日前，有媒體報道稱，消息人士透露，長江存儲計劃到2021年下半年將存儲芯片的月產(chǎn)量提高一倍至10萬片晶圓，并準備最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片，不過為確保量產(chǎn)芯片質(zhì)量，該計劃有可能會被推遲至今年下半年。

對此，1月13日，長江存儲官方微信號發(fā)布聲明進行回應。

近日，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”或“我司”）發(fā)現(xiàn)個別境外媒體通過多種渠道刊登、散布關(guān)于我司產(chǎn)能建設、產(chǎn)品銷售等不實言論，長江存儲特此發(fā)表嚴正聲明：

長江存儲自2016年7月成立至今，始終秉承守法合規(guī)的經(jīng)營理念，在國內(nèi)外各項實際工作中，長江存儲嚴格遵守當?shù)氐姆煞ㄒ?guī)，所提供的產(chǎn)品與服務面向商用及民用客戶。關(guān)于公司下一步建設計劃具體情況請以公司官方渠道為準。

長江存儲將保留對發(fā)布不實報道與言論的境內(nèi)外個別媒體和記者，以及轉(zhuǎn)發(fā)或協(xié)助散播不實報道的組織或個人依法追究法律責任的權(quán)利。

圖片來源：長江存儲

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長江存儲3D NAND進展

資料顯示，2016年7月，長江存儲由紫光集團聯(lián)合大基金等共同出資成立，為國家存儲器基地項目的實施主體。2016年12月，長江存儲一期工廠正式破土動工；2017年9月，長江存儲一期工廠實現(xiàn)提前封頂，同年10月，長江存儲在武漢新芯12英寸集成電路制造工廠的基礎上，通過自主研發(fā)和國際合作相結(jié)合的方式，成功設計并制造了中國首批3D NAND閃存芯片。

從技術(shù)開發(fā)的時間點來看，2017年7月，長江存儲32層3D NAND閃存設計完成；2017年11月，長江存儲32層3D NAND閃存實現(xiàn)首次流片。2018年4月，長江存儲生產(chǎn)機臺進場安裝，項目進入量產(chǎn)準備階段；2018年第三季度，長江存儲32層3D NAND閃存實現(xiàn)量產(chǎn)。

在量產(chǎn)32層3D NAND閃存的同時，長江存儲也在加速64層3D NAND閃存開發(fā)進度。2018年8月，長江存儲64層3D NAND閃存實現(xiàn)首次流片，同時推出其全新NAND架構(gòu)Xtacking。

2019年9月，長江存儲宣布正式量產(chǎn)基于Xtacking?架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存，這是中國首款64層3D NAND閃存，亦是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設計并實現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品。

2020年4月，長江存儲正式宣布，其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證，還同時發(fā)布了128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片。