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三星官宣3nm芯片已量產(chǎn),反超臺積電

2022-07-02
來源:電子創(chuàng)新網(wǎng)
關(guān)鍵詞: 三星 3nm芯片 臺積電

  今天,三星電子在官網(wǎng)宣布,公司位于韓國的華城工廠已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)3nm制程半導體芯片,是全球首家量產(chǎn)3nm芯片的公司。

  

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  這意味著,在新一代芯片工藝的節(jié)點上,三星成功實現(xiàn)了對臺積電的彎道超車,搶先拿下了3nm芯片市場。

  根據(jù)三星官方介紹,在3nm芯片上,其放棄了之前的FinFET架構(gòu),采用了新的GAA晶體管架構(gòu),大幅改善了芯片的功耗表現(xiàn)。

  與5nm相比,新開發(fā)的3nm工藝能夠降低45%的功耗,減少16%的面積,并同時提升23%的性能。

  不過,雖然在3nm工藝上三星拔得頭籌,但這并不代表三星在芯片代工市場上就能夠一帆風順。

  一方面,臺積電正在計劃于2025年實現(xiàn)2nm芯片的量產(chǎn),這意味著三星方面需要加緊新技術(shù)的研發(fā)工作,以防在下一代新技術(shù)上被臺積電反超。

  另一方面,由于4nm制程芯片的功耗問題,高通等重要客戶對三星的3nm制程工藝目前都保持觀望態(tài)度,不敢隨意進行嘗試。





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