2020 年 10 月 21 日，中國(guó)上海 —— 內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布量產(chǎn)業(yè)界首款基于低功耗 DDR5（LPDDR5）DRAM 的通用閃存存儲(chǔ)（UFS）多芯片封裝產(chǎn)品 uMCP5。美光 uMCP5 將高性能、高密度及低功耗的內(nèi)存和存儲(chǔ)集成在一個(gè)緊湊的封裝中，使智能手機(jī)能夠應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)密集型 5G 工作負(fù)載，顯著提升速度和功效。該款多芯片封裝產(chǎn)品搭載美光 LPDDR5 內(nèi)存、高可靠性 NAND 以及領(lǐng)先的 UFS3.1 控制器，實(shí)現(xiàn)了此前只在使用獨(dú)立內(nèi)存和存儲(chǔ)芯片的昂貴旗艦手機(jī)上才有的高級(jí)功能。uMCP5 的出現(xiàn)使諸如圖像識(shí)別、高級(jí)人工智能（AI）、多攝像頭支持、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）和高分辨率顯示等最新技術(shù)能在中高端手機(jī)上予以普及，從而惠及更多的消費(fèi)者。

美光高級(jí)副總裁兼移動(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理 Raj Talluri 表示：“要將 5G 的潛力從宣傳層面變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)，需要智能手機(jī)能夠應(yīng)對(duì)通過(guò)網(wǎng)絡(luò)和下一代應(yīng)用程序傳輸?shù)暮Ａ繑?shù)據(jù)。我們的 uMCP5 在單個(gè)封裝中結(jié)合了最快的內(nèi)存和存儲(chǔ)，為顛覆性的 5G 技術(shù)帶來(lái)了更多可能，幫助消費(fèi)者從容應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)挑戰(zhàn)。”

美光 uMCP5 為 5G 生態(tài)系統(tǒng)帶來(lái)出類拔萃的速度和效率

本次發(fā)布是美光于今年三月宣布 uMCP5 出樣的延續(xù)，為移動(dòng)市場(chǎng)設(shè)定了新標(biāo)準(zhǔn)，成為首款使用最新一代 UFS NAND 存儲(chǔ)和低功耗 DRAM 的多芯片封裝產(chǎn)品。如今的智能手機(jī)需要存儲(chǔ)和處理海量數(shù)據(jù)，這使基于 LPDDR4 的中端芯片組的內(nèi)存帶寬變得捉襟見肘，帶來(lái)的后果是視頻分辨率降低、出現(xiàn)影響體驗(yàn)的延遲，以及部分功能受限。

借助 LPDDR5，美光將內(nèi)存帶寬從 3,733 Mb/秒大幅提高至 6,400 Mb/秒，即使在處理大數(shù)據(jù)量時(shí)，也可為移動(dòng)用戶提供無(wú)縫、即時(shí)的體驗(yàn)。

高通公司（Qualcomm）產(chǎn)品管理副總裁 Ziad Asghar 表示：“5G 為智能手機(jī)提供了前所未有的速度與云連接。我們很高興看到 uMCP5 面世，為新一代手機(jī)帶來(lái)符合 5G 速度的內(nèi)存，并保證了一流的游戲體驗(yàn)、差異化的攝像頭、AI 功能，以及更快的文件傳輸?！?nbsp;

uMCP5 專為下一代 5G 設(shè)備而設(shè)計(jì)，能輕松快速地處理和存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)，且無(wú)需在性能和功耗之間進(jìn)行妥協(xié)。高性能的內(nèi)存和存儲(chǔ)使 uMCP5 能夠充分支持 5G 下載速度，并同時(shí)運(yùn)行更多應(yīng)用程序。

美光 uMCP5 的主要特性包括：

· 續(xù)航時(shí)間大幅延長(zhǎng)：在 uMCP4 的成功基礎(chǔ)上，美光將 LPDDR5 內(nèi)存用于 uMCP5，實(shí)現(xiàn)了 5G 網(wǎng)絡(luò)的完全利用；與 LPDDR4 相比，功耗降低了近 20%。此外，美光的 UFS 3.1 功耗比其前代產(chǎn)品 UFS 2.1 減少 40％。對(duì)于智能手機(jī)用戶而言，即使在使用耗電的多媒體應(yīng)用程序或數(shù)據(jù)密集型功能（如 AI、AR、圖像識(shí)別、游戲、沉浸式娛樂(lè)等）時(shí)，也能有更長(zhǎng)的續(xù)航時(shí)間。

· 下載速度快：與美光此前基于 UFS 2.1 的解決方案相比，美光 uMCP5 釋放了 5G 性能的全部潛力，持續(xù)下載速度可以加快 20％。

· 耐用度提升：美光 uMCP5 NAND 的耐用度提升了約 66％，可以允許 5,000 次擦寫，成倍增加了設(shè)備的可擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)量，而不會(huì)降低設(shè)備性能。即使對(duì)于重度手機(jī)用戶而言，也能有效延長(zhǎng)智能手機(jī)的使用壽命。

· 業(yè)界領(lǐng)先的帶寬：采用 uMCP5 的設(shè)備最高將支持 6,400 Mb/s 的 DRAM 帶寬，與上一代 LPDDR4x 的 4,266 Mb/s 帶寬相比，增加了 50％。這使移動(dòng)用戶可以同時(shí)運(yùn)行多個(gè)應(yīng)用程序而不會(huì)影響體驗(yàn)。增加的帶寬也使智能手機(jī)中的 AI 計(jì)算攝影獲得了更高質(zhì)量的圖像處理，為用戶帶來(lái)專業(yè)的攝影能力。美光是業(yè)界首家支持全速 LPDDR5 的供應(yīng)商。

· 最新閃存性能：美光 uMCP5 還采用了最快的 UFS 3.1 存儲(chǔ)接口，與其上一代 UFS 2.1 產(chǎn)品相比，順序讀取性能提高了一倍，寫入速度加快了 20％。

· 節(jié)省空間的緊湊設(shè)計(jì)：美光利用其多芯片封裝專業(yè)知識(shí)以及所掌握的制造和封裝技術(shù)，以最緊湊的尺寸設(shè)計(jì) uMCP5，從而實(shí)現(xiàn)了更纖薄、更靈活的智能手機(jī)設(shè)計(jì)。與獨(dú)立版本的 LPDDR5 和 UFS 解決方案相比，美光 uMCP5 多芯片封裝可節(jié)約 55％ 的印刷電路板空間。節(jié)省的空間使手機(jī)制造商能夠最大限度地提升電池容量或增加其他功能，例如攝像頭、手勢(shì)元件或傳感器。美光可提供高達(dá) 12 GB LPDDR5 和 512 GB NAND 的多個(gè)容量配置選擇。

美光 uMCP5 的供應(yīng)情況

uMCP5 現(xiàn)在已經(jīng)可以批量生產(chǎn)，有四種不同的密度配置：128+8 GB，128+12 GB，256+8 GB 和 256+12 GB。如需了解更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn) https://www.micron.com/products/multichip-packages/ufs-based-mcp。