根據(jù)外媒報導，日前在日本東京舉行的ITF（IMEC Technology Forum,.ITF）論壇上，與荷蘭半導體大廠ASML合作研發(fā)半導體光刻機的比利時半導體研究機構(gòu)IMEC正式公布了3納米及以下制程在微縮層面的相關技術(shù)細節(jié)。

根據(jù)IMEC所公布的內(nèi)容來分析，ASML對于3納米、2納米、1.5納米、1納米，甚至是小于1納米的制程都做了清楚的發(fā)展規(guī)劃，意味著ASML基本上已經(jīng)能開發(fā)1納米制程的光刻設備了。

報導指出，在論壇上，IMEC公司總裁兼執(zhí)行長Luc Van den hove強調(diào)，將繼續(xù)把制程技術(shù)微縮到1納米及以下。對此，IMEC也提出了從3納米、2納米、1.5納米、1納米，甚至是小于1納米以下的邏輯元件制程微縮路線圖。

根據(jù)先前晶圓大工大廠臺積電和三星電子介紹，從7納米制程技術(shù)開始，部分制程技術(shù)已經(jīng)推出了NA=0.33的EUV光刻設備，5納米制程技術(shù)也達成了頻率的提升，但對于2納米以后的超精細制程技術(shù)，則依然需要能夠達成更高的識別率和更高NA（NA=0.55）的光刻設備。

對此，目前ASML也已經(jīng)完成了作為NXE:5000系列的高NA EUV光刻設備的基本設計，但商業(yè)化的時間則是預計最快在2022年左右。不過，這套下一世代的光刻設備將因其龐大的光學系統(tǒng)，使得整套設備將變得非常巨大。

事實上，過去一直與IMEC緊密合作開發(fā)半導體光刻技術(shù)，但為了開發(fā)使用高NA EUV光刻設備，ASML在IMEC的園區(qū)內(nèi)成立了新的“IMEC-ASML高NA EUV”實驗室，以達成共同開發(fā)和開發(fā)使用高NA EUV光刻設備的相關技術(shù)。此外，該公司還計劃與材料供應商合作，進一步進行光罩和光阻劑。

Van den hove還指出，邏輯元件制程技術(shù)微縮的目的是為了降低功耗、提高性能、減少面積、以及降低成本，也就是通常所說的PPAC。除了這4個目標外，隨著制程向3納米、2納米、1.5納米，甚至超越1納米而達到小于1納米以下的制程之際，將努力實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展微處理器制程技術(shù)，以滿足對未來先進科技應用的需求。