據(jù)臺媒經(jīng)濟日報報道，為朝半導體制造的1納米甚至埃米（0.1納米）世代超前部署，據(jù)高雄市府知情官員透露，臺積電正為2納米之后的先進制程持續(xù)覓地，包含橋頭科、路竹科，均在臺積電評估中長期投資設廠的考量之列。
關于是否前進高雄，臺積電昨（27）日維持董事長劉德音日前的論調(diào)，「以后有機會，短期沒規(guī)劃」。
劉德音日前強調(diào)，臺積電在北中南的投資規(guī)劃各占三分之一，5納米制程以南科為主，預計會占六、七成，2納米制程投資將在竹科二期擴大地，竹科擴大二期如果不夠的話，中科臺積電廠區(qū)旁邊還有一塊土地可供后續(xù)使用。
臺積電的晶圓制造制程已發(fā)展到2納米，并朝1納米甚至埃米等級的制程加速布局。中國臺灣行政院副院長沉榮津也曾允諾，將竭力協(xié)助臺積電在1納米與各項投資上，解決土地、水、電等需求，要維持其在先進制程保持全球領先地位。
高市府官員透露，臺積正持續(xù)在探尋「2納米以后」的設廠用地，曾為此接觸過市府，其需求是要能有一塊完整且既成的設廠用地，而橋頭科、路竹科，都在其中長期設廠投資的探詢之列，不過考量用地大小，橋頭科更為適宜。
不僅臺積電開始超前部署覓地，行政院也規(guī)劃在2021年至2025年間，投入43.72億元推動「？（埃米）世代半導體」計畫，要先由政府「花學費」，從設備，儀器，材料與製程技術(shù)瓶頸等探路，作為半導體業(yè)界未來投資方向的「探照燈」。
根據(jù)規(guī)劃，中國臺灣科技部長吳政忠所提出六個加強發(fā)展的主軸，其一為攸關島內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展的「？ 世代半導體」，意指半導體在進入3奈米制程后，接下將進入？（埃米） 領域，因此政府與業(yè)界也開始著手布局。
政院官員透露，半導體技術(shù)在1納米以下會開始遇到瓶頸，但并非不可突破，因半導體界尚無如此前瞻的研究，產(chǎn)業(yè)界也尚無馀力處理，因此在諮詢過半導體界意見后，挑出基本可探索的方向，進行前瞻技術(shù)研究，建立此領域的基礎技術(shù)能量。
但臺積電羅鎮(zhèn)球今年八月在一個演講中曾表示，目前為止，我們看到3納米、2納米、1納米都沒有什么太大問題。
設備和材料都已經(jīng)準備好？
來自日媒的報道稱，在不久前舉辦的線上活動中，歐洲微電子研究中心IMEC首席執(zhí)行官兼總裁Luc Van den hove在線上演講中表示，在與ASML公司的合作下，更加先進的光刻機已經(jīng)取得了進展。
Luc Van den hove表示，IMEC的目標是將下一代高分辨率EUV光刻技術(shù)高NA EUV光刻技術(shù)商業(yè)化。由于此前得光刻機競爭對手早已經(jīng)陸續(xù)退出市場，目前ASML把握著全球主要的先進光刻機產(chǎn)能，近年來，IMEC一直在與ASML研究新的EUV光刻機，目前目標是將工藝規(guī)?？s小到1nm及以下。
目前ASML已經(jīng)完成了NXE:5000系列的高NA EUV曝光系統(tǒng)的基本設計，至于設備的商業(yè)化。要等到至少2022年，而等到臺積電和三星拿到設備，之前要在2023年。
與此同時，臺積電在材料上的研究，也讓1nm成為可能。
臺積電和交大聯(lián)手，開發(fā)出全球最薄、厚度只有0.7納米的超薄二維半導體材料絕緣體，可望借此進一步開發(fā)出2納米甚至1納米的電晶體通道，論文本月成功登上國際頂尖期刊自然期刊（nature）。
國立交通大學電子物理系張文豪教授研究團隊在科技部長支持下，與臺灣積體電路制造股份有限公司合作，合作研究開發(fā)出全球最薄、厚度僅0.7納米、大面積晶圓尺寸的二維半導體材料絕緣層，臺積電表示，關鍵則在于單晶氮化硼技術(shù)的重大突破，將來可望藉由這項技術(shù)，進一步開發(fā)出2納米甚至1納米的電晶體通道。
目前臺積電正在推動3納米的量產(chǎn)計劃，指的就是電晶體通道尺寸，通道做的越小，電晶體尺寸就能越小，而在不斷微縮的過程中，電子就會越來越難傳輸，導致電晶體無法有效工作，目前二維半導體材料是現(xiàn)在科學界認為最有可能解決瓶頸的方案之一。
二維半導體材料特性就是很薄，平面結(jié)構(gòu)只有一兩個原子等級的厚度，張文豪指出，但也因此傳輸中的電子容易受環(huán)境影響，所以需要絕緣層來阻絕干擾，目前半導體使用的絕緣層多半是氧化物，一般做到5納米以下就相當困難，無法小于1納米，團隊開發(fā)出的單晶氮化硼生長技術(shù)，成功達成0.7納米厚度的絕緣層。
文章第一作者臺積電技術(shù)主任陳則安，為清大化學系博士，他表示，單晶是指單一的晶體整齊排列，單晶對于未來半導體結(jié)構(gòu)比較有幫助，因為假設絕緣層不是單晶結(jié)構(gòu)，中間會出現(xiàn)很多缺陷，電阻經(jīng)過的時候可能被缺陷影響，導致效能變差，實驗也已證實會有影響，未來還需要更多研究。
陳則安說，過去科學界認為，銅上不太可能出現(xiàn)單晶生長，但是研究團隊在實驗發(fā)現(xiàn)，微米單位范圍內(nèi)氮化硼有同向生長的狀況，排列出單一晶體，因此透過分析這極小的區(qū)域，調(diào)整實驗參數(shù)和選擇材料，成功克服障礙，不但可以單晶生長，還能做到大面積二吋晶圓的尺寸。
臺積電處長李連忠曾經(jīng)是中研院原分所研究員，他表示，臺積電研究團隊經(jīng)過基礎研究后，找到問題和突破可能性，跟交大化學氣相沉積實驗室合作，讓氮化硼單晶在銅上生長，作為保護二維半導體材料的通道，目前無法說明量產(chǎn)時間，還有很多關鍵技術(shù)要突破，例如金屬接觸和元件優(yōu)化，但是的確對于未來電晶體尺寸再縮小將有幫助。