去年底臺積電宣布3nm量產(chǎn)，預計今年年中之后在終端層面開始大規(guī)模應用。
隨后有業(yè)內(nèi)專家透露，臺積電3nm的良率可達80%，非?？捎^。 然而，提前半年投產(chǎn)3nm的三星，則有些尷尬，據(jù)說良率僅20%。這個表現(xiàn)，難怪沒有大廠敢下單。
雖說三星上馬了GAA晶體管，技術(shù)難度高算是情有可原，然而和臺積電差距這么大顯然不是長久之計。
據(jù)DT報道，三星正在調(diào)整的一個優(yōu)化方案是，在3nm EUV光刻中引進穿透率達90%的掩模保護膜，供應商是本土公司S&S Tech。 EUV光刻與此案的ArF（氟化氬）曝光設備不同，光反射到鏡子后，再到晶片，因此光源損失很大。要想使光源損失降到最低，必須使用穿透率超過90%的EUV用保護膜，從而保護光罩。
三星這一調(diào)整，能否有效提高3nm GAA芯片的良率，還有待檢驗。
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