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第三代半導(dǎo)體又突破了!意法半導(dǎo)體造出首批8英寸SiC

2021-07-30
來(lái)源:光電資訊
關(guān)鍵詞: 第三代 半導(dǎo)體 8英寸 SiC

  從半導(dǎo)體的斷代法來(lái)看,硅(Si)、鍺(Ge)為第一代半導(dǎo)體,特別是 Si,構(gòu)成了一切邏輯器件的基礎(chǔ),我們的 CPU、GPU 的算力,都離不開(kāi) Si 的功勞;砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為第二代半導(dǎo)體的代表,其中 GaAs 在射頻功放器件中扮演重要角色,InP 在光通信器件中應(yīng)用廣泛……

  而到了半導(dǎo)體的第三代,就涌現(xiàn)出了碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石(C)、氮化鋁(AlN)等新興材料。第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化,也需要在各個(gè)方面尋找到平衡。

  一代、二代、三代半導(dǎo)體之間,并非簡(jiǎn)單的取代關(guān)系,行業(yè)足夠大、需求足夠多樣,每一種材料都會(huì)找到適合的需求空間。

  對(duì)于第三代半導(dǎo)體材料而言,一般射頻器件主要采用 GaN,功率器件主要采用 SiC 和 GaN。

  在5G和新能源汽車(chē)等新市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體材料有望迎來(lái)加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無(wú)法完全滿(mǎn)足5G和新能源汽車(chē)的需求,碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)被放大。

  另外,制備技術(shù)的進(jìn)步使得碳化硅和氮化鎵器件成本不斷下降,碳化硅和氮化鎵的性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)將充分顯現(xiàn)。初步判斷,第三代半導(dǎo)體未來(lái)的核心增長(zhǎng)點(diǎn)將集中在碳化硅和氮化鎵各自占優(yōu)勢(shì)的領(lǐng)域。

  27日,意法半導(dǎo)體(ST)宣布,其瑞典北雪平工廠制造出首批200mm(8英寸)碳化硅(SiC)晶圓片,將用于生產(chǎn)下一代電力電子芯片的產(chǎn)品原型。

  該公司表示,SiC晶圓升級(jí)到200mm標(biāo)志著意法半導(dǎo)體面向汽車(chē)和工業(yè)客戶(hù)的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃取得重要的階段性成功,與150mm晶圓相比,200mm晶圓可增加產(chǎn)能,將制造集成電路可用面積幾乎擴(kuò)大一倍,合格芯片產(chǎn)量是150mm晶圓的1.8-1.9倍。

  此外,意法半導(dǎo)體正在與供應(yīng)鏈上下游技術(shù)廠商合作開(kāi)發(fā)自己的制造設(shè)備和生產(chǎn)工藝。

  意法半導(dǎo)體是國(guó)際功率半導(dǎo)體大廠,且專(zhuān)注于車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體。據(jù)Strategy Analytics新發(fā)布的《2020年汽車(chē)半導(dǎo)體廠商市場(chǎng)份額報(bào)告》顯示,意法半導(dǎo)體與英飛凌、恩智浦、瑞薩、德州儀器為全球Top 5汽車(chē)半導(dǎo)體供應(yīng)商,2020年這五家供應(yīng)商共占據(jù)了全球汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)近49%的份額。




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