什么是IMEC 對(duì)晶圓級(jí)封裝?它有什么作用?IMEC提出了一種可滿足更高密度，更高帶寬的芯片到芯片連接需求的扇形晶圓級(jí)封裝的新方法。IMEC的高級(jí)研發(fā)工程師Arnita Podpod和IMEC Fellow及3D系統(tǒng)集成計(jì)劃的項(xiàng)目總監(jiān)Eric Beyne介紹了該技術(shù)，討論了主要的挑戰(zhàn)和價(jià)值，并列出了潛在的應(yīng)用。

    晶圓級(jí)封裝：適用于移動(dòng)應(yīng)用的有吸引力的封裝解決方案

    如今，許多電子系統(tǒng)仍然由多個(gè)元件組成，這些元件在晶片切割后單獨(dú)封裝，并且使用傳統(tǒng)的印刷電路板互連。然而，這些年來(lái)，對(duì)于更“苛刻”的應(yīng)用就需要先進(jìn)的3D集成和互連技術(shù)。因?yàn)檫@大大減小了電子系統(tǒng)的尺寸，并且實(shí)現(xiàn)了子電路之間更快，更短的連接。這些技術(shù)之一是晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Packaging)，即多個(gè)裸片在晶圓上同時(shí)被封裝。由于整個(gè)晶圓現(xiàn)在是一次性封裝，因此該解決方案比傳統(tǒng)封裝方案成本更低。此外，所得封裝后芯片尺寸更小，更薄，這是智能手機(jī)等尺寸敏感設(shè)備非?？粗氐?。在現(xiàn)今的智能手機(jī)上，大概5/7的芯片是晶圓級(jí)封裝的，而且數(shù)量還在不斷增加。

    扇入和扇出

    有兩種主要類型的晶圓級(jí)封裝：扇入式和扇出式，它們的區(qū)別主要在重分布層中。重分布層(通常是有機(jī)層)用于將裸片的接口(I/ O)重新布線到所需的(凸塊)位置。扇入就是重分布層跡線向內(nèi)布線，形成一個(gè)非常小的封裝(大致對(duì)應(yīng)于裸片本身的尺寸)。但是，重分布工藝還可以用于擴(kuò)展封裝的可用區(qū)域，延伸芯片觸點(diǎn)到超出芯片尺寸就形成了扇出式封裝。通常，這種扇出WLP(FO-WLP)技術(shù)提供比扇入式WLP技術(shù)更多的I /O數(shù)量。

    在移動(dòng)應(yīng)用中，扇出晶圓級(jí)封裝正在逐步取代更傳統(tǒng)的封裝上封裝(PoP)存儲(chǔ)器邏輯芯片堆疊解決方案。

    這些PoP比扇出式厚得多，并且受到的互連帶寬和密度以及有限的間距縮放(幾百微米)的限制。在這些應(yīng)用中，F(xiàn)O-WLP也優(yōu)于其他可用的高帶寬3D技術(shù)，例如3D堆疊(其中邏輯管芯中的熱點(diǎn)可能影響存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)保持能力)或2.5D堆疊(其中較長(zhǎng)的互連線產(chǎn)生較高的互連功率和額外成本)。

    兩個(gè)基本的“扇出”流程

    在過(guò)去幾年中，已經(jīng)涌現(xiàn)了各種FO-WLP方法，以滿足對(duì)高數(shù)據(jù)速率和寬I/ O數(shù)量的日益增長(zhǎng)的需求，并滿足對(duì)封裝上增加的功能集成的需求。所有這些方法都從兩個(gè)基本的扇出流程中的一個(gè)開(kāi)始：“mold first”或“redistribution layer first”。

    在“mold first “工藝中，首先將裸片組裝在臨時(shí)載體上，然后進(jìn)行晶片包覆成型。環(huán)氧樹(shù)脂的功能是保護(hù)各個(gè)組件并將它們粘在一起。在最后，制作重分部層并建立連接。在“redistribution layer first”工藝中，在重分布層的工藝之后再做裸片組裝和晶片注塑成型。

    這些方法中的每一種都有其自身的一些缺點(diǎn)。例如，在“mold first “工藝中，裸片通常在注塑成型之后發(fā)生移位，這使得實(shí)現(xiàn)低于100μm的互連節(jié)距非常具有挑戰(zhàn)性?！皉edistribution layer first”工藝中，可實(shí)現(xiàn)的密度受到(有機(jī))再分布層能夠?qū)崿F(xiàn)的線和空間分辨率的限制。

    Flip-chip on FO-WLP：一種新的“扇出”方法，可實(shí)現(xiàn)更高的互連密為了滿足更高密度，更高帶寬的芯片到芯片連接的需求，IMEC團(tuán)隊(duì)在300mm晶圓上開(kāi)發(fā)了一種新穎的FO-WLP方法，稱為Flip-chip on FO-WLP。這個(gè)工藝屬于“mold first ”工藝，但與標(biāo)準(zhǔn)的“mold first ”工藝相反，芯片在包覆成型之前已經(jīng)互相連接。

    下面將解釋這種方法的優(yōu)點(diǎn)以及挑戰(zhàn)。

    這種新的扇出方案的已經(jīng)在TQV上得到驗(yàn)證。TQV由七個(gè)獨(dú)立的芯片組件組成：Wide I / O DRAM，閃存，邏輯，兩個(gè)TPV裸片和兩個(gè)硅橋。因?yàn)檫@個(gè)TQV只是用于驗(yàn)證。因此，邏輯和存儲(chǔ)器芯片不是全功能的：它們是“模擬”裸片，用于測(cè)試凸點(diǎn)連接之間的電連續(xù)性。

