與非網(wǎng)6月18日訊 美商設(shè)備大廠應(yīng)用材料在芯片布線技術(shù)上取得重大突破,提出推一種全新的先進(jìn)邏輯芯片布線工藝技術(shù),可微縮到 3nm 及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)。
應(yīng)用材料表示,全新的 Endura Copper Barrier Seed IMS 解決方案在高真空條件下,可將七種不同工藝技術(shù)集成到了一個(gè)系統(tǒng)中,從而使芯片性能和功耗得到改善。
雖然晶體管尺寸縮小能夠使其性能提升,但這對(duì)互連布線中的影響卻恰恰相反:互連線越細(xì),電阻越大,導(dǎo)致性能降低和功耗增加。從 7nm 節(jié)點(diǎn)到 3nm 節(jié)點(diǎn),如果沒有材料工程技術(shù)上的突破,互連通孔電阻將增加 10 倍,抵消了晶體管縮小的優(yōu)勢(shì)。
應(yīng)用材料公司開發(fā)一種名為 Endura Copper Barrier Seed IMS 的全新材料工程解決方案。這個(gè)整合材料解決方案在高真空條件下將 ALD、PVD、CVD、銅回流、表面處理、界面工程和計(jì)量這七種不同的工藝技術(shù)集成到一個(gè)系統(tǒng)中。
其中,ALD 選擇性沉積取代了 ALD 共形沉積,省去了原先的通孔界面處高電阻阻擋層。解決方案中還采用了銅回流技術(shù),可在窄間隙中實(shí)現(xiàn)無空洞的間隙填充。通過這一解決方案,通孔接觸界面的電阻降低了 50%,芯片性能和功率得以改善,邏輯微縮也得以繼續(xù)至 3nm 及以下節(jié)點(diǎn)。
應(yīng)用材料公司高級(jí)副總裁、半導(dǎo)體產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理珀拉布珀拉布?拉賈表示:“每個(gè)智能手機(jī)芯片中有上百億條銅互連線,光是布線的耗電量就占到整個(gè)芯片的三分之一。在真空條件下整合多種工藝技術(shù)使我們能夠重新設(shè)計(jì)材料和結(jié)構(gòu),從而讓消費(fèi)者擁有功能更強(qiáng)大和續(xù)航時(shí)間更長(zhǎng)的設(shè)備。這種獨(dú)特的整合解決方案可幫助客戶改善性能、功率和面積成本?!?/p>
此外,應(yīng)用材料也指出,Endura Copper Barrier Seed IMS 系統(tǒng)現(xiàn)已被客戶運(yùn)用在全球領(lǐng)先的邏輯節(jié)點(diǎn)代工廠生產(chǎn)中。有關(guān)該系統(tǒng)和其它邏輯微縮創(chuàng)新的更多信息已在美國(guó)時(shí)間6月16日舉行的應(yīng)用材料公司 2021邏輯大師課上進(jìn)行了討論。
應(yīng)用材料公司是材料工程解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者,全球幾乎每一個(gè)新生產(chǎn)的芯片和先進(jìn)顯示器的背后都有應(yīng)用材料公司的身影。應(yīng)用材料同時(shí)為三星、英特爾(INTC.US)和臺(tái)積電(TSM.US)提供產(chǎn)品。該公司公布第二財(cái)季營(yíng)收為56億美元,同比增長(zhǎng)41%,為2017年以來的最高增速。該公司預(yù)計(jì)全年利潤(rùn)為57億美元,營(yíng)收為226億美元。