《電子技術(shù)應(yīng)用》
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長江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存打入華為Mate40供應(yīng)鏈

2020-11-21
來源:OFweek電子工程網(wǎng)

本周舉辦的2020年北京微電子國際研討會(huì)暨IC WORLD學(xué)術(shù)會(huì)議上,長江存儲(chǔ)首席執(zhí)行官楊士寧在上臺(tái)講話時(shí)提到,長江存儲(chǔ)的64層閃存已經(jīng)打入華為Mate40供應(yīng)鏈,還借用“出道即巔峰”這樣一句話來表述。

這不僅僅意味著華為Mate 40國產(chǎn)替代的新進(jìn)程,更預(yù)示著這將打破以往國產(chǎn)手機(jī)過度依賴三星、鎧俠、西數(shù)、美光等國外公司產(chǎn)品的局面。

根據(jù)楊士寧的講話,OFweek維科網(wǎng)注意到以下幾個(gè)關(guān)鍵信息:

1、長江存儲(chǔ)的推進(jìn)速度,幾乎是在3年里走完了別人6年的路,發(fā)展速度較快,要慢下來;

據(jù)OFweek維科網(wǎng)了解,在去年9月,長江存儲(chǔ)成為國內(nèi)第一個(gè)宣布量產(chǎn)64層堆棧3D閃存的半導(dǎo)體廠商,這一消息無疑給國內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)打下了一針“強(qiáng)心劑”。其最大亮點(diǎn)在于,采用了長江存儲(chǔ)自研Xtacking架構(gòu),Xstacking架構(gòu)擁有獨(dú)立的加工模式,使產(chǎn)品開發(fā)時(shí)間縮短了3個(gè)月,生產(chǎn)周期縮短了20%,也在很大程度上提高了產(chǎn)品性能。

2、128層不做最后一名,下代產(chǎn)品爭(zhēng)做行業(yè)第一第二;

今年年初,長江存儲(chǔ)表示將跳過目前存儲(chǔ)行業(yè)常見的96層堆疊閃存技術(shù),并直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作。在今年舉辦的中國電子信息博覽會(huì)上,長江存儲(chǔ)展示了128層QLC閃存產(chǎn)品,它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3D NAND,且擁有已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

實(shí)際上,2020年全球存儲(chǔ)廠商已經(jīng)基本上集體跨過了“百層關(guān)卡”,比如三星、美光、SK海力士均推出了128層3D NAND閃存芯片,西數(shù)、鎧俠則推出了堆棧112層,不過其存儲(chǔ)密度更高……

總而言之,在追趕世界上存儲(chǔ)大廠第一梯隊(duì)的進(jìn)程上,長江存儲(chǔ)的腳步已經(jīng)漸漸拉進(jìn)與前排的距離,基于Xtacking架構(gòu)的2.0版本,會(huì)重點(diǎn)拓展產(chǎn)品性能以及功能,也是長江存儲(chǔ)直接上128層堆疊的重要保障。

3、64層3D NAND閃存晶圓進(jìn)入華為Mate40旗艦產(chǎn)品供應(yīng)鏈;

楊士寧提到,雖然64層3DNAND只是長江存儲(chǔ)的第一個(gè)產(chǎn)品,但是這顆產(chǎn)品已經(jīng)做到了 Mate40 的旗艦機(jī)里面,在這里面看到了國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈彼此協(xié)同合作和未來長遠(yuǎn)的發(fā)展機(jī)會(huì)。眾所周知,華為由于受到某些原因,在手機(jī)芯片等半導(dǎo)體元器件的選擇上無法與國外廠商達(dá)成合作,為此不得不把目光轉(zhuǎn)向國產(chǎn)供應(yīng)鏈。而華為旗下Mate系列作為旗艦手機(jī)的代表作,在對(duì)合作伙伴的選擇上也更加慎重。

打入華為Mate40旗艦產(chǎn)品供應(yīng)鏈意味著國產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)越來越受國內(nèi)手機(jī)廠商重視,未來完全可以取代國外品牌,打破國外壟斷局面。

4、采用異構(gòu)集成技術(shù),即使拿不到EUV光刻機(jī)也能做出類似7nm芯片;

其中,楊士寧提到了一段整個(gè)國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都很關(guān)注的話題,眾所周知,目前國內(nèi)半導(dǎo)體制造業(yè)最大的問題是缺少先進(jìn)設(shè)備和技術(shù),尤以光刻機(jī)最為重要。大陸方面半導(dǎo)體工藝遲遲停留在14nm難以前進(jìn),由于荷蘭ASML的EUV光刻機(jī)難以入華,因此國內(nèi)像中芯國際這樣的巨頭也想方設(shè)法推出新技術(shù)來實(shí)現(xiàn)等效7nm工藝芯片的研發(fā)。其中,異構(gòu)集成(Heterogeneous Integration,HI)被認(rèn)為是增強(qiáng)功能及降低成本的可行方法,是延續(xù)摩爾定律的新路徑。

所謂的“異構(gòu)集成技術(shù)”是指將多個(gè)單獨(dú)制造的部件封裝到一個(gè)芯片上,以增強(qiáng)功能性和提高工作性能,可以對(duì)采用不同工藝、不同功能、不同制造商制造的組件進(jìn)行封裝。通過這一技術(shù),工程師可以像搭積木一樣,在芯片庫里將不同工藝的小芯片組裝在一起。但是異構(gòu)集成并不簡單,要讓集成的芯片和單片芯片具有一樣的性能、功能,還要解決可靠性、散熱、封測(cè)等多方面的問題。


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