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解密長江存儲,靠啥打破全球存儲壟斷格局?

2022-12-31
來源:21ic

昨日,長江存儲官宣,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。昨日,紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司(下簡稱“長江存儲”)宣布,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。

對于長江存儲,大伙一定不陌生。早在成立之初,也就是2016年,就有業(yè)內(nèi)分析師稱其為打破壟斷而生。這種壟斷格局最可怕的是從未再有“新進(jìn)者”出現(xiàn),據(jù)當(dāng)時數(shù)據(jù)顯示,2015年,韓國的DRAM及NAND全球市場份額分別達(dá)73%%及43.7%。如果從存儲器的周期性計(jì),在2001至2010年期間,僅三星和海力士兩家盈利80億美元,而其它諸廠累積虧損達(dá)130億美元。存儲業(yè)的壟斷格局是一步步拼殺血洗出來的,更難打破。

此時長江存儲就寄托了中國沖擊和改寫集成電路格局的希望,自問世始便備受矚目。但長江存儲究竟是什么樣的存在,是其歷史、技術(shù)積累還有所負(fù)重任究竟如何?

長江存儲核心廠區(qū)近況(圖源:紫光集團(tuán)公眾號)

長江存儲的誕生

長江存儲是紫光集團(tuán)聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(下簡稱“大基金”)、湖北省科投等,于2016年在武漢注冊成立的企業(yè),專門負(fù)責(zé)武漢國家存儲器項(xiàng)目的運(yùn)營。成立伊始,長江存儲整合了已成立10年的武漢新芯集成電路制造有限公司(下簡稱“武漢新芯”)。

成立于2006年的武漢新芯,是湖北省和武漢市進(jìn)軍集成電路制造領(lǐng)域的產(chǎn)物。建成伊始,湖北省和武漢市把武漢新芯交給中芯國際運(yùn)營。但當(dāng)時,因中芯國際發(fā)展并不順利,尤其是技術(shù)上被臺積電訴訟侵權(quán)時,實(shí)際上無暇顧及武漢新芯的發(fā)展。

據(jù)寧南山一篇關(guān)于長江存儲發(fā)展史的文章介紹:成立時的武漢新芯當(dāng)時是想做DRAM的,但公司成立不久遭遇了DRAM的價格低谷周期,而不得不放棄DRAM的生產(chǎn)。于是,武漢新芯2008年9月開始為美國Spansion(飛索半導(dǎo)體)生產(chǎn)NAND Flash閃存,那個時候武漢新芯的技術(shù)水平還在65nm這個階段。

好景不長,飛索半導(dǎo)體遭遇經(jīng)濟(jì)危機(jī)之后業(yè)績一路下滑,武漢新芯在2010年訂單量急劇下降,而不得不尋求出售。其時,臺積電、美國美光、豪威都成為潛在合資對象,但由于國內(nèi)業(yè)界的呼吁及武漢市對自主創(chuàng)新的堅(jiān)持,最終放棄了合資計(jì)劃。

當(dāng)然合資未果還是帶來了機(jī)會,那就是美國豪威的圖像傳感器(豪威,索尼和三星是手機(jī)攝像頭的圖像傳感器芯片的高端三巨頭)開始找武漢新芯生產(chǎn)制造,但新芯公司仍處于艱難地步。于是2011年,中芯國際投資10億美元最終控股子武漢新芯。

但2011年,中芯國際的營收只有13.2億美元,凈利潤為大幅虧損2.47億美元,分別同比大幅下滑。因此,業(yè)內(nèi)有推斷認(rèn)為,中芯國際的10億美元注資計(jì)劃實(shí)際上最后沒有完成。最后,2013年,中芯國際退出了武漢新芯。

一切的開始都源于2014年,2014年10月14日,工信部辦公廳宣布國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金已經(jīng)于9月24日正式設(shè)立,并且透露這只基金將采用公司制形式。這個基金推動中國先進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。2016年3月武漢新芯宣布,將投資240億美元在武漢打造一個世界級的半導(dǎo)體存儲企業(yè),集中精力研究生產(chǎn)NAND FLASH和DRAM。

項(xiàng)目分三個階段部署,第一家工廠專注NAND閃存生產(chǎn),第二家工廠專注DRAM芯片生產(chǎn),第三個階段的設(shè)施將專為供應(yīng)商服務(wù)。

由于一直和飛索半導(dǎo)體(Spansion)合作制造NAND FLASH產(chǎn)品,所以武漢新芯還是選擇和Spansion合作研發(fā)新一代的32層3D NAND FLASH。遺憾的是,由于2017年上游的12英寸硅片被日本公司卡脖子,導(dǎo)致武漢新芯拿不到硅片產(chǎn)能,所以找中芯國際簽協(xié)議買硅片。

那么這一個整個項(xiàng)目下來的240億美元,是哪里的大風(fēng)給武漢新芯刮來這么多錢呢?正是集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、國開發(fā)展基金有限公司、湖北省科技投資集團(tuán)有限公司(以下簡稱省科投)共同出資并作為股東。

