根據(jù)外媒《eeNews》的報(bào)導(dǎo)，比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）執(zhí)行長(zhǎng)Luc van den Hove日前在Futures conference大會(huì)上表示，相信摩爾定律(Moore’s law)不會(huì)終結(jié)，但需要很多方面共同做出貢獻(xiàn)。對(duì)此，IMEC就提出了1納米以下至2埃米（A2）的半導(dǎo)體制程技術(shù)和芯片設(shè)計(jì)的路徑，藉以進(jìn)一步延續(xù)摩爾定律。

　　報(bào)導(dǎo)指出，Luc van den Hove提到了幾代器件架構(gòu)，從FinFET器件到插板和原子通道器件，以及新材料和ASML的High-NA曝光機(jī)的導(dǎo)入，這都需要很多年的時(shí)間。而ASML目前正在安裝的High-NA曝光機(jī)的原型設(shè)備，將在2024年投入商用。Luc van den Hove表示，曝光工具將把摩爾定律擴(kuò)展到相當(dāng)于1納米節(jié)點(diǎn)以下。

　　Luc van den Hove強(qiáng)調(diào)，為了邁向更先進(jìn)制程，需要開發(fā)新的器件架構(gòu)，以及推動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)單元的微縮。在FinFET已經(jīng)成為從10納米到3納米的主流技術(shù)的基礎(chǔ)上，從2納米開始，由納米片堆疊而成的GAA架構(gòu)將是最有可能的概念。

　　Luc van den Hove還提到了IMEC開發(fā)的forksheet架構(gòu)，“這使得我們可以用屏障材料將N和P通道更緊密地連接在一起，這將是一種將柵極擴(kuò)展到超過(guò)1納米制程的選擇。接下來(lái)，可以把N和P通道放在一起，以進(jìn)一步擴(kuò)大規(guī)模，而我們已經(jīng)開發(fā)了這些架構(gòu)的第一個(gè)版本?！?/p>

　　另外，使用鎢或鉬的新材料，可以為2028年的1納米（A10）制程和2034年的4埃米（A4）制程，和2036年的2埃米（A2）制程結(jié)構(gòu)制造出相當(dāng)于幾個(gè)原子長(zhǎng)度的柵極。

　　而與此同時(shí)，互聯(lián)性能也需要改善?！耙粋€(gè)有趣的選擇是將電力輸送移到晶圓的背面。這為前端的互聯(lián)留下了更多的設(shè)計(jì)靈活性。而以上這些所有的新材料與技術(shù)，都預(yù)計(jì)導(dǎo)致未來(lái)15到20年的規(guī)模芯片制造的擴(kuò)大。”

　　Luc van den Hove進(jìn)一步指出，未來(lái)的系統(tǒng)芯片設(shè)備將使用TSV和微凸點(diǎn)技術(shù)進(jìn)行芯片的3D堆疊，并使用不同制程芯片來(lái)完成不同的任務(wù)，使得多個(gè)3D芯片需要連接在一個(gè)硅中介層上。