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SK海力士HBM3E內(nèi)存良率已接近80%

生產(chǎn)效率也已翻倍
2024-05-23
來(lái)源:IT之家
關(guān)鍵詞: SK海力士 DRAM

5 月 23 日消息,SK 海力士產(chǎn)量主管 Kwon Jae-soon 近日向英國(guó)《金融時(shí)報(bào)》表示,該企業(yè)的 HBM3E 內(nèi)存良率已接近 80%。

相較傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品,HBM 的制造過(guò)程涉及在 DRAM 層間建立 TSV(Through Silicon Via)硅通孔和多次的芯片鍵合,復(fù)雜程度直線上升。一層 DRAM 出現(xiàn)問(wèn)題就意味著整個(gè) HBM 堆棧的報(bào)廢。

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▲ HBM 內(nèi)存結(jié)構(gòu)示意圖。圖源 SK 海力士

因此 HBM 內(nèi)存,尤其是采用 8 層乃至 12 層堆疊的 HBM3E 產(chǎn)品,天生在良率方面落后于標(biāo)準(zhǔn) DRAM 內(nèi)存。

韓媒 DealSite 今年三月初稱當(dāng)時(shí) HBM 內(nèi)存的整體良率僅有 65% 左右。這樣看來(lái),SK 海力士近期在 HBM3E 內(nèi)存工藝良率方面實(shí)現(xiàn)了明顯改進(jìn)。

Kwon Jae-soon 也提到,SK 海力士目前已將 HBM3E 的生產(chǎn)周期減少了 50%。更短的生產(chǎn)用時(shí)意味著更高的生產(chǎn)效率,可為英偉達(dá)等下游客戶提供更充足的供應(yīng)。

這位高管再次確認(rèn) SK 海力士今年的主要重點(diǎn)是生產(chǎn) 8 層堆疊的 HBM3E,因?yàn)樵撘?guī)格目前是客戶需求的核心。

Kwon Jae-soon 表示:“在這個(gè)人工智能時(shí)代,提高產(chǎn)量對(duì)于保持領(lǐng)先地位變得越來(lái)越重要。”


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