    硅橋和TPV裸片是實(shí)現(xiàn)高密度連接的關(guān)鍵部件。TPV裸片具有硅通孔(TSV)和40μm節(jié)距的凸點(diǎn)。硅橋具有40μm和20μm節(jié)距的凸塊。這些元件在功能芯片(例如邏輯和存儲(chǔ)器芯片)之間形成橋接，實(shí)現(xiàn)具有20μm凸塊節(jié)距的超高芯片到芯片互連密度。與標(biāo)準(zhǔn)“mold first “工藝相比，另一個(gè)關(guān)鍵工藝是裸片間的緊密對(duì)準(zhǔn)。在該關(guān)鍵組裝步驟中，需要將各個(gè)裸片高精度地放置并臨時(shí)鍵合在平坦的硅晶圓上。

    工藝流程細(xì)節(jié)

    在組裝工藝流程的第一步驟中，將TPV片和邏輯裸片放置在覆有臨時(shí)鍵合層的載體晶片上。接下來(lái)，使用熱壓接合(TCB)工藝連接硅橋(具有40μm和20μm的凸塊間距)與邏輯裸片和TPV裸片。在該工藝步驟中，具有40μm節(jié)距的凸塊連接到邏輯裸片的左側(cè)和TPV裸片。20μm間距凸塊連接到邏輯裸片的右側(cè)。在下一步驟中，晶片由液態(tài)化合物注塑成型。測(cè)試顯示完全填充，甚至是硅橋下方區(qū)域。然后，通過(guò)研磨拋光暴露銅柱，以便稍后與重分布層連接。在將減薄的晶片翻轉(zhuǎn)并第二載體鍵合，并移除第一載體。之后，使用倒裝芯片技術(shù)組裝存儲(chǔ)器裸片。最后，再一次晶圓級(jí)注模和第二載體的移除完成工藝流程。在工藝步驟之間，會(huì)進(jìn)行連續(xù)性測(cè)試以驗(yàn)證電路完整。最后得到封裝厚度僅為300-400μm的芯片(不包括焊球)。

    主要挑戰(zhàn)和解決方案

    這套工藝流程帶來(lái)了一系列挑戰(zhàn)，需要克服這些挑戰(zhàn)才能確保具有超高芯片到芯片互連密度的全功能封裝解決方案。

    其中一個(gè)問(wèn)題是在組裝工藝流程中裸片可能傾斜，特別是對(duì)于長(zhǎng)而窄的TPV裸片和硅橋。這些裸片的傾斜可能會(huì)破壞組件之間的互連。為了評(píng)估傾斜是否以及何時(shí)發(fā)生，IMEC團(tuán)隊(duì)采用不同的力量來(lái)放置TPV裸片。該團(tuán)隊(duì)觀察到，即使是最大的貼裝力，傾斜也限制在5μm以下，這足夠低以保持連接性。接下來(lái)是，邏輯裸片和TPV裸片之間的對(duì)準(zhǔn)，這已經(jīng)引起了相當(dāng)大的關(guān)注，并且被認(rèn)為是FO-WLP工藝的關(guān)鍵因素。

    邏輯裸片和TPV裸片彼此靠的非常近，并且需要精確的對(duì)準(zhǔn)步驟以實(shí)現(xiàn)后續(xù)的硅橋40μm和20μm凸塊節(jié)距堆疊。例如，為了實(shí)現(xiàn)所需的20μm凸塊間距，僅可以容忍邏輯裸片和TPV裸片之間的最大+/-3μm的對(duì)準(zhǔn)誤差。為了實(shí)現(xiàn)這種極小的誤差，該團(tuán)隊(duì)將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記引入到載體和裸片設(shè)計(jì)中。邏輯裸片首先與載體對(duì)準(zhǔn)。接下來(lái)，放置TPV裸片，與載體對(duì)準(zhǔn)因此與邏輯管芯對(duì)準(zhǔn)。最后，使用高精度堆疊熱壓鍵合設(shè)備來(lái)放置硅橋。

    在隨后的模制過(guò)程中，裸片仍然會(huì)移位，從而損壞TPV和硅橋之間或邏輯裸片和硅橋之間的凸塊連接。因此，IMEC團(tuán)隊(duì)在成型之前和之后進(jìn)行了專門(mén)的電氣測(cè)試。測(cè)試表明，模塑過(guò)程不會(huì)影響連接的完整性?；谶@些結(jié)果，可以假設(shè)，如果這些裸片在注塑時(shí)移位，它們應(yīng)該是在相同的方向上作整體位移，因而不會(huì)破壞連接性。

    總結(jié)和未來(lái)展望

    通過(guò)這種新穎的方法，IMEC團(tuán)隊(duì)在扇出環(huán)境中展示了具有20μm凸塊節(jié)距的創(chuàng)紀(jì)錄的芯片到芯片互連密度。在不久的將來(lái)，該技術(shù)將得到進(jìn)一步改進(jìn)，電氣和射頻行為將以不同的配置進(jìn)行評(píng)估。

    所提出的技術(shù)對(duì)于移動(dòng)應(yīng)用尤其具有吸引力，因?yàn)樗苑浅Ｐ〉男螤钜蜃訉?shí)現(xiàn)了經(jīng)濟(jì)有效的WideI / O存儲(chǔ)器到邏輯芯片互連。最終，F(xiàn)O-WLP上的倒裝芯片也可能成為異構(gòu)集成的支持技術(shù)，瞄準(zhǔn)高性能應(yīng)用。它可以提供一種在電氣高度互連的封裝中集成多個(gè)裸片的方法，包括高性能計(jì)算，存儲(chǔ)器和光通信模塊。以上就是IMEC 對(duì)晶圓級(jí)封裝的一些思考，希望對(duì)大家有所幫助。