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美光第二代HBM2 DRAM即將開始出貨

2020-03-30
來源:中國閃存網
關鍵詞: 美光 DRAM HBM2

  在最新財報中,美光科技(Micron Technologies)宣布旗下第二代高帶寬存儲器(HBM2)即將開始出貨。HBM2主要用于高性能顯卡、服務器處理器以及各種高端處理器中,是相對昂貴但市場緊需的解決方案。

  第二代高帶寬存儲器(HBM2)指定了每堆8個裸晶及每針傳輸速度上至2 GT/s的標準。為保持1024比特寬的訪問,第二代高帶寬存儲器得以在每個封裝中達到256GB/s的內存帶寬及上至8GB的內存。業(yè)界預測第二代高帶寬存儲器對極其需要性能的應用程序,如虛擬現實,至關重要。

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  2016年1月19日,三星集團宣布進入大量生產第二代高帶寬存儲器的早期階段,每堆擁有高達8GB的內存。SK海力士同時宣布于2016年8月發(fā)布4GB版本的內存。而伴隨著美光的即將出貨,存儲器市場將會再次形成三雄割據的場面。

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  此前,美光的開發(fā)重心都放在專有的混合存儲多維數據集(HMC)DRAM類型上,不過這種類型的DRAM并沒有獲得太多客戶的吸引力,因此始終沒有太大的改變。僅使用了少數稀有產品,如2015年在富士通PRIMEHPC FX100超級計算機中使用的富士通SPARC64 XIfx CPU。

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  美光宣布將在2018年暫停HMC的工作,并決定致力于GDDR6和HBM的開發(fā)。因此他們將會在今年的某個時候發(fā)布搭載HBM2 DRAM的產品。


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