《電子技術(shù)應(yīng)用》
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關(guān)于長鑫存儲的一些“冷靜聲音”

2021-06-08
來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察
關(guān)鍵詞: 長鑫存儲 芯片 DRAM

  近日,在數(shù)據(jù)存儲行業(yè)擁有四十多年經(jīng)驗的Tom Coughlin發(fā)表了一份名為《ChangXin Memory Technologies: China's Rising DRAM Manufacturer》的報告。在報告中他指出,中國作為一個電子產(chǎn)品制造和消費大國,每年卻進口了大部分的芯片

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  以DRAM為例,數(shù)據(jù)統(tǒng)計顯示,DRAM內(nèi)存芯片占2020年中國集成電路市場的19%,但中國廠商在當(dāng)中的份額小到甚至可以忽略不計,包括三星、SK海力士和美光在內(nèi)的三大廠商總共生產(chǎn)了全球大約86%的DRAM晶圓,貢獻了全球DRAM產(chǎn)業(yè)95%的營收。

  據(jù)報告所說,中國的DRAM主要是來自長鑫存儲。自2016年啟動以來,長鑫存儲項目就受到海內(nèi)外各界的高度關(guān)注。報告進一步指出,在2020年,長鑫存儲已經(jīng)向一些國內(nèi)品牌出售了其LPDDR4和DDR4內(nèi)存模組。

  他同時在報告中強調(diào),長鑫存儲雖然取得了一些進步,但預(yù)估都不會對全球DRAM格局造成任何影響。

  融資與技術(shù)并進

  據(jù)報告披露,長鑫存儲最初是在合肥產(chǎn)業(yè)投資資金和兆易創(chuàng)新的少量戰(zhàn)略投資支持下于2016年啟動。其中,合肥產(chǎn)業(yè)投資資金是由合肥當(dāng)?shù)仄髽I(yè)組建的一個投資基金,兆易創(chuàng)新則是中國領(lǐng)先的NOR Flash和MCU供應(yīng)商。值得一提的是,長鑫存儲董事長朱一明也是兆易創(chuàng)新的創(chuàng)始人。

  自成立以來,長鑫存儲就一直專注于DRAM技術(shù)研發(fā),公司的員工也發(fā)展到4000多名,并開始陸續(xù)在市場上出貨。而從去年年底開始,有關(guān)長鑫存儲融資的消息一直在市場上醞釀,但我們沒看到任何官方的公告。從這個報告我們可以看到,2020年12月,長鑫存儲完成了第二輪,約合23.9億美元的融資,而后其股權(quán)信息變更如下。從這些主要股東構(gòu)成來看,可以看到長鑫存儲的主要股東都是來自民間的一些資本。

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  正如報告所說,現(xiàn)在DRAM產(chǎn)業(yè)微縮的困難既成事實,為保持在產(chǎn)品密度上的競爭力,需要投入更密集的研發(fā)和制造資金。而長鑫存儲現(xiàn)在每年的資本支出約為20億美元。這些支出除了自研之外,公司還從奇夢達和Rambus等公司處獲得了相關(guān)的IP授權(quán)。

  報告指出,長鑫存儲在中國大陸擁有超過3000項專利,并從幾家國際公司獲得了超過30000項專利的授權(quán)。在全球范圍內(nèi),長鑫存儲也有幾百項專利。最近長鑫存儲在美國的專利申請中也表現(xiàn)得非?;钴S。

  “他們還從大型專利組合中購買了國際專利(最顯著的是他們在2019年購買了奇夢達DRAM專利)。長鑫還將繼續(xù)從多個來源授權(quán)技術(shù)和專利,并維持知識產(chǎn)權(quán)授權(quán)的年度預(yù)算。2019年,長鑫存儲和Rambus公開宣布其已獲得Rambus DRAM專利組合的許可?!眻蟾鎻娬{(diào)。

  得益于這些廣泛的技術(shù)布局,長鑫存儲的DRAM已經(jīng)被用于中國本土消費的電子產(chǎn)品上,用途包括用于個人電腦的DDR4內(nèi)存和用于手機的LPDDR4內(nèi)存模塊。

  根據(jù)Digitimes的報道,長鑫存儲的這些DRAM都是在19nm工藝上打造的。而從專業(yè)分析機構(gòu)Techinsights的拆解中我們可以看到,長鑫產(chǎn)品的性能與三星、美光和SK hynix當(dāng)前主流的15nm以下工藝DRAM相當(dāng)。

  按照報告的說法,長鑫存儲的下一代產(chǎn)品預(yù)計在2022年到來,屆時這些產(chǎn)品將具備17nm到18nm的特性尺寸,仍落后于市場上主要的DRAM競爭對手,后者屆時將發(fā)展到15nm以下的光刻節(jié)點。以美光為例,美國存儲大廠早前宣布,其基于 1α工藝DRAM打造的8Gb和16Gb的DDR4和LPDDR4 開始出貨,SK海力士和三星基于EUV工藝打造的新DRAM也在路上。

