DRAM廠商長鑫存儲完成156億元融資，內存芯片的國產替代之路又獲資金助力。12月14日，工商信息顯示，大基金二期、安徽國資、兆易創(chuàng)新及另一家朱一明實控企業(yè)、小米長江產業(yè)基金等機構入股長鑫存儲母公司睿力集成電路有限公司，融資價款達到156.50億元。

    根據兆易創(chuàng)新公告，長鑫存儲是睿力集成的全資子公司，也是目前國內唯一量產國產DRAM內存的廠商，其第一大股東石溪集電的執(zhí)行事務合伙人為石溪長鑫,石溪長鑫的實際控制人即兆易創(chuàng)新實控人朱一明。

    自研內存芯片項目獲資金支持

    中國的存儲制造在過去一年取得突破性進展。NAND Flash方面，4月13日，紫光集團旗下的長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功。

    長鑫存儲主攻DRAM，今年2月，長鑫存儲宣布研發(fā)出DDR4及LPDDR4X兩種存儲器，采用19納米制程，這也是我國第1顆自研DRAM芯片。5月，多款搭載長鑫存儲10納米級DDR4芯片的內存條上市，真正掀開國產內存新篇章。

    長鑫存儲從事動態(tài)隨機存取存儲芯片(DRAM)的設計、研發(fā)、生產和銷售，已建成第一座12英寸晶圓廠并投產。資料顯示，長鑫存儲集成電路制造基地項目總投資超過2200億元，其中，長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目也是中國大陸第一個投入量產的DRAM設計制造一體化項目。

    此輪融資中，大基金二期、安徽省國資旗下三重一創(chuàng)產業(yè)發(fā)展基金各自向睿力集成投資50億元，老股東、合肥國資注資成立的長鑫集成投資8.5億元，小米長江產業(yè)基金在內的12家跟進投資人總共投資40億元，合肥集鑫企業(yè)管理合伙企業(yè)投資5億元，兆易創(chuàng)新進行3億元可轉股債券投資。

    本次增資完成后，兆易創(chuàng)新將持有睿力集成約0.85%股權。在業(yè)務合作層面，公司與睿力集成全資子公司長鑫存儲技術有限公司簽署了《框架采購協議》、《代工服務協議》、《產品聯合開發(fā)平臺合作協議》及與此相關的補充協議，將與長鑫存儲在產品代銷、代工服務、產品聯合開發(fā)層面開展業(yè)務合作。

    針對此次大基金二期入股，有業(yè)內人士評論，長鑫存儲的存儲器產品產業(yè)化預計會進入快速發(fā)展階段。

    沖擊全球第四大DRAM廠商，長鑫存儲還有這些助力

    根據TrendForce集邦咨詢發(fā)布的2020年二季度全球DRAM內存芯片市場數據顯示，三星、SK海力士、美光這前三家DRAM大廠占據了全球市場約95%的份額。

    集邦咨詢分析師預估，明年四季度長鑫存儲的投片量將增長到8.5萬片/月，并超過南亞科技成為全球第四大DRAM廠商。目前長鑫存儲DRAM工藝以19nm工藝為主，有望在明年年中將更新一代的17nm工藝導入量產階段。展露頭角后，不管是在產能還是技術方面，長鑫存儲都有望提升其在高度集中的內存產業(yè)內的影響力。

    除了自主研發(fā)，長鑫存儲一直借助收購的方式提升技術。2019年12月，長鑫存儲和加拿大公司Wi-LANInc.。這家從英飛凌手上收購大筆奇夢達專利的公司達成協議，長鑫獲得了1000多萬份有關DRAM的技術文件及2.8TB數據依據專利許可協議。

    今年4月，據長鑫存儲微信公眾號消息，長鑫存儲技術有限公司與美國半導體公司Rambus簽署了專利許可協議。依據此協議，長鑫存儲從Rambus獲得了大量DRAM技術專利的實施許可。

    半導體產業(yè)政策不斷加碼，并提出重點補齊短板的訴求。當前圍繞內存芯片產業(yè)的政策支持，也在為國內首個自研內存芯片項目的產業(yè)進程增添助力。

    6月6日，長三角一體化發(fā)展重大合作事項簽約儀式在湖州舉行。

    其中，長三角地區(qū)擬支持長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目建設，提升長三角地區(qū)集成電路產業(yè)競爭力。長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目業(yè)務合作協議，由長鑫存儲技術有限公司、蘇州瑞紅電子化學品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導體科技有限公司共同簽約。

    7月初，安徽省發(fā)布《重點領域補短板產品和關鍵技術攻關任務揭榜工作方案》文件，希望2-3年內解決一些關鍵技術瓶，即指向長鑫存儲的芯片項目。

    在內存技術方面，方案要求推進低功耗高速率LPDDR5 DRAM產品開發(fā)，面向中高端移動、平板及消費類產品DRAM存儲芯片自主可控需求，研發(fā)先進低功耗高速率LPDDR5產品并實現產業(yè)化等。