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鎧俠及西部數(shù)據(jù)產(chǎn)能利用率將恢復至88%

帶動2024年NAND閃存產(chǎn)量增長10.9%
2024-03-20
來源:集邦咨詢

3 月 20 日消息,集邦咨詢近日發(fā)布報告,表示鎧俠西部數(shù)據(jù)率先提升產(chǎn)能利用率,帶動全年 NAND Flash 產(chǎn)量同比增長 10.9%。

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集邦咨詢表示基于目前的發(fā)展趨勢,NAND Flash 漲價將持續(xù)到 2024 年第 2 季度,部分供應商希望今年可以減少虧損、降低成本,并重新開始獲利。

鎧俠和西部數(shù)據(jù)今年 3 月產(chǎn)能利用率恢復至近九成,其余業(yè)者均未明顯增加投產(chǎn)規(guī)模。

TrendForce 集邦咨詢進一步表示,為應對下半年旺季需求,加上鎧俠 / 西部數(shù)據(jù)本身庫存已處低水位,本次擴大投產(chǎn)主要集中 112 層及部分 2D 產(chǎn)品,有望在今年實現(xiàn)獲利,并進一步帶動 2024 年 NAND Flash 產(chǎn)量提高 10.9%。

制程方面,2024 年隨著 NAND Flash 價格反轉,供應商的庫存水位也開始逐步降低,為了維持長期成本競爭優(yōu)勢,供應商也開始升級制程。

其中,又以三星(Samsung)和美光(Micron)最積極,預估兩家業(yè)者于今年第四季時,200 層以上制程產(chǎn)出將超過四成。

鎧俠和西部數(shù)據(jù) 2024 年產(chǎn)出重心仍為 112 層,而受惠于日本政府補助支持,預計今年下半年將開始移入設備,增加 218 層產(chǎn)出,預估 2025 年 218 層產(chǎn)出更為積極。

根據(jù)鎧俠目前的制程研發(fā)規(guī)劃,為了達成更佳成本結構,并寄望能在技術及成本上重回領先地位,218 層之后產(chǎn)品將直接邁入 300 層以上制程。


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