  來到長鑫存儲方面,按照報告的說法:“長鑫存儲比美光目前的DRAM產(chǎn)品落后幾代光刻技術(shù)。因此,該公司短期內(nèi)不太可能需要EUV技術(shù),如果他們追隨美光在更多幾代光刻產(chǎn)品中使用多圖案技術(shù)的話,那將更是如此?!?/p>

  與國外差距依然明顯

  在前面的介紹中我們已經(jīng)講到,長鑫存儲目前已經(jīng)在出貨。

  據(jù)報告披露,2020年,長鑫每月交付的DRAM晶圓約占全球DRAM晶圓總量的2.9%,這一切都是基于公司所擁有的65000平方米的潔凈室所生產(chǎn)的。對長鑫存儲本身來說,這樣的進步是很明顯的,但與三星的36%晶圓產(chǎn)能市場份額,SK海力士和美光分別25%的份額相比,DRAM新兵的差距還是很明顯。

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  從報告中我們可以看到,基于當(dāng)前的晶圓產(chǎn)能統(tǒng)計,長鑫存儲DRAM出貨約占全球總產(chǎn)量的1.4%,進一步拉大了他們與三大DRAM巨頭(三星、SK海力士和美光)的差距。之所以會造成這個結(jié)果,這與長鑫存儲每片晶圓的DRAM總產(chǎn)量遠遠低于主要DRAM生產(chǎn)商有關(guān)。

  據(jù)報告,相對于這些主要供應(yīng)商,長鑫存儲晶圓的內(nèi)存產(chǎn)能大約為46%,和三大巨頭相去甚遠。但報告也強調(diào),這些數(shù)據(jù)是基于長鑫當(dāng)前工藝,按照當(dāng)前產(chǎn)能換算的,如果長鑫工藝升級,同時投資擴產(chǎn),他們的這個比例將會進一步提升。

  據(jù)報道,到 2020 年底,長鑫存儲的實際產(chǎn)能為每月40,000片,高于2020年初的每月20000片。該公司預(yù)計在2022年內(nèi),其產(chǎn)能將超越每月40,000片,他們還計劃在2022年中后期,將公司每月晶圓產(chǎn)能翻倍到每月8萬片,進一步拉近他們與臺灣南亞的月晶圓產(chǎn)能差距。預(yù)計到2023年,長鑫存儲將提供相當(dāng)于南亞目前的晶圓產(chǎn)能。但報告也強調(diào),在長鑫存儲產(chǎn)能增加后,他們也僅能滿足中國國內(nèi)7%的DRAM需求。換而言之,還有93%的空缺需要國外的廠商補上。

  此外,雖然長鑫一直在投入并增加產(chǎn)能,但DRAM巨頭同樣沒有停下腳步。

  報告顯示,南亞最近宣布將投資107億美元建立一個新的10nm級DRAM晶圓廠。南亞預(yù)計,該晶圓廠將于2024年開始商用,第一階段的月產(chǎn)能為1.5萬片;三星在2020年也投資了數(shù)十億美元用于擴充存儲產(chǎn)能;SK海力士表示,該公司已在韓國耗資超過30億美元完成了一個新的DRAM生產(chǎn)基地建設(shè),他們在中國工廠也增加了DRAM產(chǎn)能;根據(jù)報告,美光預(yù)估也將在2021年投入量產(chǎn)1z 或1α技術(shù),進一步擴大先進技術(shù)的量產(chǎn)規(guī)模。

  也就是說,長鑫存儲的產(chǎn)能擴張不會明顯影響這些更大公司的市場份額,公司短期內(nèi)并不會改變當(dāng)前的DRAM格局。

  報告還指出,長鑫存儲專注于發(fā)展自己的技術(shù)和知識產(chǎn)權(quán),同時也許可他人創(chuàng)造的相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)。長鑫存儲還加入了JEDEC,參與到內(nèi)存模塊的DDR和LPDDR標(biāo)準(zhǔn)制定。和全球DRAM產(chǎn)業(yè)同行攜手并進。

  針對市場上的一些涉軍傳言,報告從融資來源上解析說,長鑫存儲只有一部分資金來自政府資金,由此可以判斷長鑫存儲是一家國內(nèi)公司,專注于滿足國內(nèi)消費電子存儲器市場的需求,在可預(yù)見的未來也將以DRAM為主。作者特別在報告中強調(diào),長鑫存儲內(nèi)存產(chǎn)品的最終用途完全是民用應(yīng)用。

  “長鑫存儲的產(chǎn)品最早也不太可能在2025年之前在中國以外的地區(qū)使用,而且長鑫存儲的DRAM技術(shù)似乎將繼續(xù)落后于三大DRAM生產(chǎn)商的產(chǎn)品。此外,長鑫存儲 DRAM尚未在數(shù)據(jù)中心商業(yè)化,在可預(yù)見的未來,他們還是很難滿足該市場對產(chǎn)品高質(zhì)量和可靠性的要求。”報告強調(diào)?!熬退闶窃谥袊袌?,長鑫存儲想要獲得相當(dāng)?shù)姆蓊~,還是需要不少的時間”,報告補充說。

  



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