據(jù)了解，韓國芯片制造巨頭SK海力士正在考慮打破美國對華極紫外（EUV）光刻機出口相關(guān)限制，以提升其在中國的半導體工廠的技術(shù)水平。

這一舉動被視為，隨著半導體市場的復蘇以及中國高性能半導體制造能力的提升，一些韓國芯片企業(yè)正在采取一切可以使用的方法來提高在華工廠的制造工藝水平。

業(yè)內(nèi)人士透露，SK海力士計劃今年將其中國無錫工廠的部分DRAM生產(chǎn)設備提升至第四代10納米工藝。然而，對于“無錫工廠將進行技術(shù)升級”的消息，SK海力士方面表示“無法確認工廠的具體運營計劃”。

據(jù)了解，無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地，其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前，無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10納米DRAM。

報道認為，SK海力士對無錫工廠進行技術(shù)升級并不容易，因為自2019年以來，美國為阻止中國半導體產(chǎn)業(yè)崛起，單方面限制了制造尖端半導體必需的EUV光刻機出口中國。

盡管如此，隨著全球半導體市場進入復蘇階段，SK海力士認為高性能芯片產(chǎn)能擴張已經(jīng)刻不容緩，需要10納米級第四代DRAM或更高版本產(chǎn)品來維持其市場份額。

媒體分析稱，SK海力士的這一舉動反映了全球半導體市場的變化和中國半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。在全球半導體市場復蘇的背景下，中國半導體產(chǎn)業(yè)的提升無疑將為全球半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入新的活力。