國內(nèi)最大的晶圓代工廠中芯國際在Q4季度中已經(jīng)量產(chǎn)14nm工藝，貢獻了1％的營收，該工藝能夠滿足國內(nèi)95％的芯片生產(chǎn)。

中芯國際14nm工藝現(xiàn)在最重要的問題還是產(chǎn)能，主要是在上海的中芯南方12英寸晶圓廠生產(chǎn)，去年底也就生產(chǎn)了1000片晶圓左右，產(chǎn)量很低。

根據(jù)中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松的說法，14nm月產(chǎn)能將在今年3月達到4K，7月達到9K，12月達到15K。

中芯國際的14nm產(chǎn)能在15K晶圓／月之后應(yīng)該不會繼續(xù)提升了，還有更新的工藝。

其中基于14nm改良的12nm工藝也進入客戶導入階段了，該工藝相比14nm晶體管尺寸進一步縮微，功耗降低20％、性能提升10％，錯誤率降低20％。

不過14nm工藝相比臺積電、三星的工藝依然存在2－3代的差距，而且滿足不了制造當前最高性能水平的處理器，所以中芯國際還在發(fā)展更新一代的N＋1、N＋2工藝。

在這次的財報會議上，梁孟松博士也首次公開了N＋1、N＋2代工藝的情況，他說N＋1工藝和14nm相比，性能提升了20％，功耗降低了57％，邏輯面積縮小了63％，SoC面積減少了55％。

中芯國際一直沒有明確14nm之后是否跳過10nm工藝，所以這個N＋1到底是10nm還是7nm不能確定，但根據(jù)上面的說法，N＋1基本上可以確定是7nm級別的工藝了，因為芯片面積縮減55％意味著晶體管密度提升了1倍，這超過了14nm到10nm工藝的進化水平，臺積電從14nm到7nm也就是提升了1倍的密度。

不過梁孟松也提到了，N＋1代工藝在功耗及穩(wěn)定性上跟7nm工藝非常相似，但性能不如，業(yè)界標準是提升35％，所以中芯國際的N＋1工藝主要開始面向低功耗的。

N＋1之后還會有N＋2，這兩種工藝在功耗上表現(xiàn)差不多，區(qū)別在于 性能及成本，N＋2顯然是面向高性能的，成本也會增加。

至于備受關(guān)注的EUV光刻機，梁孟松表示在當前的環(huán)境下，N＋1、N＋2代工藝都不會使用EUV工藝，等到設(shè)備就緒之后，N＋2之后的工藝才會轉(zhuǎn)向EUV光刻工藝。

從梁孟松的解釋來看，中芯國際的7nm工藝發(fā)展跟臺積電的路線差不多，7nm節(jié)點一共發(fā)展了三種工藝，分別是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工藝的N7＋，前兩代工藝也沒用EUV光刻機，只有N7＋工藝上才開始用EUV工藝，不過光罩層數(shù)也比較少，5nm節(jié)點寸是充分利用EUV光刻工藝的，達到了14層EUV光罩。

還有就是中芯國際的7nm級工藝問世時間，之前的財報中梁孟松提到是在2020年底開始試驗產(chǎn)能，真正生產(chǎn)要到2021年了。

作者：憲瑞