IT之家 11 月 7 日消息，雖然還沒有發(fā)布任何實際產品，但三星電子現宣布已經開始大規(guī)模生產其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202211/440103.htm

新一代存儲芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度，當搭配高端主控使用時，它可使得消費級 SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。

據介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒有公開 IC 的大小和實際密度，不過他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。

三星聲稱，與現有相同容量的閃存芯片相比，其新一代 3D NAND 閃存可提高 20% 的單晶生產率，從而進一步降低了成本（在良率相同的情況下），這可能意味著大家有望買到同容量更便宜的固態(tài)硬盤。

該公司沒有透露新品架構，但根據提供的圖像，我們可以假設這是一種雙平面 3D NAND 芯片。

三星電子閃存產品與技術執(zhí)行副總裁 SungHoi Hur 表示:“由于市場對更密集、更大容量存儲的需求推動了更高的 V-NAND 層數，三星采用了先進的 3D 壓縮技術，以減少表面積和高度，同時避免通常在壓縮時出現的單元間干擾。”“我們第 8 代 V-NAND 將有助于滿足快速增長的市場需求，并使我們更好地提供更多差異化的產品和解決方案，這將是未來存儲創(chuàng)新的基礎?！?/p>

今年年中，三星推出了其第八代和第九代 V-NAND 產品以及第五代 DRAM 產品。在此之前，該公司目前為 V-NAND 提供 512 Gb 三級單元 (TLC) 產品。

此外，第五代 DRAM 產品將是 10nm (1b) 器件，將于 2023 年進入量產階段。IT之家了解到，三星即將推出的其它 DRAM 解決方案還包括 32 Gb DDR5 解決方案、8.5 Gbps LPDDR5X DRAM 和 36 Gbps GDDR7 DRAM。

三星對其 V-NAND 聲稱，到 2030 年，它將打造出 1000 層的 V-NAND。為了實現這一目標，三星正在從其當前的 TLC 架構過渡到四級單元 (QLC) 架構，以提高密度并啟用更多層。

三星還將在 DRAM 研發(fā)上投入更多資源，研究新的架構和材料，例如 High-K，以幫助將 DRAM 擴展到 10nm 以上。該公司打算進一步開發(fā)其它 DRAM 解決方案，例如內存處理 (PIM)。

更多信息可以來這里獲取==>>電子技術應用-AET<<