本文來(lái)自方正證券研究所2022年2月07日發(fā)布的報(bào)告《東芯股份：NAND、NOR、DRAM多品類布局引領(lǐng)國(guó)產(chǎn)閃存制程突破》，欲了解具體內(nèi)容，請(qǐng)閱讀報(bào)告原文，陳杭S1220519110008  

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CPU l 面板 l RF l CMOS l FPGA l 光刻機(jī) l EDA

封測(cè) l OLED l LCD l 設(shè)備 l 材料 l IP l 功率 l SiCGaN l 第三代 l 汽車半導(dǎo)體 l 濾波器 l 模擬 l 射頻 基帶 l 大硅片 l PA l MOSFET l 光刻膠 l RISC－VIGBT l NOR l Mini－LED l 代工 l 偏光片 l ODM華為 l 特斯拉 l 小米 l 刻蝕機(jī) l MLCC l 電源管理 高通 l 被動(dòng)元器件 l CREE l 三星 l MCU l 臺(tái)積電DRAM l AIoT l MLCC l 儲(chǔ)能 l 鈉離子 l 電子氣體激光雷達(dá) l  SoC  l 京東方 l 三安光電 l 北方華創(chuàng)

聚焦中小容量通用型存儲(chǔ)芯片，國(guó)內(nèi)少數(shù)可以同時(shí)提供NAND、NOR、DRAM完整解決方案的公司。東芯股份打造以低功耗、高可靠性為特點(diǎn)的多品類存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品，公司設(shè)計(jì)研發(fā)的24nmNAND、48nm NOR均為我國(guó)領(lǐng)先的閃存芯片工藝制程，已達(dá)到可量產(chǎn)水平，實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)閃存芯片的技術(shù)突破。  

NAND Flash：核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)明顯，產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)向車規(guī)級(jí)邁進(jìn)。公司聚焦平面型SLC NAND Flash的設(shè)計(jì)與研發(fā)，主要產(chǎn)品采用浮柵型工藝結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)容量覆蓋1Gb至8Gb，可靈活選擇SPI或PPI類型接口，搭配3．3V／1．8V兩種電壓。公司的SLC NAND Flash產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于如5G通訊模塊和集成度要求較高的終端系統(tǒng)運(yùn)行模塊。公司NAND Flash產(chǎn)品核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)明顯，尤其是SPI NAND Flash，公司采用了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的單顆集成技術(shù)，有效節(jié)約了芯片面積，降低了產(chǎn)品成本，提高了公司產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。公司產(chǎn)品不僅在工業(yè)溫控標(biāo)準(zhǔn)下單顆芯片擦寫(xiě)次數(shù)已經(jīng)超過(guò)10萬(wàn)次，同時(shí)可在－40℃到105℃的極端環(huán)境下保持?jǐn)?shù)據(jù)有效性長(zhǎng)達(dá)10年，產(chǎn)品可靠性逐步從工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)向車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)邁進(jìn)。 

NOR Flash：下游新興應(yīng)用領(lǐng)域需求持續(xù)擴(kuò)大，公司適時(shí)推出針對(duì)性產(chǎn)品推動(dòng)銷量增長(zhǎng)。公司自主設(shè)計(jì)的 SPI NOR Flash 存儲(chǔ)容量覆蓋2Mb至256Mb，并支持多種數(shù)據(jù)傳輸模式，公司的產(chǎn)品主要被用于存儲(chǔ)代碼程序，產(chǎn)品制程已達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的48nm。公司NOR系列產(chǎn)品的銷量由2018年度的4688．05萬(wàn)顆增長(zhǎng)至2020年度的9438．63萬(wàn)顆，增長(zhǎng)主要源于國(guó)產(chǎn)替代形勢(shì)下，下游新興應(yīng)用領(lǐng)域尤其是可穿戴設(shè)備的需求持續(xù)擴(kuò)大，公司適時(shí)推出針對(duì)性的產(chǎn)品，應(yīng)用于傳音控股、麥博韋爾等優(yōu)質(zhì)終端客戶。 

DRAM：產(chǎn)品轉(zhuǎn)向通用型、標(biāo)準(zhǔn)化，逐步實(shí)現(xiàn)下游應(yīng)用領(lǐng)域向工業(yè)級(jí)的延伸拓展。公司DRAM產(chǎn)品經(jīng)有多年技術(shù)沉淀，具有類型豐富、應(yīng)用領(lǐng)域較寬的特點(diǎn)。公司研發(fā)的DDR3系列是可以傳輸雙倍數(shù)據(jù)流的DRAM產(chǎn)品，具有高帶寬、低延時(shí)等特點(diǎn)，在通訊設(shè)備、移動(dòng)終端等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛；公司針對(duì)移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)的低功耗需求，自主研發(fā)的LPDDR系列產(chǎn)品具有低功耗、高傳輸速度等特點(diǎn)，適合在智能終端、可穿戴設(shè)備等產(chǎn)品中使用。公司結(jié)合市場(chǎng)需求變化，正逐步實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品客制化向通用型、標(biāo)準(zhǔn)化方向的轉(zhuǎn)變及下游應(yīng)用領(lǐng)域由消費(fèi)級(jí)向工業(yè)級(jí)的延伸擴(kuò)展。 

存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品價(jià)格存在周期性波動(dòng)，公司經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)依賴下游市場(chǎng)供需情況。存儲(chǔ)芯片作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“風(fēng)向標(biāo)”，其在單價(jià)及數(shù)量上均呈現(xiàn)較強(qiáng)的周期性變化。周期性的主要原因?yàn)榇鎯?chǔ)芯片的產(chǎn)品通用性及市場(chǎng)集中度較高，為了維持存儲(chǔ)產(chǎn)品的市場(chǎng)份額，各廠商都會(huì)選擇在行業(yè)景氣度上行周期擴(kuò)產(chǎn)增收、在景氣度下行周期降價(jià)清理庫(kù)存，進(jìn)而導(dǎo)致產(chǎn)能與下游市場(chǎng)需求不匹配的情況，從而導(dǎo)致價(jià)格波動(dòng)，影響公司經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)。 

規(guī)模效應(yīng)逐步顯現(xiàn)，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化，高附加值產(chǎn)品占比提升，公司盈利能力巨幅增長(zhǎng)。公司預(yù)計(jì)2021年全年歸母凈利潤(rùn)區(qū)間2．．45億元－2．75億元，同比增長(zhǎng)1154％－1308％；扣非歸母凈利潤(rùn)區(qū)間2．37億元－2．67億元，同比增長(zhǎng)1250％－1421％，盈利能力增幅巨大。盈利能力的巨幅增長(zhǎng)主要受益于：公司產(chǎn)品市場(chǎng)需求旺盛，隨著公司產(chǎn)品線的不斷豐富，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化，高附加值產(chǎn)品占比提升，對(duì)完成導(dǎo)入期的客戶銷售規(guī)模逐步擴(kuò)大、規(guī)模效應(yīng)逐步顯現(xiàn)，使得公司閃存芯片銷售規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，公司經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)同比上升，從而銷售毛利率較上年同期提升。 

盈利預(yù)測(cè)：我們預(yù)計(jì)公司2021－2023年?duì)I收12．0／16．0／21．0億元，歸母凈利潤(rùn)2．5／3．2／4．0億元，首次覆蓋，給予“推薦”評(píng)級(jí)。

風(fēng)險(xiǎn)提示：1）產(chǎn)品價(jià)格波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)；2）產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)風(fēng)險(xiǎn)；3）下游行業(yè)景氣度不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)。