1／ DUV和EUV被限，國內(nèi)擴(kuò)產(chǎn)邏輯破了？

光刻機(jī)大致分為兩類：

1）DUV深紫外線光刻機(jī)：可以制備0．13um到28／14／7nm芯片；

2）EUV極紫外線光刻機(jī)：適合7nm到5／4／3nm以下芯片。

目前情況下DUV光刻機(jī)并不限制中國，還在正常供應(yīng)，因?yàn)楣?yīng)商主要來自于歐洲荷蘭的ASML以及日本Nikon、佳能，并不直接受美國禁令，但EUV目前并未買到。

回顧光刻機(jī)的歷史，我們發(fā)現(xiàn)：DUV技術(shù)由日本和荷蘭獨(dú)立發(fā)展：自2006年超越尼康成為全球光刻機(jī)龍頭以后，其行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位維持至今。同時(shí)，由于核心浸沒式技術(shù)主要來自臺積電，所以美國在DUV領(lǐng)域不具備統(tǒng)治地位，ASML向中國出貨DUV光刻機(jī)也無需得到美國授權(quán)。

EUV自出生就被美國從資本和技術(shù)層面全面掌控（與DUV有本質(zhì)的不同）：1997年EUV LLC聯(lián)盟成立，由英特爾和美國政府牽頭成。ASML在2007年收購美國Brion，獲取了光刻技術(shù)后，成功開啟并購美國光刻企業(yè)之路。至此，美國開始在EUV技術(shù)方面滲入ASML。2012年，英特爾、三星、臺積電共同買入ASML23％的股權(quán)，獲得了ASML光刻機(jī)的優(yōu)先供貨權(quán)，成為了利益共同體。

2／ 有了光刻機(jī)就能造芯片？

其實(shí)光刻只是半導(dǎo)體前道7大工藝環(huán)節(jié)（光刻、刻蝕、沉積、離子注入、清洗、氧化、檢測）中的一個(gè)環(huán)節(jié)，雖然是最重要的環(huán)節(jié)之一，但是離開了其他6個(gè)環(huán)節(jié)中的任何一個(gè)都不行。

集成電路的制造工藝分為“三大四小”工藝：三大（75％）：光刻、刻蝕、沉積；四?。?5％）：清洗、氧化、檢測、離子注入。

一般情況下光刻占整條產(chǎn)線設(shè)備投資的30％，與刻蝕機(jī)（25％）、PVD／CVD／ALD（25％）并列成為最重要的三大前道設(shè)備之一，所以并不是有了光刻機(jī)就能造芯片，光刻只是芯片制造工藝流程的中的一個(gè)，還需要其他6大前道工藝設(shè)備的支撐，其重要程度與光刻機(jī)同等重要。

3／ 中國最緊迫的是造出光刻機(jī)？

其實(shí)目前中國并不缺光刻機(jī)，缺的是其他6大類被美國廠商把持的工藝設(shè)備（沉積、刻蝕、離子注入、清洗、氧化、檢測）。

中國半導(dǎo)體未來將從全部外循環(huán)，轉(zhuǎn)向外循環(huán)＋內(nèi)循環(huán)的雙循環(huán)架構(gòu)，基于半導(dǎo)體是全球化深度分工的現(xiàn)實(shí)，外循環(huán)也就是團(tuán)結(jié)非美系設(shè)備商依舊是重點(diǎn)和現(xiàn)實(shí)的選擇。

目前前道設(shè)備格局是：1）光刻機(jī)：由歐洲ASML和日本Nikon和Canon壟斷；2）刻蝕、沉積、離子注入、清洗、氧化、檢測設(shè)備：由美國和日本壟斷，其中檢測設(shè)備由美系的KLA深度壟斷。

所以現(xiàn)在中國半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)大背景下的內(nèi)外雙循環(huán)的當(dāng)務(wù)之急是依靠國產(chǎn)和聯(lián)合歐洲、日本去替代美國把持的非光刻設(shè)備，所以，與絕大多數(shù)人理解的不同，中國半導(dǎo)體制造并不缺光刻機(jī)。

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