2016年7月,紫光集團(tuán)參與進(jìn)來,各方在武漢新芯公司的基礎(chǔ)上成立了長江存儲公司并控股武漢新芯。成立伊始,長江存儲整合了已成立10年的武漢新芯集成電路制造有限公司。當(dāng)中,紫光團(tuán)體占51.04%。

2017年1月,紫光集團(tuán)進(jìn)一步宣布投資300億美元(約2000億人民幣),在江蘇南京投資建設(shè)半導(dǎo)體存儲基地,一期投資100億美元,建成月產(chǎn)能10萬片,主要是生產(chǎn)3DNANDFLASH(閃存)、DRAM存儲芯片。

至此長江存儲正式成立并進(jìn)入研發(fā)生產(chǎn)階段。

長江存儲項(xiàng)目于 2016 年啟動,2018 年實(shí)現(xiàn)試投片(來源:長江存儲官網(wǎng))

2017年11月,趙偉國在央視《對話》節(jié)目中,首次展示了一顆價值10億美金的芯片。這是長江存儲的1800位工程師,歷時兩年打造的32層3DNANDFlash芯片。長江存儲,由此成為全球第5家能生產(chǎn)3DNANDFlash芯片的廠家。

所謂3DNAND,是一種全新閃存技術(shù)。如果將閃存中的存儲空間比作房子,那么2DNAND就是蓋平房,3DNAND就是蓋高樓,這樣就能大幅提高閃存的存儲速度與容量。

而當(dāng)長江搞定32層時,三星、海力士、美光們的64層芯片已經(jīng)成為主流,并正朝著96層邁進(jìn)。但就在今天(2019年9月2日)長江存儲正式對外宣布,其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256GbTLC3DNAND閃存(每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位,每個存儲單元為三個字位的三維閃存)正式量產(chǎn),以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。長江的這一突破意味著我國存儲技術(shù)與領(lǐng)先國家的差距又拉進(jìn)一大步。

何為Xtacking架構(gòu)?

講到這里,必須要提一下長江的Xtacking技術(shù)。2018年8月7日,在美國加州圣克拉拉召開的閃存峰會上,追趕中的長江存儲發(fā)布了Xtacking技術(shù),在閃存技術(shù)架構(gòu)上成功實(shí)現(xiàn)突破性創(chuàng)新。傳統(tǒng)的3DNAND芯片,通常是在同一片晶圓上,把存儲單元和邏輯電路一并加工出來。隨著層級不斷疊加,外圍邏輯電路的面積會越來越大,到更高層時,存儲密度會大幅降低。

Xtacking架構(gòu),則會將存儲單元和邏輯電路在兩片晶圓上分別加工,并各自選擇最先進(jìn)的制造工藝,用數(shù)百萬根金屬通道把兩者“接通”。這樣做的好處是,不但研發(fā)周期縮短三個月、生產(chǎn)周期縮短20%,閃存的最高存取速度更將大幅提升至DDR4內(nèi)存的水平。

而Xtacking架構(gòu)的64層3DNANDFlash閃存,其存儲密度能與其他廠商96層的相差無幾。

這意味著,長江在存儲芯片領(lǐng)域已闖過了迷茫探索期,更擁有了實(shí)施彎道超車的“殺手锏”。

但國外半導(dǎo)體巨頭們也不會停滯不前,坐視長江崛起,來與自己分一杯羹。

目前據(jù)IHS統(tǒng)計(jì)全球NANDFlash約為430-440萬片/季度,三星產(chǎn)量約為140-145萬片季度,海力士產(chǎn)量約為55-57萬片/季度,兩者份額之和占據(jù)全球產(chǎn)能近45.8%。


全球NAND產(chǎn)量分布情況(來源:DRAMexchang)

長江存儲一期主要產(chǎn)品為 3D NAND,預(yù)計(jì)投入 240 億美元(1612 億人民 幣),到 2020 年形成月產(chǎn)能 30 萬片的生產(chǎn)規(guī)模(分三期,每期 10 萬片 /月),到 2030 年建成每月 100 萬片的產(chǎn)能;而合肥長鑫項(xiàng)目主要產(chǎn)品 為 DRAM,預(yù)計(jì)投資額 72 億美元(484 億人民幣),規(guī)劃到 2019 年底一廠 實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能 2 萬片/月,2020 年開始規(guī)劃二廠建設(shè);福建晉華項(xiàng)目主要產(chǎn) 品為 DRAM,一期總投資 370 億人民幣(55 億美元),到 2019 年底一廠一 期項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)月產(chǎn) 6 萬片產(chǎn)能,到 2020 年底一廠二期同樣達(dá)產(chǎn) 6 萬片。

如新聞稿中長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華所說:“隨著5G,人工智能和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心時代的到來,閃存市場的需求將持續(xù)增長。長江存儲64層3DNAND閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)將為全球存儲器市場健康發(fā)展注入新動力。”機(jī)遇與艱難格局并存,長江存儲只顧風(fēng)雨兼程。



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