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摩爾定律仍將延續(xù),IMEC:已制定1nm以下至A2制程設計路徑

2022-05-26
來源: 全球半導體觀察
關鍵詞: IMEC 1nm

  根據外媒《eeNews》的報導,比利時微電子研究中心(IMEC)執(zhí)行長Luc van den Hove日前在Futures conference大會上表示,相信摩爾定律(Moore’s law)不會終結,但需要很多方面共同做出貢獻。對此,IMEC就提出了1納米以下至2埃米(A2)的半導體制程技術和芯片設計的路徑,藉以進一步延續(xù)摩爾定律。

  報導指出,Luc van den Hove提到了幾代器件架構,從FinFET器件到插板和原子通道器件,以及新材料和ASML的High-NA曝光機的導入,這都需要很多年的時間。而ASML目前正在安裝的High-NA曝光機的原型設備,將在2024年投入商用。Luc van den Hove表示,曝光工具將把摩爾定律擴展到相當于1納米節(jié)點以下。

  Luc van den Hove強調,為了邁向更先進制程,需要開發(fā)新的器件架構,以及推動標準單元的微縮。在FinFET已經成為從10納米到3納米的主流技術的基礎上,從2納米開始,由納米片堆疊而成的GAA架構將是最有可能的概念。

  Luc van den Hove還提到了IMEC開發(fā)的forksheet架構,“這使得我們可以用屏障材料將N和P通道更緊密地連接在一起,這將是一種將柵極擴展到超過1納米制程的選擇。接下來,可以把N和P通道放在一起,以進一步擴大規(guī)模,而我們已經開發(fā)了這些架構的第一個版本。”

  另外,使用鎢或鉬的新材料,可以為2028年的1納米(A10)制程和2034年的4埃米(A4)制程,和2036年的2埃米(A2)制程結構制造出相當于幾個原子長度的柵極。

  而與此同時,互聯(lián)性能也需要改善?!耙粋€有趣的選擇是將電力輸送移到晶圓的背面。這為前端的互聯(lián)留下了更多的設計靈活性。而以上這些所有的新材料與技術,都預計導致未來15到20年的規(guī)模芯片制造的擴大?!?/p>

  Luc van den Hove進一步指出,未來的系統(tǒng)芯片設備將使用TSV和微凸點技術進行芯片的3D堆疊,并使用不同制程芯片來完成不同的任務,使得多個3D芯片需要連接在一個硅中介層上。


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