)劃引發(fā)了競爭對手對人才流失的擔(dān)憂，因?yàn)樗麄冸y以留住他們。

三星電子正處于高度備戰(zhàn)狀態(tài)，因?yàn)樗`反了抵押貸款首次提高工資和改善工作條件的罷工。SK海力士的進(jìn)步是全行業(yè)招聘的一部分，旨在提高技能工人，以利用人工智能熱潮，而人工智能熱潮正在消耗大量 HBM 等人工智能芯片。

盡管三星是全球最大的內(nèi)存芯片制造商，但在 HBM 領(lǐng)域卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于SK海力士。

上周，三星正式成立了專門的 HBM 和先進(jìn)芯片封裝團(tuán)隊(duì)，以努力趕上SK海力士。

三星誓言今年將 HBM收益率提高三倍 ，并渴望通過全球第一大人工智能芯片設(shè)計(jì)商N(yùn)vidia Corp. 的優(yōu)質(zhì)測試。

業(yè)內(nèi)人士稱，SK海力士需要用頂尖工程師來研發(fā)第六代HBM4，六月份計(jì)劃于明年開始量產(chǎn)，同時(shí)推薦開發(fā)和改進(jìn)下一代3D DRAM芯片和內(nèi)存處理（PIM）芯片。

今年4月，SK表示正與臺(tái)積電合作開發(fā)下一代AI芯片。SK海力士主導(dǎo)著對生成式AI計(jì)算至關(guān)重要的HBM的生產(chǎn)，而這款臺(tái)灣晶圓代工廠的先進(jìn)封裝技術(shù)可幫助HBM芯片和圖形處理單元（GPU）高效協(xié)同工作。SK海力士表示，兩家公司將首先沿著提高HBM封裝最底部基片的性能。HBM通過使用一種稱為硅通孔 (TSV) 的加工技術(shù)將核心 DRAM 芯片堆棧在基片頂部而制成?；B接到控制 HBM 芯片的 GPU。SK海力士表示，它已經(jīng)使用消耗技術(shù)制造了最高可達(dá)第四代 DRAM 存儲(chǔ)器 HBM3E 的基片，但計(jì)劃在 HBM4 的基片上采用臺(tái)積電的先進(jìn)邏輯工藝，并引入有限的空間內(nèi)塞入更多功能。

兩家公司節(jié)省了合作優(yōu)化 SK 海力士 HBM 與臺(tái)積電 2.5D 封裝工藝（稱為 CoWoS 技術(shù)）的集成，同時(shí)合作響應(yīng)與 HBM 相關(guān)的常見客戶請求。

三星已為其新成立的HBM團(tuán)隊(duì)增加了300名工程師，以開發(fā)HBM4芯片。作為僅次于臺(tái)積電的全球第二大晶圓代工企業(yè)，三星可以處理與HBM4相關(guān)的所有工藝，包括邏輯芯片設(shè)計(jì)、封裝和生產(chǎn)。三星副董事長全永鉉于5月執(zhí)掌三星設(shè)備解決方案 (DS) 部門，該部門負(fù)責(zé)監(jiān)管公司的芯片業(yè)務(wù)，他誓言在未來幾年超越HBM領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士。

一位業(yè)內(nèi)官員表示：“三星和SK海力士對AI芯片霸主地位的競爭正在升溫，首先想到的HBM4芯片方面。三星民眾的第一個(gè)挑戰(zhàn)是讓 Nvidia 批準(zhǔn)其 HBM 芯片?！?/p>