根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，日前在日本東京舉行的ITF（IMEC Technology Forum,.ITF）論壇上，與荷蘭半導(dǎo)體大廠ASML合作研發(fā)半導(dǎo)體光刻機(jī)的比利時(shí)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)IMEC正式公布了3納米及以下制程在微縮層面的相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)。

根據(jù)IMEC所公布的內(nèi)容來分析，ASML對(duì)于3納米、2納米、1.5納米、1納米，甚至是小于1納米的制程都做了清楚的發(fā)展規(guī)劃，意味著ASML基本上已經(jīng)能開發(fā)1納米制程的光刻設(shè)備了。

報(bào)導(dǎo)指出，在論壇上，IMEC公司總裁兼執(zhí)行長Luc Van den hove強(qiáng)調(diào)，將繼續(xù)把制程技術(shù)微縮到1納米及以下。對(duì)此，IMEC也提出了從3納米、2納米、1.5納米、1納米，甚至是小于1納米以下的邏輯元件制程微縮路線圖。

根據(jù)先前晶圓大工大廠臺(tái)積電和三星電子介紹，從7納米制程技術(shù)開始，部分制程技術(shù)已經(jīng)推出了NA=0.33的EUV光刻設(shè)備，5納米制程技術(shù)也達(dá)成了頻率的提升，但對(duì)于2納米以后的超精細(xì)制程技術(shù)，則依然需要能夠達(dá)成更高的識(shí)別率和更高NA（NA=0.55）的光刻設(shè)備。

對(duì)此，目前ASML也已經(jīng)完成了作為NXE:5000系列的高NA EUV光刻設(shè)備的基本設(shè)計(jì)，但商業(yè)化的時(shí)間則是預(yù)計(jì)最快在2022年左右。不過，這套下一世代的光刻設(shè)備將因其龐大的光學(xué)系統(tǒng)，使得整套設(shè)備將變得非常巨大。

事實(shí)上，過去一直與IMEC緊密合作開發(fā)半導(dǎo)體光刻技術(shù)，但為了開發(fā)使用高NA EUV光刻設(shè)備，ASML在IMEC的園區(qū)內(nèi)成立了新的“IMEC-ASML高NA EUV”實(shí)驗(yàn)室，以達(dá)成共同開發(fā)和開發(fā)使用高NA EUV光刻設(shè)備的相關(guān)技術(shù)。此外，該公司還計(jì)劃與材料供應(yīng)商合作，進(jìn)一步進(jìn)行光罩和光阻劑。

Van den hove還指出，邏輯元件制程技術(shù)微縮的目的是為了降低功耗、提高性能、減少面積、以及降低成本，也就是通常所說的PPAC。除了這4個(gè)目標(biāo)外，隨著制程向3納米、2納米、1.5納米，甚至超越1納米而達(dá)到小于1納米以下的制程之際，將努力實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展微處理器制程技術(shù)，以滿足對(duì)未來先進(jìn)科技應(yīng)用的需求。