臺(tái)積電董事長劉德音也表示,計(jì)劃擴(kuò)建工廠提升2nm芯片的產(chǎn)能。

據(jù)最新報(bào)道,臺(tái)積電在2nm芯片技術(shù)上取得了重大突破,雖然目前尚未透露具體細(xì)節(jié)。但有消息稱,2nm工藝有望在2023年下半年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性實(shí)驗(yàn),并于2024年進(jìn)入量產(chǎn)階段。

臺(tái)積電還表示,2nm的突破將再次拉大與競爭對手的差距,并繼續(xù)推進(jìn)1nm工藝的研發(fā)。

預(yù)計(jì)到時(shí)候蘋果、高通、英偉達(dá)、AMD等客戶有望率先采用其2nm工藝。

據(jù)悉臺(tái)積電2nm將會(huì)采用多橋通道場效晶體管 (MBCFET)架構(gòu),這一架構(gòu)有助于克服鰭式場效晶體管 (FinFET)架構(gòu)因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問題。臺(tái)積電在2nm制程上采用這一工藝架構(gòu),將有助于提高2nm的生產(chǎn)能力。

目前三星已經(jīng)在5nm工藝的研發(fā)上投入了約4．8億美元,3nm砷化鎵場效應(yīng)管的研發(fā)將大大超過5億美元。雖然臺(tái)積電很少披露具體工藝節(jié)點(diǎn)的投資數(shù)字,但我們可以想象。臺(tái)積電此前曾表示,其2納米技術(shù)的研發(fā)和生產(chǎn)將在保山和新竹進(jìn)行,同時(shí)還進(jìn)一步指出,它正計(jì)劃擁有四個(gè)超大型晶圓廠,占地222英畝。