2022 年 4 月 7 日，中國——意法半導體 VIPerGaN50能夠簡化最高50 W的單開關反激式功率變換器設計，并集成一個 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管，使電源的能效和小型化達到更高水平。 

VIPerGaN50 采用單開關拓撲，集成很多功能，包括內(nèi)置電流采樣和保護電路，采用低成本的 5mm x 6mm 緊湊封裝。芯片內(nèi)部集成的GaN 晶體管可應用于高開關頻率，從而減小反激變換器的體積和重量。使用這款產(chǎn)品設計先進的高能效開關電源 (SMPS)，可顯著減少外圍元器件的數(shù)量。 

VIPerGaN50 可幫助設計人員利用 GaN 寬禁帶技術來滿足日益嚴格的生態(tài)設計規(guī)范，在全球?qū)崿F(xiàn)節(jié)能降耗和凈零碳排放。目標應用包括消費電源和工業(yè)電源，例如，電源適配器、USB-PD 充電器，以及家用電器、空調(diào)、LED 照明設備和智能儀表的電源。

 該變換器有多種不同的工作模式，在所有輸入電壓和負載條件下，可最大限度提高電源能效。在高負載下，準諧振 (QR) 模式配合零壓開關可最大限度地減少導通損耗和電磁輻射 (EMI)。在輕負載下，跳谷底模式可以控制開關損耗，并利用意法半導體專有的谷底鎖定技術防止產(chǎn)生人耳可以聽到的噪聲。頻率折返模式配合零壓開關可確保在輕負載條件下實現(xiàn)盡可能高的能效。自適應間歇工作模式可以在極低負載條件下最大程度降低功率損耗。此外，先進的電源管理功能可將待機功率降至 30mW 以下。

芯片內(nèi)置功能確保電源的安全性和可靠性，包括輸出過壓保護、brown-in/brown-out，以及輸入過壓保護。還提供輸入電壓前饋補償，以最大限度地減少輸出峰值功率變化。其他安全功能包括嵌入式過溫保護和最大限度地減少 EMI的頻率抖動功能。

VIPerGaN50 現(xiàn)已投產(chǎn)，采用 5mm x 6mm QFN 封裝。該器件有免費樣片，可在意法半導體的網(wǎng)上商城 eSTore 上申購。