5月28日消息，根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示，今年一季度全球NAND Flash營(yíng)收同比大幅增長(zhǎng)30%，而這主要得益于NAND 的平均銷售價(jià)格同比上漲了27%。隨著各家NAND原廠的業(yè)績(jī)恢復(fù)盈利，使得他們也開始加大了在NAND技術(shù)上的資本支出。

在NAND技術(shù)進(jìn)展方面，在2022年下半年美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布量產(chǎn)232層NAND之后，SK海力士和三星也分別量產(chǎn)了238層和236層的NAND。相比之下鎧俠和西部數(shù)據(jù)的進(jìn)展則慢一些，但也達(dá)到了218層NAND的量產(chǎn)。目前各家廠商都在積極的邁向300層NAND。

三星一直處于 3D NAND 領(lǐng)域創(chuàng)新的前沿。他們已將 V7 過(guò)渡到雙層結(jié)構(gòu)，并引入了 COP 集成以提高性能。隨著 V8 236L 1 Tb TLC 產(chǎn)品的發(fā)布，三星展示了其突破技術(shù)界限的承諾。展望未來(lái)，三星已經(jīng)計(jì)劃在 V9 中采用與其他領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手類似的 280L COP V-NAND 和混合鍵合技術(shù)。

鎧俠和西部數(shù)據(jù)在保留 BiCS 結(jié)構(gòu)的同時(shí)，專注于提高層數(shù)。鎧俠宣布推出具有 218 層的第八代 BiCS，并計(jì)劃推出具有 284 層的后續(xù)版本，這表明該公司致力于推進(jìn) NAND 技術(shù)。

美光轉(zhuǎn)向 CTF CuA 集成，憑借 176L 和 232L 產(chǎn)品的發(fā)布引領(lǐng)市場(chǎng)。他們還在開發(fā) Gen7，可能會(huì)跳過(guò) 300 層節(jié)點(diǎn)，瞄準(zhǔn) 400 層設(shè)備，展現(xiàn)出他們對(duì)未來(lái)創(chuàng)新的雄心。

SK海力士繼續(xù)采用4D PUC結(jié)構(gòu)，計(jì)劃量產(chǎn)238L V8 4D PUC產(chǎn)品。隨著321層V9樣品的發(fā)布，SK海力士正在為進(jìn)一步的發(fā)展做好準(zhǔn)備，可能在不久的將來(lái)達(dá)到370層或380層的設(shè)備。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtacking結(jié)構(gòu)取得了重大進(jìn)展，從176層直接跳到了232層。盡管面臨芯片禁令的挑戰(zhàn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)仍然專注于開發(fā)更先進(jìn)的QLC器件和多Xtacking技術(shù)。

MXIC 憑借其第一代 3D NAND 芯片進(jìn)入市場(chǎng)，以滿足 Nintendo Switch 等產(chǎn)品的需求。MXIC 計(jì)劃推出采用 96L 的第二代芯片，準(zhǔn)備在該行業(yè)取得更大進(jìn)步。