《電子技術(shù)應(yīng)用》
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TEL熊本研發(fā)中心啟用 瞄準(zhǔn)1nm級制程設(shè)備

2025-10-16
來源:芯智訊

根據(jù)《日經(jīng)新聞》報導(dǎo),日本半導(dǎo)體設(shè)備大廠Tokyo Electron(TEL)于10月15日對外宣布,其位于日本熊本的新研發(fā)大樓(Process Development Building)已正式落成,將做為公司推進新一代半導(dǎo)體制程設(shè)備研發(fā)的核心基地,預(yù)計2026年春季投入運營。

據(jù)了解,這棟新落成的大樓座落于熊本縣合志市,總建筑面積約27,000平方米,投資規(guī)模約470億日)。該設(shè)施為TEL旗下制造與研發(fā)子公司Tokyo Electron Kyushu 所屬,主要負責(zé)涂布/顯影設(shè)備(coater-developers)、清洗系統(tǒng)(cleaning systems)以及3D 封裝設(shè)備(含晶圓鍵合機,wafer bonders) 的設(shè)計與制造。

隨著全球數(shù)位化浪潮與AI 應(yīng)用需求激增,TEL正鎖定“更精細制程(finer scaling)”與“更高整合度(higher integration)”兩大方向著力研發(fā)。該公司預(yù)期,其設(shè)備技術(shù)未來有望延伸至1nm級的先進制程領(lǐng)域。

在技術(shù)合作方面,TEL亦攜手荷蘭ASML 以及比利時imec 等國際機構(gòu),攜手推動先進極紫外光(EUV)技術(shù)與下一代材料的研發(fā)。TEL指出,隨著線寬日益縮小、制程日趨復(fù)雜,化學(xué)試劑與用水用量也隨之攀升,因此未來在節(jié)能、減少化學(xué)品使用、降低水耗方面的環(huán)保技術(shù)將是關(guān)鍵,目標(biāo)在維持性能提升之余,也能壓低先進制程的制造成本并減少碳排放。

面對短期市場波動與中國設(shè)備需求衰退的挑戰(zhàn),TEL對中長期前景仍抱持信心。公司計劃在2024至2029會計年度期間投入超過1.5萬億日元于研發(fā)領(lǐng)域,相較于前五年增幅約90%,目的在穩(wěn)固下一代制程及提升設(shè)備效率的技術(shù)實力。

近年來,熊本地區(qū)正在快速發(fā)展成為日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新聚落。除臺積電之外,包括索尼以及一些材料與設(shè)備公司也已落地當(dāng)?shù)?。TEL這座新研發(fā)大樓完工后預(yù)期可進一步加深與臺積電之間的合作關(guān)系,促進先進曝光技術(shù)與涂布/顯影設(shè)備的驗證與聯(lián)合開發(fā)。

值得注意的是,先前臺積電的機密外泄案引起關(guān)注,未來雙方的信任與合作是否將因此受到影響,仍有待觀察。


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