鉅亨網(wǎng)援引韓媒報道稱，為如期在2022 年量產 3 納米芯片，三星將在美國德州奧斯汀的半導體子公司啟動EUV專用系統(tǒng) LSI 新廠投資計劃。據(jù)悉，此項投資高達 100 億美元，月產能約 7 萬片。

韓媒infostockdaily報道，相關行業(yè)人士表示，三星在奧斯汀的新廠已確認將生產非內存半導體 （Non－memory Semiconductor） 和系統(tǒng) LSI。

此前業(yè)界就已傳出，三星電子正計劃在韓國華城、平澤以及美國德州奧斯汀等地建立 EUV 生產體系，作為 7 納米以下芯片的生產基地。

同時根據(jù)韓媒披露，三星副會長李在镕上個月親訪荷蘭ASML總部，實地了解了EUV 設備生產情況，并希望提前交付預定的 EUV 生產設備。

不過韓媒在最新的報道中，并未提到三星目前美國工廠的進展，包括是否已經通過美國政府的審查或已進入最終階段。